11月25日(金) 午前 10:10 - 11:30 |
(1) |
10:10-10:50 |
[招待講演]低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの信頼性評価技術 |
○浦岡行治・冬木 隆(奈良先端大) |
(2) |
10:50-11:30 |
[招待講演]有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 ~ 低温触媒CVD装置の開発 ~ |
○部家 彰(兵庫県立大)・南川俊治(石川工試)・仁木敏一・南 茂平(石川製作所)・増田 淳・梅本宏信(北陸先端大)・松尾直人(兵庫県立大)・松村英樹(北陸先端大) |
11月25日(金) 午後 13:10 - 16:20 |
(3) |
13:10-13:35 |
Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発 |
○寺本章伸・渡辺一史・黒田理人(東北大)・三富士道彦・山葉隆久(ローム)・須川成利・大見忠弘(東北大) |
(4) |
13:35-14:00 |
SOIウェーハの非接触電気特性評価 |
○宇野良平・吉田晴彦・佐藤真一(兵庫県立大) |
(5) |
14:00-14:25 |
Scan チェーンを活用した故障部位特定手法とその解析事例 |
○片岡 武・渡部尚数・河南 靖・田中雅二(松下電器) |
(6) |
14:25-14:50 |
動作電流密度2mA/um2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT |
○深井佳乃・栗島賢二・井田 実・山幡章司・榎木孝知(NTT) |
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14:50-15:05 |
休憩 ( 15分 ) |
(7) |
15:05-15:30 |
GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化 |
○野上洋一・日坂隆行・吉田直人(三菱電機) |
(8) |
15:30-15:55 |
水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価 |
○須田将之(都立大)・中村成志・須原理彦・奥村次徳(都立大/首都大東京) |
(9) |
15:55-16:20 |
ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおけるの異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討 |
○葛西誠也・小谷淳二・長谷川英機・橋詰 保(北大) |