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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 奈良 安雄 副委員長 大野 裕三 (筑波大) 幹事 笹子 佳孝 (日立) 幹事補佐 黒田 理人 (東北大) 日時 2013年12月13日(金) 09：00～18：00 会場 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 大講義室（奈良県生駒市高山町8916-5．学研北生駒から徒歩20分またはバスで5分、高の原駅からバス20分．http://www.naist.jp/accessmap/index_j.html．奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 浦岡行治．0743-72-6060） 議題 シリコン関連材料の作製と評価 12月13日(金) 午前 （09：00～18：00） (1) 09:00 - 09:20 パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 ○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） (2) 09:20 - 09:40 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 ○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） (3) 09:40 - 10:00 多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ ○大山翔平・松村 篤・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） (4) 10:00 - 10:20 インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 ○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大） (5) 10:20 - 10:40 キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池 ○若宮彰太・小林孝裕・松尾直人・部家 彰（兵庫県立大） (6) 10:40 - 11:00 レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 ○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木 隆（奈良先端大） (7) 11:00 - 11:20 リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 ○岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人） (8) 11:20 - 11:40 Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発 ○井上雅志・松田時宜・木村 睦（龍谷大） (9) 11:40 - 12:00 スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT ○目黒達也・原 明人（東北学院大） −−− 休憩 （ 60分 ） −−− (10) 13:00 - 13:30 ［招待講演］BLDA(青色半導体ダイオードアニール)によるSi薄膜結晶化と応用 ○野口 隆・岡田竜弥（琉球大） (11) 13:30 - 13:50 軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ～ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ～ ○草壁 史・丸山裕樹・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・伊藤和博・高橋 誠（阪大） (12) 13:50 - 14:10 軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発 ○部家 彰・草壁 史・丸山裕樹・松尾直人・神田一浩（兵庫県立大）・野口 隆（琉球大） (13) 14:10 - 14:40 ［招待講演］抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案 ○木下健太郎（鳥取大/TEDREC）・長谷川 祥（鳥取大） (14) 14:40 - 15:00 Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響 ○長谷川 祥・榎本雄太郎・片田直伸・伊藤敏幸・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (15) 15:10 - 15:40 ［招待講演］グラフェン誘導体表面に構築したオンチップ型FRETアプタセンサ ○上野祐子・古川一暁（NTT） (16) 15:40 - 16:00 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memory (CB-RAM)における金属拡散機構の解明 ○由良 翔（鳥取大）・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・中田謙吾・石井 晃（鳥取大）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC） (17) 16:00 - 16:20 遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性 ○吉原幹貴・緒方涼介・村山直寛（鳥取大）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大/TEDREC） (18) 16:20 - 16:40 誘電体厚膜の形成とプロトンビームによる直接パターニング ○渡辺和貴・山口正樹・西川宏之（芝浦工大） (19) 16:40 - 17:00 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） (20) 17:00 - 17:20 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） (21) 17:20 - 17:40 コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価 ○中澤成哉・南園悠一郎・須田 淳・木本恒暢（京大） (22) 17:40 - 18:00 三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化 ○堀 良太・畑山智亮・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） 一般講演（20）：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演（30）：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2014年1月29日(水) 機械振興会館 テーマ：先端CMOSデバイス・プロセス技術（IEDM特集） 2014年1月 [未定] 2014年2月27日(木)～28日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月11日(水)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 2014年2月28日(金) 機械振興会館 テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o          Last modified: 2013-11-30 22:00:50 |
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