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セッション終了後に懇親会を開催いたします。出欠をお知らせください。



電子ディスプレイ研究会(EID) [schedule] [select]
専門委員長 志賀 智一 (電通大)
副委員長 木村 睦 (龍谷大), 小南 裕子 (静岡大)
幹事 伊達 宗和 (NTT), 山口 雅浩 (東工大)
幹事補佐 山口 留美子 (秋田大), 新田 博幸 (ジャパンディスプレイ), 中田 充 (NHK), 小尻 尚志 (日本ゼオン), 野中 亮助 (東芝), 奥野 武志 (Samsung R&D Inst. Japan)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

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日時 2015年12月14日(月) 11:00 - 16:30
議題 シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 
会場名 龍谷大学 響都ホール 校友会館 
住所 京都アバンティ 9階
交通案内 JR京都駅八条東口より徒歩約1分
https://www.ryukoku.ac.jp/ryudaihall/index.php
会場世話人
連絡先
龍谷大学 理工学部 電子情報学科 木村 睦
077-543
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月14日(月) 午前  最新半導体デバイス
座長: 木村 睦 (龍谷大)
11:00 - 13:15
(1) 11:00-11:15 高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製 EID2015-9 SDM2015-92 小尻尚志諏訪智之橋本圭市寺本章伸黒田理人須川成利東北大
(2) 11:15-11:30 DNAのMOSFETチャネル材料としての検討 ~ 非クーロンブロッケード/ステアケース現象 ~ EID2015-10 SDM2015-93 松尾直人中村文耶高田忠雄山名一成部家 彰兵庫県立大)・横山 新広島大)・大村泰久関西大
(3) 11:30-11:45 超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用 EID2015-11 SDM2015-94 番 貴彦上沼睦典奈良先端大)・右田真司産総研)・石河泰明山下一郎浦岡行治奈良先端大
(4) 11:45-12:00 NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布 EID2015-12 SDM2015-95 西 佑介木本恒暢京大
(5) 12:00-12:15 ゲート電圧印加が光電変換効率に及ぼす効果 EID2015-13 SDM2015-96 大木康平日下部昂志松尾直人部家 彰兵庫県立大
  12:15-13:15 昼食 ( 60分 )
12月14日(月) 午後  薄膜プロセス・デバイス
座長: 木本 恒暢 (京大)
13:15 - 15:00
(6) 13:15-13:30 a-Ge膜のFLA結晶化におけるランプ印加電圧依存性 EID2015-14 SDM2015-97 平野翔大部家 彰松尾直人兵庫県立大)・河本直哉山口大)・中村祥章横森岳彦吉岡正樹USHIO
(7) 13:30-13:45 グリーンレーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 仁枝嘉昭高尾 透奈良先端大)・堀田昌宏京大)・佐々木伸夫日本女子大)・石河泰明浦岡行治奈良先端大
(8) 13:45-14:00 RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 EID2015-15 SDM2015-98 吉岡敏博小川淳史弓削政博松田時宜木村 睦龍谷大
(9) 14:00-14:15 ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 EID2015-16 SDM2015-99 弓削政博小川淳史吉岡敏博加藤雄太松田時宜木村 睦龍谷大
(10) 14:15-14:30 IGZOのアニール温度に対するMR効果の変化 EID2015-17 SDM2015-100 宮村祥吾志賀春紀今西恒太符川明日香木村 睦松田時宜龍谷大
(11) 14:30-14:45 CrSiNの磁気特性測定 EID2015-18 SDM2015-101 志賀春紀宮村祥吾今西恒太符川明日香木村 睦松田時宜龍谷大)・廣島 安KOA
  14:45-15:00 休憩 ( 15分 )
12月14日(月) 午後  薄膜トランジスタ・アプリケーション
座長: 浦岡 行治 (奈良先端大)
15:00 - 16:30
(12) 15:00-15:15 薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性 EID2015-19 SDM2015-102 西村勇哉原 明人東北学院大
(13) 15:15-15:30 SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 EID2015-20 SDM2015-103 小川淳史弓削政博吉岡敏博松田時宜木村 睦龍谷大
(14) 15:30-15:45 低温Poly-Si TFTの赤外線照射に対する電流特性評価 EID2015-21 SDM2015-104 北島秀平木藤克哉松田時宜木村 睦龍谷大)・井上昌秀華為技術日本
(15) 15:45-16:00 薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発 ~ TFTのin vitro実験 ~ EID2015-22 SDM2015-105 春木翔太冨岡圭佑松田時宜木村 睦龍谷大
(16) 16:00-16:15 簡略化エレメントを用いたニューラルネットワークのFPGAによる動作検証 EID2015-23 SDM2015-106 中村奈央森田竜平古我祐貴中西弘樹杉崎澄生横山朋陽和多田晃樹松田時宜木村 睦龍谷大
(17) 16:15-16:30 超簡略化構造のセルラニューラルネットワークの研究開発 ~ FPGAと可変抵抗による動作検証 ~ EID2015-24 SDM2015-107 中西弘樹森田竜平古我裕貴中村奈央杉崎澄生横山朋陽和多田晃樹松田時宜木村 睦龍谷大

講演時間
一般講演発表 10 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
EID 電子ディスプレイ研究会(EID)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2015-10-22 23:12:38


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