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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 松尾 慎治 (NTT) 副委員長 近藤 正彦 (阪大) 幹事 田中 有 (富士通研)， 有賀 博 (三菱電機) ★レーザー学会（LSJ） 日時 2013年 5月17日(金) 09：00～17：30 会場 金沢大学 角間キャンパス 自然科学研究科棟 G15会議室（〒920-1192 金沢市角間町．金沢駅東口6番乗り場からバス 91（平日のみ）・93・94・97金沢大学行き ＜バス停：金沢大学自然研前，金沢大学中央又は金沢大学＞まで．http://www.kanazawa-u.ac.jp/university/access/index.html．理工研究域 電子情報学系 山田実．076-234-4866） 議題 量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザ基礎，及び一般 5月17日(金) 午前 （09：00～17：30） −−− 開会挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 09:05 - 09:30 An Analysis of the Noise Reduction Effect by Superposition of High Frequency Current in Semiconductor Lasers ○Sazzad Imran・Minoru Yamada（Kanazawa Univ.） (2) 09:30 - 09:55 レーザーダイオード励起Yb:YAGレーザーの高効率化 ○下條直哉・木村大介・西尾正敏・丸小淳幸・奥西弘旭・加唐賢人・京元敬介・吉田武志・川戸 栄（福井大） (3) 09:55 - 10:20 半導体光増幅器におけるS/N比の検討 ○樋口和貴・武内伸仁・山田 実（金沢大） (4) 10:20 - 10:45 半導体レーザの周波数雑音を用いた物理乱数の生成 ～ 発振幅が物理乱数に及ぼす影響に関する考察 ～ ○齊藤高大・新井秀明・古川元一・酒井翔太・佐藤 孝・坂本秀一・大河正志（新潟大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (5) 11:00 - 11:25 磁界印加時における面発光型半導体レーザの短波長シフトの研究 ○河野桂子・飯島音浩（新潟大）・土井康平（東北学院大）・田平慎一・佐藤 孝・大河正志（新潟大） (6) 11:25 - 11:50 超集束効果を利用したテラヘルツ波の高感度EOサンプリング ○都築 聡・竹嶋大貴・左近知也・木下哲也・永瀬友大・小澤慎平・栗原一嘉・山本晃司（福井大）・桑島史欣（福井工大）・古屋 岳・西澤誠治（福井大）・マイケル バクノフ（ニジニノブゴロド大）・川瀬晃道（名大）・谷 正彦（福井大） (7) 11:50 - 12:15 ナノファイバー端を用いた単一光子源からの高効率集光 ○長南 翔・加藤真也・青木隆朗（早大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (8) 13:15 - 13:50 ［招待講演］半導体量子ドットを用いた量子もつれ光子対の発生 ○黒田 隆・間野高明・迫田和彰（物質・材料研究機構）・中島秀朗・熊野英和・末宗幾夫（北大） (9) 13:50 - 14:15 Metal-embedded Nanocone Structure Incorporating an InAs QD for Efficient Single-photon Emission ○Xiangming Liu・Tomoya Asano・Satoru Odashima・Hideaki Nakajima・Hidekazu Kumano・Ikuo Suemune（Hokkaido Univ.） (10) 14:15 - 14:40 通信波長帯ピコ秒単一光子量子ビットの量子ドット集合体への転写・再生 ○鈴木一将・小西広一郎（慶大）・赤羽浩一（NICT）・早瀬潤子（慶大） (11) 14:40 - 15:05 半導体量子ドットを用いた波長可変レーザの2波長発振 ○赤羽浩一・山本直克・菅野敦史・稲垣惠三・梅沢俊匡・川西哲也（NICT）・遠藤 尚・友松泰則・山野井俊雄（光伸光学） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (12) 15:20 - 15:45 窒素ドープ同位体制御化学気相成長で作製したダイヤモンドNVセンターサンプルの光学・スピン特性 ○五味朋寛・富澤周平（慶大）・渡邊幸志・梅澤 仁・鹿田真一（産総研）・伊藤公平・早瀬潤子（慶大） (13) 15:45 - 16:10 光捕捉された金ナノ粒子を用いスペクトル計測 ○佐藤 聡・早崎芳夫（宇都宮大） (14) 16:10 - 16:35 フェムト秒レーザー誘起現象の2波長同時干渉計測 ○福田真一・早崎芳夫（宇都宮大） (15) 16:35 - 17:00 BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答 ○前北和晃・丸山武男・飯山宏一（金沢大） (16) 17:00 - 17:25 標準CMOSプロセスで作製したアバランシェ光検出器の高速応答特性 ○霜鳥敏之・刑部遼一・丸山武男・飯山宏一（金沢大） −−− 閉会挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 30 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎5月17日のお昼休みに懇親会を開催しますので是非ご参加ください. 会費：一般\500. 当日受付にてお申し込み下さい. ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月21日(金) 機械振興会館 [4月8日(月)] テーマ：アクティブデバイスと集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 8月29日(木)～30日(金) サンリフレ函館 [6月19日(水)] テーマ：光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 【問合先】 田中 有（富士通研） TEL 046-250-8251, FAX 046-250-8146 E-mail:  _          有賀 博（三菱電機） TEL 0467-41-2906，FAX 0467-41-2519 E-mail: A   Hi  abMibiElect c ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 ☆LSJ研究会 Last modified: 2013-03-13 19:34:37 |
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