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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 奈良 安雄 副委員長 大野 裕三 (筑波大) 幹事 笹子 佳孝 (日立) 幹事補佐 黒田 理人 (東北大) 日時 2013年10月17日(木) 14：00～19：00 2013年10月18日(金) 09：30～14：30 会場 東北大学未来情報産業研究館5F（〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10 東北大学未来情報産業研究館．http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/index.html．東北大学 黒田 理人．022-795-3977） 議題 プロセス科学と新プロセス技術 10月17日(木) 午後 （14：00～19：00） (1) 14:00 - 14:50 ［招待講演］SiCパワーデバイスの開発動向 ○四戸 孝（東芝） (2) 14:50 - 15:20 Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110) ○Nithi Atthi・Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (3) 15:40 - 16:10 Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） (4) 16:10 - 16:40 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 ○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− −−− 懇親会 （ 120分 ） −−− 10月18日(金) 午前 （09：30～14：30） (5) 09:30 - 10:00 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード ○幸田安真・黒田理人・中尾幸久・須川成利（東北大） (6) 10:00 - 10:30 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 ○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大） (7) 10:30 - 11:00 バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大） (8) 11:00 - 11:30 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ～ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ～ ○江利口浩二・松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・斧 高一（京大） −−− 昼食 （ 90分 ） −−− (9) 13:00 - 13:30 積層型不揮発性メモリの設計法 ○渡辺重佳（湘南工科大） (10) 13:30 - 14:00 プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 亀井政幸・中久保義則・鷹尾祥典・○江利口浩二・斧 高一（京大） (11) 14:00 - 14:30 MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 ○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大） 一般講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月14日(木)～15日(金) 機械振興会館 [9月9日(月)] テーマ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 12月13日(金) 奈良先端科学技術大学院大学 [10月11日(金)] テーマ：シリコン関連材料の作製と評価 2014年1月29日(水) 機械振興会館 テーマ：先端CMOSデバイス・プロセス技術（IEDM特集） 2014年1月 [未定] 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4835 E-mail:     fff   e   Last modified: 2013-08-19 15:10:12 |
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