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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正 (九大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 高谷 信一郎 (日立), 新井 学 (新日本無線)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 村田 浩一 (NTT)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 上村 喜一 (信州大)
副委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
幹事 豊田 誠治 (NTT), 清水 英彦 (新潟大)
幹事補佐 竹村 泰司 (横浜国大), 大庭 直樹 (NTT)

日時 2008年 5月15日(木) 13:00 - 17:05
2008年 5月16日(金) 09:00 - 15:55
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
会場名 名古屋工業大学 
住所 〒466-8555 名古屋市昭和区御器所町
交通案内 中央本線「鶴舞」下車(名大病院口)徒歩約7分
http://www.nitech.ac.jp/
会場世話人
連絡先
名古屋工業大学 曽我哲夫
052-735-5532
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月15日(木) 午後 
13:00 - 17:05
(1) 13:00-13:25 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成へのドーナツ円板の効果 ED2008-1 CPM2008-9 SDM2008-21 細川貴之中村功一細江俊介酒井 里以西雅章静岡大
(2) 13:25-13:50 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成 ED2008-2 CPM2008-10 SDM2008-22 中村功一細川貴之酒井 里細江俊介以西雅章静岡大
(3) 13:50-14:15 ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価 ED2008-3 CPM2008-11 SDM2008-23 山田典史板倉巧周倉地雄史以西雅章静岡大
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(4) 14:25-14:50 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 ED2008-4 CPM2008-12 SDM2008-24 倉地雄史板倉功周山田典史以西雅章静岡大
(5) 14:50-15:15 RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成 ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25 堀内郁志以西雅章静岡大
(6) 15:15-15:40 RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成 ED2008-6 CPM2008-14 SDM2008-26 遠藤立弥水地裕一以西雅章静岡大
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(7) 15:50-16:15 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 泉 佳太岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大
(8) 16:15-16:40 有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価 松野文弥畠中 奨中西快之岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大
(9) 16:40-17:05 An ultrasonic method for synthesis of ZnO nanostructure on glass substrates ED2008-8 CPM2008-16 SDM2008-28 Kasimayan UmaTetsuo SogaTakashi JimboNagoya Inst. of Tech.
5月16日(金) 午前 
09:00 - 15:55
(10) 09:00-09:25 Synthesis of single walled carbon nanotubes using Ultrasonic nebulizer ED2008-9 CPM2008-17 SDM2008-29 Ishwor KhatriTetsuo SogaTakashi JimboNagoya Inst. of Tech.
(11) 09:25-09:50 Growth of cupric oxide nanostructure by thermal oxidation of copper ED2008-10 CPM2008-18 SDM2008-30 Jien-Bo LiangKasimayan UmaTetsuo SogaTakashi JimboNagoya Inst. of Tech.
(12) 09:50-10:15 AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 廣木正伸西村一巳NTT)・渡邉則之NTT-AT)・小田康裕小林 隆NTT
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(13) 10:25-10:50 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析 ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32 森 俊晶浅井俊晶永松謙太郎岩谷素顕上山 智天野 浩赤さき 勇名城大
(14) 10:50-11:15 p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 根賀亮平水野克俊岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大
(15) 11:15-11:40 Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性 ED2008-14 CPM2008-22 SDM2008-34 広森公一石川博康十倉史行嶋中啓太森 直人森本智彦名工大
  11:40-12:50 昼食 ( 70分 )
(16) 12:50-13:15 温度差法を用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長 ED2008-15 CPM2008-23 SDM2008-35 手嶋康将鈴木堅志郎成塚重弥丸山隆浩名城大
(17) 13:15-13:40 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係 ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36 前多悠也金 秀光谷奥雅俊渕 真悟宇治原 徹竹田美和山本尚人真野篤志中川靖英山本将博奥見正治中西 彊名大)・坂 貴大同工大)・堀中博道阪府大)・加藤俊宏大同特殊鋼
(18) 13:40-14:05 MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I) ED2008-17 CPM2008-25 SDM2008-37 渡邊彰伸甲斐康寛山田 航市橋 果米山知宏加藤大祐松本和也安形保則ニラウラ マダン安田和人名工大
(19) 14:05-14:30 MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II) ED2008-18 CPM2008-26 SDM2008-38 市橋 果山田 航甲斐康寛渡邊彰伸中西智哉岡 寛樹仲島 甫安形保則ニラウラ マダン安田和人名工大
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(20) 14:40-15:05 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法 ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 小野英則小川和也加藤正史市村正也名工大
(21) 15:05-15:30 マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 松下由憲加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構
(22) 15:30-15:55 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 鬼頭孝輔加藤正史市村正也名工大

講演時間
一般講演(25)発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E--mail geba 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E--mail: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E--mail: crl
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-4337
E--mail : nf 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E--mail: engi-u

竹村 泰司(横浜国立大学)
TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151
E--mail: y 


Last modified: 2008-03-26 02:00:01


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