11月28日(木) 午前
10:30 - 17:30 |
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10:30-10:35 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:35-11:00 |
InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 |
○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨（パナソニック） |
| (2) |
11:00-11:25 |
m面GaNの異方性ドライエッチングによるテクスチャーの形成とこれによるLED光取り出し効率の向上 |
○藤田稔之・山田篤志・井上 彰・加藤 亮・横川俊哉（パナソニック） |
| (3) |
11:25-11:50 |
350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 |
○中嶋 翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大） |
| (4) |
11:50-12:15 |
内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 ～ シリコン基板への応用 ～ |
○青田奈津子・会田英雄・武田秀俊（並木精密宝石） |
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12:15-13:30 |
昼食，休憩 （ 75分 ） |
| (5) |
13:30-13:55 |
表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 |
○西田将太・梁 剣波・森本雅史・重川直輝（阪市大）・新井 学（新日本無線） |
| (6) |
13:55-14:20 |
表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 |
○梁 剣波・西田将太・森本雅史・重川直輝（阪市大） |
| (7) |
14:20-14:45 |
InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 |
○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） |
| (8) |
14:45-15:10 |
GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 |
○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） |
| (9) |
15:10-15:35 |
低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 |
○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） |
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15:35-15:50 |
休憩 （ 15分 ） |
| (10) |
15:50-16:15 |
高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 |
○前川拓也・本田善央・天野 浩・西谷智博（名大） |
| (11) |
16:15-16:40 |
MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 |
○若杉侑矢・本田善央・天野 浩（名大） |
| (12) |
16:40-17:05 |
A novel method for crystallizations of aluminum nitride |
○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.） |
| (13) |
17:05-17:30 |
トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 |
○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） |
11月29日(金) 午前
09:30 - 17:10 |
| (14) |
09:30-09:55 |
赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性 |
○荒居孝紀・若松龍太・李 東建・小泉 淳・藤原康文（阪大） |
| (15) |
09:55-10:20 |
有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 |
○桒田宗一郎・小泉 淳・藤原康文（阪大） |
| (16) |
10:20-10:45 |
加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究 |
○山下康平・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） |
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10:45-11:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (17) |
11:00-11:25 |
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 |
○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政（三重大）・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介（エア・ウォーターR&D） |
| (18) |
11:25-11:50 |
サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 |
○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） |
| (19) |
11:50-12:15 |
減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 |
○北川 慎・三宅秀人・平松和政（三重大） |
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12:15-13:30 |
昼食，休憩 （ 75分 ） |
| (20) |
13:30-13:55 |
270nm帯深紫外LEDの大面積形成 |
○美濃卓哉（理研/パナソニック）・平山秀樹（理研）・野口憲路・高野隆好・椿 健治（理研/パナソニック） |
| (21) |
13:55-14:20 |
透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現 |
○前田哲利・平山秀樹（理研） |
| (22) |
14:20-14:45 |
AlGaN系深紫外LEDの開発 |
○一本松正道・平野 光（創光科学）・天野 浩（名大）・赤崎 勇（名城大） |
| (23) |
14:45-15:10 |
高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発 |
○豊田史朗（埼玉大/理研）・平山秀樹（理研）・鎌田憲彦（埼玉大） |
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15:10-15:25 |
休憩 （ 15分 ） |
| (24) |
15:25-15:50 |
ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 |
○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大） |
| (25) |
15:50-16:15 |
ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 |
○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大） |
| (26) |
16:15-16:40 |
電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 |
○熊崎祐介・渡部晃生・谷田部然治・佐藤威友（北大） |
| (27) |
16:40-17:05 |
GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 |
○井手利英・鍛冶良作・清水三聡（産総研）・水谷研治・上野弘明・大塚信之・上田哲三・田中 毅（パナソニック） |
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17:05-17:10 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
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