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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 吉本 雅彦 (神戸大)
副委員長 山村 毅 (富士通研)
幹事 鈴木 弘明 (ルネサス エレクトロニクス), 松岡 俊匡 (阪大)
幹事補佐 竹内 健 (東大), 渡辺 理 (東芝), 土谷 亮 (京大)

日時 2011年 8月25日(木) 09:00 - 17:45
2011年 8月26日(金) 09:00 - 17:20
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 富山県民会館 701号室 
住所 富山市新総曲輪4番18号
交通案内 JR富山駅南口より徒歩10分
http://kenminkaikan.com/
会場世話人
連絡先
富山県立大学 情報システム工学科 松田敏弘
0766-56-7500(内線502), 076-432-3111(会場)
お知らせ ◎初日(8月25日)研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加ください。
会場:「いろり」富山県富山市新富町2丁目4-23
http://locoplace.jp/t000018515/

8月25日(木) 午前 
09:00 - 17:45
(1) 09:00-09:25 3次元型トランジスタを用いた各種回路構成の論理回路のパターン面積の縮小効果の検討 小玉貴大渡辺重佳湘南工科大)・廣島 佑大井電気
(2) 09:25-09:50 平面型トランジスタ,SGTを用いたスタンダードセルのパターン面積の比較検討 小玉貴大渡辺重佳湘南工科大
(3) 09:50-10:15 MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路のパターン面積の検討 林 隆程渡辺重佳湘南工科大
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(4) 10:25-10:50 Datta-Das型スピントランジスタにおける性能と消費電力見積もり 近藤佳之川中 繁安達甘奈東芝
(5) 10:50-11:15 ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 杉崎絵美子宮田俊敬大島康礼外園 明安達甘奈宮野清孝辻井秀二川中 繁稲葉 聡井谷孝治飯沼俊彦豊島義明東芝
(6) 11:15-12:00 [招待講演]強誘電体メモリ(FeRAM)の技術動向 ~ 2010とこれから ~ 川嶋将一郎富士通セミコンダクター
  12:00-12:50 昼食 ( 50分 )
(7) 12:50-13:35 [招待講演]エネルギーハーベスティングによる無線センサ端末動作を実現するサブナノワット回路技術 宇賀神 守島村俊重森村浩季武藤伸一郎原田 充NTT
(8) 13:35-14:20 [招待講演]アンビエント・エネルギーを用いた自力発電型ワイヤレスセンサー応用 道関隆国立命館大
  14:20-14:30 休憩 ( 10分 )
(9) 14:30-14:55 帯状探索窓を採用した超高速動きベクトル検出アルゴリズムとこれを適用した低電力90nm-CMOS動きベクトル検出アレイ 榎本忠儀中大
(10) 14:55-15:20 ReRAM多重書き込み自動回避回路を用いた消費電力削減技術 半田貴也中山和也北川章夫秋田純一金沢大
(11) 15:20-16:05 [招待講演]エネルギーハーベスティングのアプリケーション/市場動向 竹内敬治NTTデータ経営研
  16:05-16:15 休憩 ( 10分 )
(12) 16:15-17:45 [パネル討論]センサーネット・エネルギーハーベスティングシステムに向けた超低消費電力技術 竹内敬治NTTデータ)・宇賀神 守NTT)・川嶋将一郎富士通)・道関隆国立命館大)・高宮 真東大)・井田次郎金沢工大)・門 勇一京都工繊大
8月26日(金) 午前 
09:00 - 17:20
(13) 09:00-09:25 Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 水谷朋子Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-Selete
(14) 09:25-09:50 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 Anil Kumar水谷朋子東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-Selete
(15) 09:50-10:15 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ 笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(16) 10:25-11:10 [招待講演]極低電力ロジックデバイス技術の現状と展望 井田次郎金沢工大
(17) 11:10-11:55 [招待講演]低電力デジタル回路の技術動向 炭田昌哉パナソニック
  11:55-12:55 昼食 ( 60分 )
(18) 12:55-13:40 [招待講演]エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術 高宮 真石田光一更田裕司東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
(19) 13:40-14:05 4F2 DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ 柳川善光関口知紀小田部 晃小埜和夫竹村理一郎日立
(20) 14:05-14:30 0.5 V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ 小田部 晃柳川善光竹村理一郎関口知紀伊藤清男日立
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(21) 14:40-15:05 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM 新居浩二薮内 誠藤原英弘中野博文石原和哉河合浩行有本和民ルネサス エレクトロニクス
(22) 15:05-15:30 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM 石井雄一郎藤原英弘新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・千ヶ崎英夫黒宮 修佐伯 宰ルネサスデザイン)・宮西篤史木原雄治ルネサス エレクトロニクス
(23) 15:30-15:55 動的基板制御による非対称SRAM 藪内 誠塚本康正藤原英弘前川考志五十嵐元繁新居浩二ルネサス エレクトロニクス
  15:55-16:05 休憩 ( 10分 )
(24) 16:05-16:30 自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧(VDDmin)の低減 本田健太郎池内克之東大)・野村昌弘半導体理工学研究センター)・高宮 真桜井貴康東大
(25) 16:30-16:55 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証 更田裕司東大)・平入孝二半導体理工学研究センター)・安福 正高宮 真東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
(26) 16:55-17:20 自己同期システムに向けた低電圧動作回路の最適化 神谷歩未池田 誠東大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 藤島 実 (東京大学)
TEL 03-5841-7425,FAX 03-5841-8575
E-:eetu- 


Last modified: 2011-08-11 19:31:35


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