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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

日時 2013年10月17日(木)　14:00 - 19:00
2013年10月18日(金)　09:30 - 14:30
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来情報産業研究館5F 
住所 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10 東北大学未来情報産業研究館
交通案内 http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/index.html
会場世話人
連絡先		 東北大学 黒田 理人
022-795-3977
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月17日(木) 午後 
14:00 - 19:00
(1) 14:00-14:50 ［招待講演］SiCパワーデバイスの開発動向 SDM2013-88 ○四戸　孝（東芝）
(2) 14:50-15:20 Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110) SDM2013-89 ○Nithi Atthi・Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
  15:20-15:40 休憩　（ 20分 ）
(3) 15:40-16:10 Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering SDM2013-90 ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
(4) 16:10-16:40 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 SDM2013-91 ○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）
  16:40-17:00 休憩　（ 20分 ）
  17:00-19:00 懇親会　（ 120分 ）
10月18日(金) 午前 
09:30 - 14:30
(5) 09:30-10:00 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード SDM2013-92 ○幸田安真・黒田理人・中尾幸久・須川成利（東北大）
(6) 10:00-10:30 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 SDM2013-93 ○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大）
(7) 10:30-11:00 バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 SDM2013-94 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地　宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大）
(8) 11:00-11:30 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ～ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ～ SDM2013-95 ○江利口浩二・松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・斧　高一（京大）
  11:30-13:00 昼食　（ 90分 ）
(9) 13:00-13:30 積層型不揮発性メモリの設計法 SDM2013-96 ○渡辺重佳（湘南工科大）
(10) 13:30-14:00 プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 SDM2013-97 亀井政幸・中久保義則・鷹尾祥典・○江利口浩二・斧　高一（京大）
(11) 14:00-14:30 MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 SDM2013-98 ○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大）

講演時間
一般講演発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4835
E--mail: fffe 


Last modified: 2013-08-19 15:10:12


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