1月27日(火) 午前
10:00 - 12:05 |
| (1) |
10:00-10:25 |
［招待講演］Analytical formulation of interfacial SiO2scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks |
○Xiuyan Li・Takeaki Yajima・Tomonori Nishimura・Kosuke Nagashio・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） |
| (2) |
10:25-10:50 |
［招待講演］Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs |
○ChoongHyun Lee・Tomonori Nishimura・Cimang Lu・Shoichi Kabuyanagi・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） |
| (3) |
10:50-11:15 |
［招待講演］ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 |
○金 閔洙・若林勇希・中根了昌・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） |
| (4) |
11:15-11:40 |
［招待講演］フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証 |
○臼田宏治・鎌田善巳・上牟田雄一・森 貴洋・小池正浩・手塚 勉（産総研） |
| (5) |
11:40-12:05 |
［招待講演］電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析 |
○鎌倉良成・インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎・脇村 豪（阪大）・木場隼介・土屋英昭（神戸大）・森 伸也（阪大） |
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12:05-13:30 |
昼食 （ 85分 ） |
1月27日(火) 午後
13:30 - 17:10 |
| (6) |
13:30-14:00 |
IEDM2014を振り返って 高柳真理子（東芝） |
| (7) |
14:00-14:25 |
［招待講演］次世代3DICのためのCMOSウエーハ高精度積層技術～システムとプロセス～ |
○岡田政志・菅谷 功・三ツ石 創・前田栄裕・泉 重人・中平法生・岡本和也（ニコン） |
| (8) |
14:25-14:50 |
［招待講演］SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式3次元構造CMOSイメージセンサ |
○後藤正英・萩原 啓・井口義則・大竹 浩（NHK）・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎（東大） |
| (9) |
14:50-15:15 |
［招待講演］次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM |
○池上一隆・野口紘希・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・落合隆夫・下村尚治・板井翔吾・才田大輔・田中千加・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） |
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15:15-15:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (10) |
15:30-15:55 |
［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 |
○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） |
| (11) |
15:55-16:20 |
［招待講演］16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM |
○藪内 誠・森本薫夫・塚本康正・田中信二・田中浩司・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） |
| (12) |
16:20-16:45 |
［招待講演］非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善 |
○松川 貴・福田浩一・柳 永勛・塚田順一・山内洋美・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） |
| (13) |
16:45-17:10 |
［招待講演］Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 |
○森田行則・森 貴洋・福田浩一・水林 亘・右田真司・松川 貴・遠藤和彦・大内真一・柳 永勛・昌原明植・太田裕之（産総研） |
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