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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター) 副委員長 大野 裕三 (東北大) 幹事 野村 晋太郎 (筑波大)， 笹子 佳孝 (日立) 日時 2012年 6月21日(木) 09：00～18：00 会場 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー ３階 ベンチャーホール（〒464-8603 愛知県名古屋市千種区不老町．地下鉄 名城線 名古屋大学駅から徒歩5分．http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html．名古屋大学大学院工学研究科 電子情報システム専攻 宮崎誠一．052-789-3588） 議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 6月21日(木) 午前 （09：00～18：00） (1) 09:00 - 09:20 Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価 ○福嶋太紀（名大）・大田晃生（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大） (2) 09:20 - 09:40 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価 ○淺田遼太・Pham Phu Thanh Son・Kokate Nishad Vasant・吉川 純・竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） (3) 09:40 - 10:00 Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 ○池田弥央（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大） (4) 10:00 - 10:20 リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製 ○上武央季（奈良先端大/JST）・小原孝介（奈良先端大）・上沼睦典・鄭 彬・石河泰明（奈良先端大/JST）・山下一郎（奈良先端大/JST/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/JST） (5) 10:20 - 10:40 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価 ○箕浦佑也・糟谷篤志・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (6) 10:55 - 11:15 Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） (7) 11:15 - 11:35 TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御 ○村上秀樹・三嶋健斗・大田晃生・橋本邦明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） (8) 11:35 - 11:55 ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） (9) 11:55 - 12:15 TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） (10) 12:15 - 12:35 (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価 ○木村将之（芝浦工大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦・成島利弘・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (11) 13:35 - 13:55 第一原理計算によるGe表面でのドーパント不純物偏析挙動の解析 ○飯島郁弥・澤野憲太郎（東京都市大）・牛尾二郎（日立）・丸泉琢也・白木靖寛（東京都市大） (12) 13:55 - 14:15 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御 ○大田晃生・松井真史・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） (13) 14:15 - 14:35 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） −−− 小休憩 （ 10分 ） −−− (14) 14:45 - 15:05 As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析 ○小野貴寛・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） (15) 15:05 - 15:30 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大） (16) 15:30 - 15:55 エピタキシャルNiSi2ソース／ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減 ○水林 亘・右田真司・森田行則・太田裕之（産総研） (17) 15:55 - 16:20 シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 ～ 熱酸化過程での偏析挙動 ～ ○深田直樹（物質・材料研究機構）・滝口 亮・石田慎哉・横野茂樹（筑波大）・関口隆史（物質・材料研究機構）・村上浩一（筑波大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (18) 16:35 - 16:55 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） (19) 16:55 - 17:15 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性 ○入沢寿史・小田 穣・手塚 勉（産総研） (20) 17:15 - 17:40 TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用 ○山本圭介・井餘田昌俊・王 冬・中島 寛（九大） (21) 17:40 - 18:00 ダイヤモンド半導体/金属界面の電気特性制御 ～ p型・n型ダイヤモンドの現状と課題 ～ ○松本 翼（筑波大）・加藤宙光・小倉政彦・竹内大輔・牧野俊晴・大串秀世・山崎 聡（産総研） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 奨励講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 共催 ◎研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください． ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月27日(水)～29日(金) 沖縄県青年会館 [4月20日(金)] テーマ：2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ 8月2日(木)～3日(金) 札幌市男女共同参画センター [5月14日(月)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o          Last modified: 2012-04-13 15:04:18 |
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