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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 吉本 雅彦 (神戸大)
副委員長 山村 毅 (富士通研)
幹事 鈴木 弘明 (ルネサス エレクトロニクス), 松岡 俊匡 (阪大)
幹事補佐 竹内 健 (東大), 渡辺 理 (東芝), 土谷 亮 (京大)

日時 2011年 8月25日(木) 09:00 - 17:45
2011年 8月26日(金) 09:00 - 17:20
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 富山県民会館 701号室 
住所 富山市新総曲輪4番18号
交通案内 JR富山駅南口より徒歩10分
http://kenminkaikan.com/
会場世話人
連絡先
富山県立大学 情報システム工学科 松田敏弘
0766-56-7500(内線502), 076-432-3111(会場)
お知らせ ◎初日(8月25日)研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加ください。
会場:「いろり」富山県富山市新富町2丁目4-23
http://locoplace.jp/t000018515/

8月25日(木) 午前 
09:00 - 17:45
(1) 09:00-09:25 3次元型トランジスタを用いた各種回路構成の論理回路のパターン面積の縮小効果の検討 ○小玉貴大・渡辺重佳(湘南工科大)・廣島 佑(大井電気)
(2) 09:25-09:50 平面型トランジスタ,SGTを用いたスタンダードセルのパターン面積の比較検討 ○小玉貴大・渡辺重佳(湘南工科大)
(3) 09:50-10:15 MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路のパターン面積の検討 ○林 隆程・渡辺重佳(湘南工科大)
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(4) 10:25-10:50 Datta-Das型スピントランジスタにおける性能と消費電力見積もり ○近藤佳之・川中 繁・安達甘奈(東芝)
(5) 10:50-11:15 ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 ○杉崎絵美子・宮田俊敬・大島康礼・外園 明・安達甘奈・宮野清孝・辻井秀二・川中 繁・稲葉 聡・井谷孝治・飯沼俊彦・豊島義明(東芝)
(6) 11:15-12:00 [招待講演]強誘電体メモリ(FeRAM)の技術動向 ~ 2010とこれから ~ ○川嶋将一郎(富士通セミコンダクター)
  12:00-12:50 昼食 ( 50分 )
(7) 12:50-13:35 [招待講演]エネルギーハーベスティングによる無線センサ端末動作を実現するサブナノワット回路技術 ○宇賀神 守・島村俊重・森村浩季・武藤伸一郎・原田 充(NTT)
(8) 13:35-14:20 [招待講演]アンビエント・エネルギーを用いた自力発電型ワイヤレスセンサー応用 ○道関隆国(立命館大)
  14:20-14:30 休憩 ( 10分 )
(9) 14:30-14:55 帯状探索窓を採用した超高速動きベクトル検出アルゴリズムとこれを適用した低電力90nm-CMOS動きベクトル検出アレイ ○榎本忠儀(中大)
(10) 14:55-15:20 ReRAM多重書き込み自動回避回路を用いた消費電力削減技術 ○半田貴也・中山和也・北川章夫・秋田純一(金沢大)
(11) 15:20-16:05 [招待講演]エネルギーハーベスティングのアプリケーション/市場動向 ○竹内敬治(NTTデータ経営研)
  16:05-16:15 休憩 ( 10分 )
(12) 16:15-17:45 [パネル討論]センサーネット・エネルギーハーベスティングシステムに向けた超低消費電力技術 ○竹内敬治(NTTデータ)・宇賀神 守(NTT)・川嶋将一郎(富士通)・道関隆国(立命館大)・高宮 真(東大)・井田次郎(金沢工大)・門 勇一(京都工繊大)
8月26日(金) 午前 
09:00 - 17:20
(13) 09:00-09:25 Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 ○水谷朋子・Anil Kumar(東大)・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗(MIRAI-Selete)・寺田和夫(広島市大)・最上 徹(MIRAI-Selete)・平本俊郎(東大/MIRAI-Selete)
(14) 09:25-09:50 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 ○Anil Kumar・水谷朋子(東大)・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗(MIRAI-Selete)・寺田和夫(広島市大)・最上 徹(MIRAI-Selete)・平本俊郎(東大/MIRAI-Selete)
(15) 09:50-10:15 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・黒土健三・森田精一・高橋俊和・高濱 高・森本忠雄・峰 利之・島 明生・小林 孝(日立)
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(16) 10:25-11:10 [招待講演]極低電力ロジックデバイス技術の現状と展望 ○井田次郎(金沢工大)
(17) 11:10-11:55 [招待講演]低電力デジタル回路の技術動向 ○炭田昌哉(パナソニック)
  11:55-12:55 昼食 ( 60分 )
(18) 12:55-13:40 [招待講演]エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術 ○高宮 真・石田光一・更田裕司(東大)・野村昌弘・篠原尋史(半導体理工学研究センター)・桜井貴康(東大)
(19) 13:40-14:05 4F2 DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ ○柳川善光・関口知紀・小田部 晃・小埜和夫・竹村理一郎(日立)
(20) 14:05-14:30 0.5 V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ ○小田部 晃・柳川善光・竹村理一郎・関口知紀・伊藤清男(日立)
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(21) 14:40-15:05 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM ○新居浩二・薮内 誠・藤原英弘・中野博文・石原和哉・河合浩行・有本和民(ルネサス エレクトロニクス)
(22) 15:05-15:30 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM ○石井雄一郎・藤原英弘・新居浩二(ルネサス エレクトロニクス)・千ヶ崎英夫・黒宮 修・佐伯 宰(ルネサスデザイン)・宮西篤史・木原雄治(ルネサス エレクトロニクス)
(23) 15:30-15:55 動的基板制御による非対称SRAM ○藪内 誠・塚本康正・藤原英弘・前川考志・五十嵐元繁・新居浩二(ルネサス エレクトロニクス)
  15:55-16:05 休憩 ( 10分 )
(24) 16:05-16:30 自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧(VDDmin)の低減 ○本田健太郎・池内克之(東大)・野村昌弘(半導体理工学研究センター)・高宮 真・桜井貴康(東大)
(25) 16:30-16:55 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証 ○更田裕司(東大)・平入孝二(半導体理工学研究センター)・安福 正・高宮 真(東大)・野村昌弘・篠原尋史(半導体理工学研究センター)・桜井貴康(東大)
(26) 16:55-17:20 自己同期システムに向けた低電圧動作回路の最適化 ○神谷歩未・池田 誠(東大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E--mail: o 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 藤島 実 (東京大学)
TEL 03-5841-7425,FAX 03-5841-8575
E--mail:eetu- 


Last modified: 2011-08-11 19:31:35


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