5月24日(木) 午後 レーザ・デバイス応用 座長: 永井正也 (阪大) 13:30 - 14:50 |
|
13:30-13:35 |
開会挨拶 ( 5分 ) |
(1) |
13:35-14:00 |
コンパクトな高平均出力パルスレーザーの開発 |
○東口武史・山内 駿・篠崎夏美・小倉拓人・庄司美咲・川崎太夢(宇都宮大)・坂上和之(早大)・三浦泰祐(HiLASE Centre) |
(2) |
14:00-14:25 |
サブ回折限界集光を用いたホログラフィックフェムト秒レーザー加工 |
○長谷川智士・早崎芳夫(宇都宮大) |
(3) |
14:25-14:50 |
Optical Wireless Power Transmission to Moving Object by Computer Vision |
○Hendra Adinanta・Hirotaka Kato・Alexander William Setiawan Putra・Takeo Maruyama(Kanazawa Univ.) |
|
14:50-15:20 |
休憩 ( 30分 ) |
|
15:20-16:20 |
ポスターセッション ( 60分 ) |
5月25日(金) 午前 半導体光デバイス 座長: 望月 敬太 (三菱電機) 09:30 - 11:20 |
(4) |
09:30-10:30 |
[特別招待講演]アクティブMMIレーザによるモード選択光源 ~ モード選択原理とTbpsを目指した高速直接変調動作 ~ |
○浜本貴一・姜 海松(九大) |
(5) |
10:30-10:55 |
GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子干渉現象の観測 |
○小島 磨(神戸大) |
(6) |
10:55-11:20 |
結晶方位を45度回転させたSOI基板上へのナノ共振器シリコンラマンレーザの作製 |
○山内悠起子(阪府大)・岡野 誠(産総研)・野田 進(京大)・高橋 和(阪府大) |
|
11:20-13:00 |
休憩 ( 100分 ) |
5月25日(金) 午後 通信用デバイス 座長: 藤原 直樹 (NTT) 13:00 - 15:30 |
(7) |
13:00-13:25 |
混合変調レーザにおける高速変調時のチャープ特性 |
○菅野光成・三枝 慈・横田信英(東北大)・石井啓之(NTT)・八坂 洋(東北大) |
(8) |
13:25-13:50 |
親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 |
○矢田拓夢・内田和希・杉山滉一・Periyanayagam Gandhi Kallarasan・韓 旭・相川政輝・早坂夏樹・下村和彦(上智大) |
(9) |
13:50-14:15 |
8ch直接変調メンブレンレーザアレイとSiN AWGフィルタのSi基板上モノリシック集積 |
○西 英隆・藤井拓郎・ディアマドプロス ニコラオス パデレイモン・武田浩司・菅野絵理奈・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治(NTT) |
(10) |
14:15-14:40 |
4-chリニアドライバを用いた200-Gbit/s DML集積TOSA開発 |
○板橋直樹・杉本良之・藤村 康・田中啓二・荻田省一(住友電工) |
(11) |
14:40-15:05 |
SOAモノリシック集積位相変調器 |
○林 周作・西川智志・高林正和・阿部憲一・秋山浩一(三菱電機) |
|
15:05-15:30 |
閉会挨拶 ( 25分 ) |