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★集積回路研究会（ICD） 専門委員長 山村 毅 (富士通研) 副委員長 藤島 実 (広島大) 幹事 渡辺 理 (東芝) 幹事補佐 吉田 毅 (広島大)， 高宮 真 (東大)， 土谷 亮 (京大)， 範 公可 (電通大) 日時 2015年 4月16日(木) 13：00～18：00 2015年 4月17日(金) 10：00～17：00 会場 信州大学 長野（工学）キャンパス 若里総合研究棟 1F大会議室（〒380-8553 長野市若里4-17-1．http://www.shinshu-u.ac.jp/guidance/maps/map03.html#traffic） 議題 メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 4月16日(木) 午後 （13：00～14：15） 座長: 宮地 幸祐（信州大学） (1) 13:00 - 13:25 ［依頼講演］20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム ○藪内 誠・塚本康正・森本薫夫・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） (2) 13:25 - 13:50 ［依頼講演］自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM 田中信二・石井雄一郎・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中浩司・塚本康正・○新居浩二・佐藤広利（ルネサス エレクトロニクス） (3) 13:50 - 14:15 ［依頼講演］車載MCUにおける-40～170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM ○横山佳巧・石井雄一郎・福田達哉・辻橋良樹・宮西篤史（ルネサス エレクトロニクス）・朝山 忍・前川径一・柴 和利（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 4月16日(木) 午後 （14：25～18：00） 座長: 三輪 達（サンディスク） (4) 14:25 - 15:15 ［招待講演］車載用途200MHz高速読出し動作および書込みスループット2.0MB/sを達成した28nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発発 ○棟安 誠・帯刀恭彦・中野全也・伊藤 孝・河野隆司・野口健二・日高秀人・山内忠昭（ルネサス エレクトロニクス） (5) 15:15 - 16:05 ［招待講演］アーカイブとエンタープライズストレージに向けた高信頼TLC NANDフラッシュソリッド・ステート・ドライブ ○蜂谷尚悟・田中丸周平・德冨 司・土井雅史・北村雄太・山﨑泉樹・小林惇朗・竹内 健（中大） (6) 16:05 - 16:30 ［依頼講演］A Low-Power 64Gb MLC NAND-Flash Memory in 15nm CMOS Technology ○Mario Sako・Takao Nakajima・Junpei Sato・Kazuyoshi Muraoka・Masaki Fujiu・Fumihiro Kono・Michio Nakagawa・Masami Masuda・Koji Kato・Yuri Terada・Yuki Shimizu・Mitsuaki Honma・Yoshinao Suzuki・Yoshihisa Watanabe（Toshiba）・Ryuji Yamashita（SanDisk） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (7) 16:40 - 18:00 ［パネル討論］クラウド時代の半導体メモリー技術 ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・宮地幸祐（信州大）・高野了成（産総研）・高木健誠・三輪 達（サンディスク） 4月17日(金) 午前 （10：00～11：40） 座長: 渡邊 大輔（アドバンテスト） (8) 10:00 - 10:50 ［招待講演］Ge欠損系超格子を用いたTopological switching random access memory (TRAM) ○高浦則克（超低電圧デバイス技研組合） (9) 10:50 - 11:40 ［招待講演］Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ ○松嵜隆徳・大貫達也・長塚修平・井上広樹・石津貴彦・家田義紀・坂倉真之・熱海知昭・塩野入 豊・加藤 清・奥田 高・山元良高（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・小山 潤・山崎舜平（半導体エネルギー研） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 4月17日(金) 午後 （12：40～14：45） 座長: 永田 恭一（マイクロンメモリジャパン） (10) 12:40 - 13:30 ［招待講演］キャッシュメモリ向け垂直磁化型STT-MRAMの低電力化技術 ○野口紘希・池上一隆・櫛田桂一・安部恵子・板井翔吾・高谷 聡・田中千加・鎌田親義・天野 実・北川英二・下村尚治・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） (11) 13:30 - 13:55 ［依頼講演］A 2.4 pJ Ferroelectric-Based Non-Volatile Flip-Flop with 10-Year Data Retention Capability ○Hiromitsu Kimura・Takaaki Fuchikami・Kyoji Marumoto・Yoshikazu Fujimori（ROHM）・Shintaro Izumi・Hiroshi Kawaguchi・Masahiko Yoshimoto（Kobe Univ.） (12) 13:55 - 14:45 ［チュートリアル講演］不揮発ロジックインメモリアーキテクチャとその低電力VLSIシステムへの応用 ○羽生貴弘・鈴木大輔・望月 明・夏井雅典・鬼沢直哉（東北大）・杉林直彦（NEC）・池田正二・遠藤哲郎・大野英男（東北大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 4月17日(金) 午後 （14：55～17：00） 座長: 三浦 典之（神戸大学） (13) 14:55 - 15:45 ［招待講演］An 1800-Times-Higher Power-Efficient 20k-spin Ising Chip for Combinatorial Optimization Problem with CMOS Annealing ○Masanao Yamaoka・Chihiro Yoshimura・Masato Hayashi・Takuya Okuyama・Hidetaka Aoki・Hiroyuki Mizuno（Hitachi） (14) 15:45 - 16:35 ［招待講演］伝送線路型結合器を用いた非接触メモリインタフェース ○小菅敦丈・門本淳一郎・黒田忠広（慶大） (15) 16:35 - 17:00 ［依頼講演］位相分割多重コイルを用いたプロセッサ-メモリ間誘導結合インタフェース ○竹 康宏・黒田忠広（慶大） 招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分 チュートリアル講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分 一般講演（依頼講演）：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎研究会1日目終了後，懇親会を予定していますので御参加ください。 ☆ICD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 5月11日(月)～13日(水) 北九州国際会議場 テーマ：LSIとシステムのワークショップ2015 6月25日(木) 東工大 テーマ：第40回アナログRF研究会 7月2日(木)～3日(金) 防衛大学校 [5月8日(金)] テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路 【問合先】 ICD幹事補佐：高宮 真（東京大学） m   iis u-  Last modified: 2015-03-18 03:20:59 |
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