8月1日(金) 午前
10:30 - 12:10 |
| (1) |
10:30-11:20 |
［招待講演］高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 |
○高橋 剛・佐藤 優・中舍安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研） |
| (2) |
11:20-11:45 |
GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 |
○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） |
| (3) |
11:45-12:10 |
貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 |
○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大） |
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12:10-13:30 |
休憩 （ 80分 ） |
8月1日(金) 午後
13:30 - 16:40 |
| (4) |
13:30-14:20 |
［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 |
○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大） |
| (5) |
14:20-14:45 |
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 |
○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大） |
| (6) |
14:45-15:10 |
GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善 |
○竹内克彦・谷口 理・柳田将志（ソニー）・佐々木有司・中村光宏（ソニーセミコンダクタ）・和田伸一（ソニー） |
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15:10-15:25 |
休憩 （ 15分 ） |
| (7) |
15:25-15:50 |
シートデバイスに向けた塗布型カーボンナノチューブＴＦＴの作製 |
○遠藤浩幸・殿内規之・二瓶史行（NEC）・関谷 毅・染谷隆夫（東大） |
| (8) |
15:50-16:15 |
Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット |
○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT） |
| (9) |
16:15-16:40 |
硬Ｘ線光電子分光によるGaAs表面の状態解析 |
○斎藤吉広・鶴見大輔・飯原順次・富永愛子・米村卓巳・山口浩司（住友電工） |
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