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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大), 小野 行徳 (NTT)

日時 2009年10月29日(木) 14:00 - 19:45
2009年10月30日(金) 09:30 - 16:15
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来情報産業研究館 
住所 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10
交通案内 http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/index.html
会場世話人
連絡先
東北大学未来科学技術共同研究センター 後藤哲也
022-795-3977
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月29日(木) 午後 
14:00 - 19:45
(1) 14:00-14:30 n+-、p+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ SDM2009-117 中尾幸久黒田理人田中宏明寺本章伸須川成利大見忠弘東北大
(2) 14:30-15:00 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 SDM2009-118 高 峻石川純平大見俊一郎東工大
(3) 15:00-15:30 ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成 SDM2009-119 佐野貴洋大西峻人大見俊一郎東工大
(4) 15:30-16:00 3次元チップ積層のためのウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術 SDM2009-120 吉川和博大橋朋貢吉田達朗根本剛直大見忠弘東北大
  16:00-16:15 休憩 ( 15分 )
(5) 16:15-16:45 Tribological Study for Low Shear Force CMP Process on Damascene Interconnects SDM2009-121 Xun GuTakenao NemotoTohoku Univ.)・Yasa Adi SampurnoUniv. of Arizona/Araca,Inc.)・Jiang ChengSian ThengAraca,Inc.)・Akinobu TeramotoTohoku Univ.)・Ricardo Duyos MateoLeonard BoruckiAraca,Inc.)・Yun ZhuangAra PhilipossianUniv. of Arizona/Araca,Inc.)・Shigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.
(6) 16:45-17:15 SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 SDM2009-122 阿部俊幸田主裕一朗黒木伸一郎小谷光司伊藤隆司東北大
(7) 17:15-17:45 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 SDM2009-123 藤澤孝文阿部健一渡部俊一宮本直人寺本章伸須川成利大見忠弘東北大
  17:45-19:45 懇親会 ( 120分 )
10月30日(金) 午前 
09:30 - 16:15
(8) 09:30-10:00 ルミネッセンス計算化学による共役系高分子中のキャリア移動の解析 SDM2009-124 山下 格芹澤和実大沼宏彰鈴木 愛三浦隆治坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
(9) 10:00-10:30 プラズマディスプレイ用電極保護膜の高性能化に向けた計算機シミュレーション SDM2009-125 芹澤和実大沼宏彰東北大)・菊地宏美東北大/広島大)・末貞和真北垣昌規広島大)・山下 格鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司東北大)・梶山博司広島大)・宮本 明東北大
(10) 10:30-11:00 量子化学計算とQSPR法とによるEu2+付活蛍光体の発光ピーク波長予測 SDM2009-126 大沼宏彰山下 格芹澤和実鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
(11) 11:00-11:30 Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures SDM2009-127 Young-Uk SongShun-ichiro OhmiHiroshi IshiwaraTokyo Inst. of Tech.
(12) 11:30-12:00 ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化 SDM2009-128 田主裕一朗河野陽輔黒木伸一郎小谷光司東北大)・村 直美山上公久古村雄二フィルテック)・伊藤隆司東北大
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
(13) 13:00-13:30 SiO2膜におけるRIEダメージの修復 SDM2009-129 川田宣仁永嶋賢史市川 徹赤堀浩史東芝
(14) 13:30-14:00 Low frequency noise in Si(100) and Si(110) p-channel MOSFETs SDM2009-130 Philippe GaubertAkinobu TeramotoTadahiro OhmiTohoku Univ.
(15) 14:00-14:30 低温形成SiO2膜の電気的特性向上に関する検討 SDM2009-131 永島幸延赤堀浩史東芝
  14:30-14:45 休憩 ( 15分 )
(16) 14:45-15:15 原子レベルでの半導体単結晶表面の湿式エッチング過程 SDM2009-132 板谷謹悟小林慎一郎文 鋭湊 丈俊東北大
(17) 15:15-15:45 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面酸窒化シミュレーション SDM2009-133 坪井秀行鈴木 愛畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
(18) 15:45-16:15 ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 SDM2009-134 諏訪智之寺本章伸大見忠弘服部健雄東北大)・木下豊彦室隆桂之加藤有香子高輝度光科学研究センター

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-: HiAniny 


Last modified: 2009-08-25 13:41:25


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