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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

日時 2012年10月25日(木) 15:20 - 17:00
2012年10月26日(金) 09:30 - 14:15
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来情報産業研究館5F 
住所 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10 東北大学未来情報産業研究館
交通案内 http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/index.html
会場世話人
連絡先
東北大学 後藤哲也
022-795-3977
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月25日(木) 午後 
15:20 - 17:00
(1) 15:20-15:45 SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 SDM2012-89 諏訪智之寺本章伸東北大)・室 隆桂之木下豊彦高輝度光科学研究センター)・須川成利服部健雄大見忠弘東北大
(2) 15:45-16:10 AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 SDM2012-90 岡田葉月小松 新渡辺将人東京都市大)・泉 雄大室 隆圭介高輝度光科学研究センター)・澤野憲太郎野平博司東京都市大
(3) 16:10-16:35 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 SDM2012-91 永田晃基山口拓也小椋厚志明大)・小金澤智之廣澤一郎高輝度光科学研究センター)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大
(4) 16:35-17:00 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析 松田朝彦中久保義則鷹尾祥典江利口浩二斧 高一京大
  17:00-17:30 休憩 ( 30分 )
  17:30-19:30 懇親会 ( 120分 )
10月26日(金) 午前 
09:30 - 14:15
(5) 09:30-09:55 Noise Performance of Accumulation MOSFETs SDM2012-92 Philippe GaubertAkinobu TeramotoShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.
(6) 09:55-10:20 PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス SDM2012-93 中尾幸久寺本章伸黒田理人諏訪智之田中宏明須川成利大見忠弘東北大
(7) 10:20-11:50 [特別講演]シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道 SDM2012-94 大見忠弘中尾幸久黒田理人諏訪智之田中宏明須川成利東北大
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
(8) 13:00-13:25 Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator SDM2012-95 Min LiaoTokyo Inst. of Tech.)・Hiroshi IshiwaraKonkuk Univ.)・Shun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.
(9) 13:25-13:50 Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering SDM2012-96 Dae-Hee HanShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.
(10) 13:50-14:15 シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術 SDM2012-97 酒井 健吉田達朗東北大)・吉川和博東北大/アプリシアテクノロジー)・大見忠弘東北大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
特別講演発表 80 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2012-08-17 13:51:30


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