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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 辻 伸二 副委員長 中野 義昭 幹事 中原 宏治， 山中 孝之 ★光エレクトロニクス研究会（OPE） 専門委員長 小山 二三夫 副委員長 日比野 善典 幹事 井上 靖之， 佐川 みすず ★集積光デバイス技術時限研究専門委員会（IPD） 専門委員長 吉國 裕三 幹事 瀧口 浩一， 中津原 克己 日時 2007年 6月29日(金) 09：25～17：05 会場 機械振興会館（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．http://www.jspmi.or.jp/） 議題 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術，及び一般 6月29日(金) 午前 （09：25～17：05） −−− 開会の挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 09:30 - 09:55 1.55um帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送 ○牧野茂樹・篠田和典・塩田貴支・北谷 健・深町俊彦・青木雅博（日立）・笹田紀子・直江和彦・岡本 薫・元田勝也・佐久間 康（日本オプネクスト） (2) 09:55 - 10:20 TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ ○高林和雅・関口茂昭・早川明憲・苫米地秀一・植竹理人・鍬塚治彦（富士通研） (3) 10:20 - 10:45 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大 ○布谷伸浩・柴田泰夫・石井啓之・岡本 浩・川口悦弘・近藤康洋・大橋弘美（NTT） (4) 10:45 - 11:10 アイソレータフリーモジュール用 1.3μｍ 利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性 ○中村幸治・宮村悟史・関川 亮・志村大輔（OKI）・中谷 晋・小里貞二郎（フジクラ）・八重樫浩樹・小川 洋（OKI） (5) 11:10 - 11:35 エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ ○内藤秀幸・阪本真一・大竹 守・奥村忠嗣（東工大）・丸山武男（東工大/JST）・西山伸彦（東工大）・荒井滋久（東工大/JST） (6) 11:35 - 12:00 MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 ○橋本 玲・櫛部光弘・江崎瑞仙（東芝/東大）・西岡政雄・荒川泰彦（東大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (7) 13:00 - 14:00 ［材料デバイスサマーミーティング特別講演］ 題目：スピントロニクス －材料からデバイス・回路へ－ 大野英男（東北大） (8) 14:00 - 14:25 GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移 ○田中海一・幾野敬太・葛西洋平・福永和哉（上智大）・欅田英之・江馬一弘・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） (9) 14:25 - 14:50 半導体光増幅器の高速非線形応答への動作条件の総合的検討 ○長谷川元樹・宇高勝之（早大） (10) 14:50 - 15:15 テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討 ○北林直人・今村明博・松谷晃宏・小山二三夫（東工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (11) 15:25 - 15:50 Experimental Investigation on Temperature and Strain Dependence of Brillouin Frequency Shift in GeO2-doped Optical Fibers ○Weiwen Zou・Zuyuan He・Kazuo Hotate（Univ. of Tokyo） (12) 15:50 - 16:15 ダイヤフラム構造を利用したガラス基板光導波型マイクロホンの設計 ～ 感度のダイヤフラム厚依存性およびダイヤフラム辺比依存性 ～ ○新國広幸・渡部 裕・大河正志・関根征士・佐藤 孝（新潟大） (13) 16:15 - 16:40 スタブ付きフォトニック結晶導波路の伝搬特性とフィルタへの応用 ○高山功介・小楠和彦（静岡大） (14) 16:40 - 17:05 半導体光ディジタル・アナログ変換器の動作条件に関する検討 ○澤田憲吾・植之原裕行（東工大） ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 8月23日(木)～24日(金) 北海道大学 [6月15日(金)] テーマ：光・電子デバイス実装，デバイス技術，及び一般 10月11日(木)～12日(金) 福井大学 [8月20日(月)] テーマ：窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 【問合先】 中原宏治（日立製作所） TEL 042-323-1111, FAX 042-327-7786 E-mail:  u      gu     山中孝之（ＮＴＴフォトニクス研究所） TEL 046-240-4403, FAX 046-240-2859 E-mail: t   aecl  ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を新設します。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 ☆OPE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 8月2日(木)～3日(金) 室蘭工業大学 [5月18日(金)] テーマ：光・電波ワークショップ、マイクロ波フォトニクス技術、一般 8月23日(木)～24日(金) 北海道大学 [6月15日(金)] テーマ：光・電子デバイス実装，デバイス技術，及び一般 【問合先】 井上 靖之（NTTフォトニクス研究所） 〒243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 TEL 046-240-4022 FAX 046-240-4529 E-mail:yi   aecl佐川みすず（日立製作所 中央研究所） 〒185-8601 東京都国分寺市東恋ヶ窪1-280 TEL 042-323-1111 FAX 042-327-7673 E-mail:       wx◎OPE研究会では、H18年度より「学生優秀研究賞」を新設しました。学生の方の発表の中から特に優れた研究を表彰いたしますので、積極的なご投稿をお待ちしています。詳細は研究会HPをご覧ください。 ☆IPD研究会 【問合先】 〔幹事〕 瀧口浩一（NTTフォトニクス研究所） TEL〔046〕240－4397，FAX〔046〕240－4528 E-mail：  aecl中津原克己（神奈川工科大学） TEL〔046〕291-3276，FAX〔046〕291-3276 E-mail : k  ele-it ◎☆IPD時限研究専門委員会の最新情報は，ホームページをご覧ください． http://www.ieice.org/~ipd/jpn/welcome.html Last modified: 2007-04-19 18:17:01 |
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