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1日目の研究会終了後に懇親会を開催いたします。オーガナイザ：根尾陽一郎（静岡大学電子工学研究所）現地世話役：村田英一（名城大学理工学部電気電子工学科）

電子デバイス研究会（ED）

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専門委員長		前澤宏一 (富山大)
副委員長		津田邦男 (東芝)
幹事		松永高治 (NEC)，鈴木寿一 (北陸先端大)
幹事補佐		新井学 (新日本無線)，東脇正高 (NICT)

日時	2015年10月22日(木)　13:30 - 16:45 2015年10月23日(金)　09:00 - 12:15
議題	電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術
会場名	名城大学名駅サテライト（ＭＳＡＴ）
住所	〒450-0002 名古屋市中村区名駅3-26-8 KDX名古屋駅前ビル13階
交通案内	JR東海「名古屋」駅から、ユニモール地下街4番出口を出てすぐ http://www.meijo-u.ac.jp/about/campus/msat.html
会場世話人連絡先	名城大学理工学部村田英一 052-551-1666
お知らせ	◎ゲストオーガナイザー：根尾陽一郎（静岡大学）、村田英一（名城大学）◎22日研究会終了後、懇親会を予定しますのでご参加ください。
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月22日(木) 午後 13:30 - 16:45
(1)	13:30-13:55	ダブルゲートスピント型エミッタの電極構造と電子ビーム軌道 ED2015-54	○後藤康仁・辻　博司（京大）・長尾昌善（産総研）
(2)	13:55-14:20	電子ビームプローブを用いた誘電体表面上の電荷密度分布の推定 ED2015-55	○中島卓也・村田英一（名城大）・須原浩之（リコー）・下山　宏（名城大）
(3)	14:20-14:45	電界集束型FEA-HARP撮像素子の放射電子特性 ED2015-56	○本田悠葵・難波正和・宮川和典・久保田　節（NHK）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・江上典文（近畿大）
	14:45-15:05	休憩　（ 20分）
(4)	15:05-15:30	静電レンズ一体型Field Emitter Arrayの電子軌道解析～電流プロファイルの計算～ ED2015-57	○後藤浩康・村田英一・下山　宏（名城大）
(5)	15:30-15:55	計算機実験によるマグネトロンの寿命に関する研究 ED2015-58	○平山啓太・三谷友彦・篠原真毅（京大）・川田浩平・桑原なぎさ（パナソニック）
(6)	15:55-16:20	300GHz帯MEMS-FWG-TWTの設計検討（その2） ED2015-59	○蔦木邦夫・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・増田則夫・吉田　満・松岡順一（NECネットワーク・センサ）
(7)	16:20-16:45	テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み ED2015-60	○吉田　満・岡本耕治・増田則夫・松岡順一（NECネットワーク・センサ）・関根徳彦・菅野敦史・山本直克・寳迫　巌（NICT）
10月23日(金) 午前 09:00 - 12:15
(8)	09:00-09:25	貴金属原子の表面拡散を経て作製されたナノピラミッド表面への銅フタロシアニンの吸着 ED2015-61	○浅井泰尊・熊谷輝成・浅井大誠・加藤秀次・村田英一・六田英治（名城大）・大島忠平（早大）
(9)	09:25-09:50	時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算 (第1報) ED2015-62	○樋口敏春・佐々木正洋・山田洋一（筑波大）
(10)	09:50-10:15	ボルケーノ構造を有するスピント型Mo/Niフィールドエミッタアレイの課題 ED2015-63	○長尾昌善（産総研）
	10:15-10:35	休憩　（ 20分）
(11)	10:35-11:00	高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作～鋳型成長を用いた電極一体・平板型エミッターの製作～ ED2015-64	○胡谷大志（国際基督教大）・増澤智昭（静岡大）・山田貴壽（産総研）・落合　潤・斎藤市太郎・岡野　健（国際基督教大）
(12)	11:00-11:25	GaAsフォトカソードの表面活性過程と分光感度特性 ED2015-65	○増澤智昭・光野圭悟・畑中義式・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）
(13)	11:25-11:50	シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価 ED2015-66	○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大）
(14)	11:50-12:15	ナノ突起構造体の高さおよび原子配列の電界電離Heイオン電流に及ぼす影響 ED2015-67	○永井滋一・加藤　習・岩田達夫・梶原和夫・畑　浩一（三重大）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	上田哲三（パナソニック) TEL：06-6906-4940 Fax :06-6906-2426 E-： zopac 葛西誠也（北海道大） TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004 E- : irciqei