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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリ)

日時 2017年11月 9日(木) 10:00 - 16:40
2017年11月10日(金) 10:00 - 16:40
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 6F 6-66会議室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催

11月9日(木) 午前 
座長: 安斎久浩 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
10:00 - 12:00
(1) 10:00-11:00 [招待講演]GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則(名大)・寒川義裕・柿本浩一(九大)
(2) 11:00-12:00 [招待講演]SISPAD 2017 レビュー(1) ○廣木 彰(京都工繊大)
  12:00-13:05 昼食 ( 65分 )
11月9日(木) 午後 
座長: 相馬聡文 (神戸大学)
13:05 - 15:30
(3) 13:05-13:30 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己(ルネサス エレクトロニクス)・藤井宏基・森 隆弘(ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング)・秋山 豊・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス)
(4) 13:30-14:30 [招待講演]SiC中の不純物拡散モデル ○植松真司(慶大)
(5) 14:30-15:30 [招待講演]SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 ○佐藤高史・大石一輝・廣本正之(京大)・新谷道広(奈良先端大)
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
11月9日(木) 午後 
座長: 國清辰也 (ルネサス エレクトロ二クス)
15:40 - 16:40
(6) 15:40-16:40 [招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション ○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡(産総研)・橋詰 保(北大)
11月10日(金)  
座長: 高篠裕行 (ソニーセミコンダクタ)
10:00 - 12:00
(7) 10:00-11:00 [招待講演]SISPAD 2017 レビュー(2) ○来栖貴史(東芝メモリ)
(8) 11:00-12:00 [招待講演]不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ~ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ~ ○佐野伸行(筑波大)
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
11月10日(金) 午後 
座長: 野田泰史 (パナソニック)
13:30 - 15:30
(9) 13:30-14:30 [招待講演]極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション ○森 伸也・美里劫夏南(阪大)・岩田潤一・押山 淳(東大)
(10) 14:30-15:30 [招待講演]行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 ○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑(京都工繊大)
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
11月10日(金) 午後  相馬聡文 (神戸大学)
15:40 - 16:40
(11) 15:40-16:40 [招待講演]トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル ○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之(ルネサス エレクトロニクス)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 55 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2018-02-01 21:23:47


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