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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 原 直紀 (富士通研) 副委員長 前澤 宏一 (富山大) 幹事 上田 哲三 (パナソニック)， 葛西 誠也 (北大) 幹事補佐 松永 高治 (NEC)， 鈴木 寿一 (北陸先端大) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 高野 泰 (静岡大) 副委員長 野毛 悟 (沼津高専) 幹事 圓佛 晃次 (NTT)， 佐藤 知正 (神奈川大) 幹事補佐 小舘 淳一 (NTT)， 岩田 展幸 (日大) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 松尾 慎治 (NTT) 副委員長 近藤 正彦 (阪大) 幹事 田中 有 (富士通研)， 有賀 博 (三菱電機) 日時 2013年11月28日(木) 10：30～17：30 2013年11月29日(金) 09：30～17：10 会場 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館ホール（〒565-0871 大阪府吹田市山田丘2-2．阪急電車千里線：北千里駅（終点）下車東へ徒歩約１５分，大阪モノレール：阪大病院前駅下車徒歩約５～１５分，阪急バス：・千里中央発「阪大本部前行」、「茨木美穂ヶ丘行」阪大医学部前または阪大本部前下車 徒歩約５～１５分・北千里発「阪大病院線」，近鉄バス・阪急茨木市駅発「阪大本部前行」（JR茨木駅経由）いずれも、阪大医学部前または阪大本部前下車 徒歩約５～１５分．http://www.osaka-u.ac.jp/ja/access/accessmap.html．工学研究科 電気電子情報工学専攻 近藤正彦．06-6879-7765） 議題 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 11月28日(木) 午前 （10：30～17：30） −−− 委員長挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 10:35 - 11:00 InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 ○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨（パナソニック） (2) 11:00 - 11:25 m面GaNの異方性ドライエッチングによるテクスチャーの形成とこれによるLED光取り出し効率の向上 ○藤田稔之・山田篤志・井上 彰・加藤 亮・横川俊哉（パナソニック） (3) 11:25 - 11:50 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 ○中嶋 翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大） (4) 11:50 - 12:15 内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 ～ シリコン基板への応用 ～ ○青田奈津子・会田英雄・武田秀俊（並木精密宝石） −−− 昼食，休憩 （ 75分 ） −−− (5) 13:30 - 13:55 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 ○西田将太・梁 剣波・森本雅史・重川直輝（阪市大）・新井 学（新日本無線） (6) 13:55 - 14:20 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 ○梁 剣波・西田将太・森本雅史・重川直輝（阪市大） (7) 14:20 - 14:45 InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） (8) 14:45 - 15:10 GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 ○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） (9) 15:10 - 15:35 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 ○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (10) 15:50 - 16:15 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 ○前川拓也・本田善央・天野 浩・西谷智博（名大） (11) 16:15 - 16:40 MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 ○若杉侑矢・本田善央・天野 浩（名大） (12) 16:40 - 17:05 A novel method for crystallizations of aluminum nitride ○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.） (13) 17:05 - 17:30 トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 ○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） 11月29日(金) 午前 （09：30～17：10） (14) 09:30 - 09:55 赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性 ○荒居孝紀・若松龍太・李 東建・小泉 淳・藤原康文（阪大） (15) 09:55 - 10:20 有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 ○桒田宗一郎・小泉 淳・藤原康文（阪大） (16) 10:20 - 10:45 加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究 ○山下康平・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (17) 11:00 - 11:25 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 ○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政（三重大）・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介（エア・ウォーターR&D） (18) 11:25 - 11:50 サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 ○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） (19) 11:50 - 12:15 減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 ○北川 慎・三宅秀人・平松和政（三重大） −−− 昼食，休憩 （ 75分 ） −−− (20) 13:30 - 13:55 270nm帯深紫外LEDの大面積形成 ○美濃卓哉（理研/パナソニック）・平山秀樹（理研）・野口憲路・高野隆好・椿 健治（理研/パナソニック） (21) 13:55 - 14:20 透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現 ○前田哲利・平山秀樹（理研） (22) 14:20 - 14:45 AlGaN系深紫外LEDの開発 ○一本松正道・平野 光（創光科学）・天野 浩（名大）・赤崎 勇（名城大） (23) 14:45 - 15:10 高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発 ○豊田史朗（埼玉大/理研）・平山秀樹（理研）・鎌田憲彦（埼玉大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (24) 15:25 - 15:50 ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 ○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大） (25) 15:50 - 16:15 ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 ○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大） (26) 16:15 - 16:40 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 ○熊崎祐介・渡部晃生・谷田部然治・佐藤威友（北大） (27) 16:40 - 17:05 GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 ○井手利英・鍛冶良作・清水三聡（産総研）・水谷研治・上野弘明・大塚信之・上田哲三・田中 毅（パナソニック） −−− 委員長挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎28日研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください． ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月16日(月)～17日(火) 東北大通研 [未定] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2014年1月16日(木)～17日(金)<br> (開催日変更) 機械振興会館 [11月8日(金)] テーマ：パワーデバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 2014年2月27日(木)～28日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月11日(水)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 上田 哲三（パナソニック) TEL：06-6906-4940 Fax :06-6906-2426 E-mail：      zo  pa   c 葛西 誠也（北海道大） TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004 E-mail :   irciqe  i ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2014年2月27日(木) 機械振興会館 [12月8日(日)] テーマ：電池技術関連，一般 【問合先】 佐藤 知正（神奈川大学） TEL 045-481-5661, FAX 045-491-7915 E-mail:  ut02  -u☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月13日(金) 機械振興会館 [10月14日(月)] テーマ：半導体レーザ関連技術,及び一般 2014年1月23日(木)～24日(金) 同志社大学（烏丸キャンパス） [11月1日(金)] テーマ：光-無線融合NW、新周波数（波長）帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般 【問合先】 田中 有（富士通研究所） TEL 046-250-8251, FAX 046-250-8146 E-mail:  _   有賀 博 （三菱電機） TEL 0467-41-2906，FAX 0467-41-2519 E-mail: A  Hi  abMibiElect c ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2013-09-20 23:28:30 |
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