1月22日(金) 午前
10:00 - 17:15 |
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10:00-10:05 |
開会の挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:40 |
［招待講演］400万個のマイクロバンプ接続を有する1600画素3次元積層型イメージセンサの信頼性試験結果 |
○竹本良章・高澤直裕・月村光弘・齊藤晴久・近藤 亨・加藤秀樹・青木 潤・小林賢司・鈴木俊介・五味祐一・松田成介・只木芳隆（オリンパス） |
| (2) |
10:40-11:15 |
［招待講演］常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考 |
○松山英也（ソシオネクスト）・鈴木貴志・中村友二（富士通研）・塩津基樹・江原英郎（三重富士通セミコンダクター） |
| (3) |
11:15-11:35 |
Copper Thin Film Growth using Cu(I) Amidinate Precursor in Supercritical Carbon Dioxide |
○Md Rasadujjaman・Mitsuhiro Watanabe（Univ. Yamanashi）・Hiroshi Sudoh・Hideaki Machida（Gas phase growth）・Eiichi Kondoh（Univ. Yamanashi） |
| (4) |
11:35-11:55 |
BTA-H2O2溶液中におけるCu表面のその場エリプソメトリ |
○川上達也・近藤英一・渡邉満洋（山梨大）・濱田聡美・嶋 昇平・檜山浩國（荏原製作所） |
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11:55-13:00 |
昼食，休憩 （ 65分 ） |
| (5) |
13:00-13:35 |
［招待講演］低温作製された窒化物薄膜の特性 |
○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） |
| (6) |
13:35-13:55 |
ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価 |
○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚（北見工大） |
| (7) |
13:55-14:15 |
Fabrication of highly reliable Co(W) thin film by physical vapor deposition for next generation ULSI Cu interconnects |
○Taewoong Kim・Kouta Tomita・Takeshi Momose（Univ. of Tokyo）・Takaaki Tsunoda・Takayuki Moriwaki（CANON ANELVA）・Yukihiro Shimogaki（Univ. of Tokyo） |
| (8) |
14:15-14:35 |
Fabrication of Multilayer Graphene by Solid-Phase Precipitation with Current Stress |
○MD Sahab Uddin・Hiroyasu Ichikawa・Shota Sano（SIT）・Kazuyoshi Ueno（SIT/RCGI） |
| (9) |
14:35-15:10 |
［招待講演］バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層デバイス向けのウエハ薄化評価結果 |
○金 永ソク・児玉祥一・水島賢子・中村友二・前田展秀・藤本興治（東工大）・川合章仁（ディスコ）・大場隆之（東工大） |
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15:10-15:25 |
休憩 （ 15分 ） |
| (10) |
15:25-16:00 |
［招待講演］Novel reconfigured wafer-to-wafer(W2W) hybrid bonding technology using ultra-high density nano-Cu filaments for exascale 2.5D/3D integration |
○Kangwook Lee・Taksfumi Fukushima・Tetsu Tanaka・Mitsumasa Koyanagi（Tohoku Univ.） |
| (11) |
16:00-16:35 |
［招待講演］2.5D/3D TSV用実装材料技術 |
○満倉一行・牧野竜也・畠山恵一（日立化成）・Kenneth June Rebibis・Andy Miller・Eric Beyne（IMEC） |
| (12) |
16:35-17:10 |
［招待講演］印刷によるTSV形成技術の開発 ～ ナノ・ファンクション材料技術の展開 ～ |
○池田博明・関根重信・木村竜司・下川耕一・岡田圭二・進藤広明・大井達也・玉木玲衣（ナプラ）・永田 真（神戸大） |
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17:10-17:15 |
閉会の挨拶 （ 5分 ） |
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