お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップ  戻る   前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 

研究会終了後に懇親会を開催いたします。


★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)  副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年 6月19日(金) 09:30~17:30

会場 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー(〒464-8603 名古屋市千種区不老町.地下鉄 名古屋大学駅から徒歩3分.http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html.宮崎 誠一 (名古屋大学 大学院工学研究科).052-789-3588)

議題 MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)

6月19日(金) 午前 (09:30~17:30)

(1) 09:30 - 09:50
[依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
○谷田部然治・橋詰 保(北大)

(2) 09:50 - 10:10
[依頼講演]容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価
○徳田 豊(愛知工大)

(3) 10:10 - 10:30
[依頼講演]Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性
○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ(NICT)・倉又朗人・山腰茂伸(タムラ製作所)・東脇正高(NICT)

−−− 休憩 ( 20分 ) −−−

(4) 10:50 - 11:10
[依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡(三菱電機)

(5) 11:10 - 11:30
[依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性
○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹(富士電機)

(6) 11:30 - 11:50
[依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
○竹内和歌奈(名大)・山本建策(デンソー)・坂下満男(名大)・金村髙司(デンソー)・中塚 理・財満鎭明(名大)

−−− 休憩 ( 50分 ) −−−

(7) 12:40 - 13:00
光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価
○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一(名大)

(8) 13:00 - 13:20
シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃(名大)・影島愽之(島根大)・遠藤哲郎(東北大)・白石賢二(名大)

(9) 13:20 - 13:40
Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性
○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一(名大)

(10) 13:40 - 14:00
低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用
○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛(九大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(11) 14:15 - 14:35
メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司(阪大)

(12) 14:35 - 14:55
金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明(名大)

(13) 14:55 - 15:15
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明(名大)

(14) 15:15 - 15:35
PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
○栗島一徳(明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕(物質・材料研究機構)・小椋厚志(明大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(15) 15:50 - 16:10
Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process
○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka(NAIST)

(16) 16:10 - 16:30
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善
吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗(阪大)

(17) 16:30 - 16:50
[依頼講演]二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗
○野内 亮(阪府大)

(18) 16:50 - 17:10
[依頼講演]原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ
○中払 周(物質・材料研究機構)・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林 賢二郎・近藤大雄・高橋 慎(産総研)・黎 松林・山本真人・林 彦甫(物質・材料研究機構)・上野啓司(埼玉大)・塚越一仁(物質・材料研究機構)・佐藤信太郎・横山直樹(産総研)

(19) 17:10 - 17:30
[依頼講演]High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価
○森 貴洋(産総研)・二之宮成樹(横浜国大)・内田紀行・久保利隆(産総研)・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士(物質・材料研究機構)・田中正俊(横浜国大)・安藤 淳(産総研)


◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会共催

◎[依頼講演]は、シリコンテクノロジー分科会で企画された講演です.
◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

8月24日(月)~25日(火) 熊本市 [6月17日(水)] テーマ:低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

【問合先】
黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-mail: fffe


Last modified: 2015-04-27 19:54:27


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 

[SDM研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会