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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 橋詰 保 (北大) 副委員長 加地 徹 (豊田中研) 幹事 原 直紀 (富士通研)， 津田 邦男 (東芝) 幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京)， 上田 哲三 (パナソニック) ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大) 副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス) 幹事 小野 行徳 (NTT)， 大西 克典 (九工大) 幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大) 日時 2010年 6月30日(水) 09：40～17：30 2010年 7月 1日(木) 09：30～13：05 2010年 7月 2日(金) 09：30～16：50 会場 東京工業大学 大岡山キャンパス（〒152-8550 東京都目黒区大岡山2-12-1．東京急行 大井町線・目黒線 大岡山駅下車 徒歩１分．http://www.titech.ac.jp/about/campus/index.html．大学院理工学研究科 宮本 恭幸．03-5734-2572） 議題 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) −−− 委員長挨拶 （ 10分 ） −−− 6月30日(水) 午前 -Plenary Session 1- （09：40～10：30） (1) 09:40 - 10:20 ［基調講演］Challenge for electromechanical logic systems using compound semiconductor heterostructures ○Hiroshi Yamaguchi・Imran Mahboob・Hajime Okamoto・Koji Onomitsu（NTT） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 6月30日(水) 午前 -Session 1A : Emerging Device Technology 1- （10：30～14：25） (1) 10:30 - 10:55 ［招待講演］Nano-Electromechanical (NEM) Nonvolatile Memory for Low-Power Electronics ○Woo Young Choi（Sogang Univ.） (2) 10:55 - 11:20 ［招待講演］Dual-gate ZnO thin-film transistors with SiNx as Dielectric Layer Young Su Kim・Min Ho Kang（National Nanofab Center）・Kang Suk Jeong（Chungnam National Univ.）・Jae Sub Oh・Dong Eun Yoo（National Nanofab Center）・Hi Deok Lee・○Ga-Won Lee（Chungnam National Univ.） (3) 11:20 - 11:45 ［招待講演］Piezoelectric material based passive RFID tags ○Hyunchul Bae・Jaekwon Kim・Jinwook Burm（Sogang Univ.） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (4) 12:00 - 12:25 ［招待講演］Low-temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for SiGe Based Spintransistors ○Masanobu Miyao（Kyushu Univ.）・Kohei Hamaya（Kyushu Univ./JST） (5) 12:25 - 12:50 ［招待講演］Toward high-efficiency thin-film solar cells using semiconducting BaSi2 ○Takashi Suemasu・Mitsutaka Saito・Atsushi Okada・Katsuaki Tou・Ajimal Khan（Univ. of Tsukuba.）・Noritaka Usami（Tohoku Univ.） (6) 12:50 - 13:15 ［招待講演］Applications of Smart Cut(TM) Technologies to III-V Based Engineered Substrates ○Makoto Yoshimi（Soitec） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− 6月30日(水) 午後 -Session 2A : Memory 1- （14：25～15：40） (1) 14:25 - 14:40 A New Cone-Type 1T DRAM Cell ○Gil Sung Lee・Doo-Hyun Kim・Jang-Gn Yun・Jung Hoon Lee・Yoon Kim・Jong-Ho Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） (2) 14:40 - 14:55 Dependence of Ag film thickness on Formation of Ag Nano-crystals to Fabricate Polymer Nonvolatile Memory ○Jong-Dae Lee・Hyun-Min Seung・Kyoung-Cheol Kwon・Jea-Gun Park（Hanyang Univ.） (3) 14:55 - 15:10 The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure ○Guobin Wei・Yuta Goto・Akio Ohta・Katsunori Makihara・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） (4) 15:10 - 15:25 Threshold Voltage Roll-off Mechanisms in SONOS Flash Memory in Retention Mode Including Trapped Charge Redistribution Effect ○Doo-Hyun Kim・Gil Sung Lee・Seongjae Cho・Jung Hoon Lee・Jang-Gn Yun・Dong Hua Li・Yoon Kim・Se Hwan Park・Won Bo Shim・Wandong Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 6月30日(水) 午後 -Session 3A : Emerging Device Technology 2- （15：40～17：25） (1) 15:40 - 15:55 Vertical Organic Field Effect Transistors with an Additional Gate Insulation Structure between Active Layer and Gate Electrode ○Donghyun Kim・Jaewook Jeong・Yongtaek Hong（Seoul National Univ.） (2) 15:55 - 16:10 Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer ○Young uk Song・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） (3) 16:10 - 16:25 Fundamental oscillations at ~900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures ○Safumi Suzuki・Kiyohito Sawada・Atsushi Teranishi・Masahiro Asada（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroki Sugiyama・Haruki Yokoyama（NTT） (4) 16:25 - 16:40 Analysis of low loss and wideband characteristics for monolithic isolators using resonant tunneling diodes ○Nobuhiko Tanaka・Mitsufumi Saito・Michihiko Suhara（Tokyo Metro. Univ.） (5) 16:40 - 16:55 Investigation of Abnormal Drain Current Increase of Tunneling Field-Effect Transistors ○Min Jin Lee・Woo Younhg Choi（Sogang Univ.） (6) 16:55 - 17:10 A design of Novel IGBT with Oblique Trench Gate Juhyun Oh・Dae Hwan Chun（Koria Univ.）・Eui Bok Lee（Koria Univ./KIST）・○Young Hwan Kim・Chun Keun Kim（KIST）・Byeong Kwon Ju・Man Young Sung（Koria Univ.）・Yong Tae Kim（KIST） (7) 17:10 - 17:25 Electrical Characteristics of Atomic Layer Deposited Tungsten Nitride Diffusion Barrier for Cu Interconnects ○Yong Tae Kim（KIST）・Eui Bok Lee（Koria Univ./KIST）・Young Hwan Kim・Chun Keun Kim（KIST）・Byeong Kwon Ju（Koria Univ.） 6月30日(水) 午後 -Session 2B : Graphene and ?-?s- （14：25～16：30） (1) 14:25 - 14:50 ［招待講演］Synthesis of wafer scale graphene layer for future electronic devices ○Byung Jin Cho・Jeong Hun Mun（KAIST） (2) 14:50 - 15:15 ［招待講演］Graphene channel FET: A New Candidate for High-Speed Devices ○Tetsuya Suemitsu（Tohoku Univ.） (3) 15:15 - 15:30 Deoxyribonucleic Acid Sensitive Graphene Field-Effect Transistors ○J. S. Hwang・H. T. Kim（Korea Univ.）・J. H. Lee・D. M. Whang（Korea Univ./Sungkyunkwan Univ.）・S. W. Hwang（Korea Univ.） (4) 15:30 - 15:45 Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires ○Naoaki Takebe・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Yasuyuki Miyamoto・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） (5) 15:45 - 16:00 Reliability study on the emitter-base junction for high-speed sub-micron InP HBTs ○Yoshino K. Fukai・Kenji Kurishima・Norihide Kashio・Shoji Yamahata（NTT Photonics Labs.） (6) 16:00 - 16:15 Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices ○Hiroyuki Okazaki・Taketomo Sato・Naoki Yoshizawa・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 6月30日(水) 午後 -Session 3B : High Speed and High Frequency Applications 1- （16：30～17：30） (1) 16:30 - 16:45 50-Gbit/s MUX/DEMUX IC modules using feed-trough type metal-wall package technique ○Satoshi Tsunashima・Michihiro Hirata・Koichi Murata（NTT Corp.） (2) 16:45 - 17:00 94-GHz Monolithic Down-Converter for FMCW Radar Sensor using Metamorphic HEMTs ○Yong-Hyun Baek・Sang-Jin Lee・Tae-Jong Baek・Seok-Gyu Choi・Min Han・Dong-Sik Ko・Jin-Koo Rhee（Dongguk Univ.） (3) 17:00 - 17:15 A Sub-Harmonic RF Transmitter Architecture with Simultaneous Power Combination and LO Leakage Cancellation ○Bongsub Song（Sogang Univ.）・Dohyung Kim（Samsung Electronics）・Jinwook Burm（Sogang Univ.） (4) 17:15 - 17:30 RF Interconnect Technology for On-Chip and Off-Chip Communication ○Jongsun Kim（Hongik Univ.）・B. Byun・M.Frank Chang（Univ. of California） 7月1日(木) 午前 -Plenary Session 2- （09：30～10：20） (1) 09:30 - 10:10 ［基調講演］Future perspective for the mainstream CMOS technology and their contribution to green technologies ○Hiroshi Iwai（Tokyo Inst. of Tech.） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 7月1日(木) 午前 -Session 4A : Channel Engineering- （10：20～11：50） (1) 10:20 - 10:45 ［招待講演］High Transport Si/SiGe Heterostructures for CMOS Transistors with Orientation and Strain Enhanced Mobility ○Jungwoo Oh・J. Huang・I. Ok・S. H. Lee・P. D. Kirsch・R. Jammy・Hi-Deok Lee（SEMATECH） (2) 10:45 - 11:10 ［招待講演］III-V/Ge CMOS technologies and heterogeneous integrations on Si platform ○Shinichi Takagi・Mitsuru Takenaka（Univ. of Tokyo.） (3) 11:10 - 11:35 ［招待講演］Stress and Surface Orientation Engineering in Scaled CMOSFETs Considering High-Field Carrier Transport ○Masumi Saitoh・Yukio Nakabayashi（Toshiba）・Ken Uchida（Tokyo Inst. of Tech.）・Toshinori Numata（Toshiba） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 7月1日(木) 午前 -Session 5A : Emerging Device Technology 3- （11：50～13：05） (4) 11:50 - 12:15 ［招待講演］Si single-dopant devices and their characterization ○Michiharu Tabe・Daniel Moraru・Earfan Hamid・Miftahul Anwar・Arief Udhiarto・Ryusuke Nakamura・Sakito Miki・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.） (5) 12:15 - 12:40 ［招待講演］Investigation on fabrication of nanoscale patterns using laser interference lithography ○Jinnil Choi・Jung Ho・Ki-Young Dong・Eun-Mi Park・Byeong-Kwon Ju（Korea Univ.） (6) 12:40 - 13:05 ［招待講演］Bottom-up synthesis of metal-free elementary semiconductor nanowires ○Dongmok Whang（Sungkyunkwan Univ.）・Sung Woo Hwang（Koria Univ.） 7月2日(金) 午前 -Session 6A : TFTs and Sensors- （09：30～11：15） (1) 09:30 - 09:45 Fabrication of Oxide Thin Film Transistor based on SOG dielectric and solution ZnO ○Jung Ho Park・Jinnil Choi・Seongpil Chang・Ki-Young Dong・Eun-Mi Park・Byeong-Kwon Ju（Univ. of Korea） (2) 09:45 - 10:00 Device Simulation of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film transistors with various interfacial Dielectric layers ○Hyo-seong Seong・Ji-hoon Son・Woo-sung Kim・Hong-seung Kim（Korea Maritime Univ.）・Woo-seok Cheong（ETRI）・Nak-won Jang（Korea Maritime Univ.） (3) 10:00 - 10:15 Acivation behaviour for doped Si films after laser or furnace annealing Takashi Noguchi・○Toshiharu Suzuki（Univ. of Ryukyus） (4) 10:15 - 10:30 Strain effects in resistor stress sensor fabricated on (001) silicon and their influences on the determination of piezoresistive coefficients ○Chun-Hyung Cho・Ho-Young Cha（Hongik Univ.） (5) 10:30 - 10:45 Fabrication of gas sensor using pd doped SnO2 nanotubes ○Ki-Young Dong・In-Sung Hwang・Dae-Jin Ham・Jinnil Choi・Jung-Ho Park・Jong-Heun Lee・Byeong-Kwon Ju（Korea Univ.） (6) 10:45 - 11:00 Analysis of Transfer Gate in CMOS Image Sensor ○Seonghyung Park・Hyuk-Min Kwon・Jung-Deuk Bok・In-Shik Han・Woonil Choi・Hi-Deok Lee（Chungnam National Univ） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 7月2日(金) 午前 -Session 7A : Gate Oxides- （11：15～14：15） (1) 11:15 - 11:30 Interaction of bis-diethylaminosilane with hydroxylized Si (001) surface for SiO2 thin-film growth using density functional theory ○Seung-Bin Baek・Dae-Hee Kim（Korea Univ. of Tech. and Edu.）・Yong-Chan Jeong（ASM Genitech）・Yeong-Cheol Kim（Korea Univ. of Tech. and Edu.） (2) 11:30 - 11:45 Electrical and structural properties of metal oxide semiconductor (MOS) devices with Pt/Ta2O5 gate stacks ○Hoon-Ki Lee・Jagadeesh Chandra・Kyu-Hwan Shim（Chonbuk National Univ.）・Hyung-Joong Yun・Jouhahn Lee（KBSI）・Chel-Jong Choi（Chonbuk National Univ.） (3) 11:45 - 12:00 Modulation of PtSi work function by alloying with low work function metal ○Jun Gao・Jumpei Ishikawa・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） (4) 12:00 - 12:15 The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter ○Takeshi Sasaki・Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） (5) 12:15 - 12:30 High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） (6) 12:30 - 12:45 Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities ○Akio Ohta・Daisuke Kanme・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） (7) 12:45 - 13:00 Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET ○Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） −−− 昼食 （ 75分 ） −−− 7月2日(金) 午後 -Session 8A : Memory 2- （14：15～16：50） (1) 14:15 - 14:40 ［招待講演］High-k materials and poly-Si nanowires in nonvolatile memory for 3D flash memory and display panel applications ○Yung-Chun Wu・Min-Feng Hung・Jiang-Hung Chen・Lun-Chun Chen・Ji-Hong Jiang（National Tsing Hua Univ. Taiwan） (2) 14:40 - 15:05 ［招待講演］A Single Element Phase Transition Memory Sang-Hyeon Lee・○Moonkyung Kim（Cornell Univ.）・Byung-ki Cheong（KIST）・Jooyeon Kim（Ulsan College）・Jo-Won Lee（National Program for Tera-level Nano Devices, Korea）・Sandip Tiwari（Cornell Univ.） (3) 15:05 - 15:20 Impact of Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (4) 15:35 - 15:50 Independent Gate Twin-bit SONOS Flash Memory with Split-gate Effect ○Yoon Kim・Jang-Gn Yun・Jung Hoon Lee・Gil Sung Lee・Se Hwan Park・Jong-Ho Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） (5) 15:50 - 16:05 Theoretical Study of the Hydrogen Effect on the Program/Erase Cycle of MONOS-Type Memories Akira Otake・○Keita Yamaguchi・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.） (6) 16:05 - 16:20 The optimum physical targets of the 3-dimensional vertical FG NAND flash memory cell arrays with the extended sidewall control gate (ESCG) structure ○Moon-Sik Seo（Tohoku Univ.）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） (7) 16:20 - 16:35 New Method for Evaluating the Scaling Trend of Nano-Electro-Mechanical (NEM) Nonvolatile Memory Cells ○Seung Hyeun Roh・Woo Young Choi（Sogang Univ.） −−− 休憩 （ 5分 ） −−− −−− 委員長挨拶 （ 10分 ） −−− 7月2日(金) 午前 -Session 6B : Wide Bandgap Materials and Devices, Power Devices- （09：30～11：35） (1) 09:30 - 09:55 ［招待講演］Development of Low on-resistance SiC Trench MOSFET and other SiC power devices ○Yuki Nakano・Ryota Nakamura・Katsuhisa Nagao・Takashi Nakamura・Hidemi Takasu（ROHM） (2) 09:55 - 10:10 Effects of Field Plate and Buried Gate Structures on Silicon Carbide Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors ○Jaegil Lee・Chun-Hyung Cho・Ho-Young Cha（Hongik Univ.） (3) 10:10 - 10:35 ［招待講演］InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD ○Makoto Miyoshi・Shigeaki Sumiya・Mikiya Ichimura・Tomohiko Sugiyama・Sota Maehara・Mitsuhiro Tanaka（NGK）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） (4) 10:35 - 10:50 A comparative study on AlGaN/GaN based HEMT and MIS-HEMT with Al2O3 as gate dielectric ○Joseph Freedsman・Arata Watanabe・Lawrence Selvaraj・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） (5) 10:50 - 11:05 Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE ○Kimihito Ooyama（Hokkaido Univ./SMM）・Katsuya Sugawara（Hokkaido Univ.）・Hiroyuki Taketomi・Hideto Miyake・Kazumasa Hiramatsu（Mie Univ.）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ./JST） (6) 11:05 - 11:20 Characteristics of GaN p-n diode with damage layer induced by ICP plasma process ○Tsutomu Uesugi・Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs.）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 7月2日(金) 午前 -Session 7B : Si IC and Circuit Technology- （11：35～14：15） (1) 11:35 - 11:50 The Impact of Current Controlled-MOS Current Mode Logic /Magnetic Tunnel Junction Hybrid Circuit for Stable and High-speed Operation ○Tetsuo Endoh・Masashi Kamiyanagi・Masakazu Muraguchi・Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki（Tohoku Univ.） (2) 11:50 - 12:05 Verification of Stable Circuit Operation of 180nm Current Controlled MOS Current Mode Logic under Threshold Voltage Fluctuation ○Masashi Kamiyanagi・Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） (3) 12:05 - 12:20 A Non-snapback NMOS ESD Clamp Circuit using Gate-Coupled Scheme with Isolated Well in a Bipolar-CMOS-DMOS Process ○Jae-Young Park・Dae-Woo Kim・Young-San Son・Jong-Chan Ha・Jong-Kyu Song・Chang-Soo Jang・Won-Young Jung（Dongbu HiTek） (4) 12:20 - 12:35 A Precision Floating-Gate Mismatch Measurement Technique for Analog Applications ○Won-Young Jung・Jong Min Kim・Jin-Soo Kim・Taek-Soo Kim（Dongbu HiTek） (5) 12:35 - 12:50 A Physical-Based Modeling for Accurate Wide-Width LDMOS ○Won-Young Jung・Jong-Sub Lee・Eun-Jin Kim・Ki-Jung Park・San-Hun Kwak・Jin-Soo Kim・Taek-Soo Kim（Dongbu HiTek） (6) 12:50 - 13:05 Over 1GHz High-Speed Current Pulse Generation Circuit for Novel Nonvolatile Memory Cells ○Tetsuo Endoh・Yasuhiko Suzuki・Takuya Imamoto・Hyoungjun Na（Tohoku Univ.） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− 7月2日(金) 午後 -Session 8B : High Speed and High Frequency Applications 2- （14：15～15：30） (7) 14:15 - 14:30 A V-band Common-Source Low Noise Amplifier in 0.13 μm RFCMOS Technology ○Sung-Jin Kim・Dong-Hyun Kim・Jae-Sung Rieh（Korea Univ.） (8) 14:30 - 14:45 A 0.18 um CMOS process 10-PAM transceiver for 10 Gigabit Ethernet ○Nayeon Cho・J K Jeong・J J Lee・J Burm（Sogang Univ.） (9) 14:45 - 15:00 A Switched-Capacitor Integrator Using Dynamic Source-Follower Amplifiers ○Ryoto Yaguchi・Fumiyuki Adachi・Takao Waho（Sophia Univ.） (10) 15:00 - 15:15 A Basic Study on RF Characteristics of Short Wavelength Comb-type Transmission Line on MMIC ○Jang-Hyeon Jeong・Young-Bae Park・Bo-Ra Jung・Jeong-Gab Ju・Eui-Hoon Jang・Chi-Hong Min・Seong-Il Hong・Suk-Youb Kang・Hong Seung Kim・Young Yun（Korea Maritime Univ.） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 7月2日(金) 午後 -Session 9B : Nano-Scale devices and Physics- （15：30～16：40） (1) 15:30 - 15:45 High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance ○Yukihisa Nakao・Rihito Kuroda・Hiroaki Tanaka・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） (2) 15:45 - 16:00 Study on Impurity Distribution Dependence of Electron-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） (3) 16:00 - 16:15 Characteristic of Dual-Gate Single Electron Transistor (DG-SET) with extended channel using shallow doping and sidewall patterning for suppressing MOS current ○Joung-eob Lee・Kwon-Chil Kang・Jung Han Lee・Kim Kyung Wan・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） (4) 16:15 - 16:30 Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 一般講演：発表 12 分 ＋ 質疑応答 3 分 招待講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 基調講演：発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆The Institute of Electronics Engineers of Korea (IEEK)，Global COE Program “Photonics Integration-Core Electronics”（東京工業大学） 共催 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 9月13日(月) (開催日変更) 九州工業大（若松キャンパス） [7月16日(金)] テーマ：センサデバイス、MEMS、一般 【問合先】 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E-mail :     o       津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E-mail :   o   ba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E-mail :      t  上田 哲三（パナソニック） TEL : 075-956-8273 Fax : 075-956-9110 E-mail :   zopa c☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 8月26日(木)～27日(金) 札幌エルプラザ内男女共同参画センター [6月9日(水)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 小野 行徳（NTT） Phone 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o  aecl Last modified: 2010-06-10 10:41:43 |
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