6月11日(木) 午後
13:00 - 17:15 |
| (1) |
13:00-13:25 |
高dose II剥離におけるSPMレス洗浄の検討 |
○佐藤俊哉・鈴木 保・塚原彰彦（富士通マイクロエレクトロニクス）・森平恭太（アクアサイエンス） |
| (2) |
13:25-13:50 |
Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価 |
○伊藤篤史・原田 憲・河瀬康弘・水谷文一（三菱化学）・原 誠・青木秀充・木村千春・杉野 隆（阪大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
導波路管型高周波超音波洗浄機によるCMP後洗浄 |
○鈴木一成（カイジョー/芝浦工大）・潘 毅・岡野勝一・副島潤一郎（カイジョー）・小池義和（芝浦工大） |
| |
14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
14:30-14:55 |
べベルブラシ洗浄プロセスの開発 |
○萩本賢哉・岩元勇人（ソニー） |
| (5) |
14:55-15:20 |
メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性 |
増住拓朗・原 誠・○青木秀充・呂 志明・木村千 春・杉野 隆（阪大） |
| |
15:20-15:35 |
休憩 （ 15分 ） |
| (6) |
15:35-16:00 |
GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価 |
○中村成志・星野晃一・落合俊輔・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） |
| (7) |
16:00-16:25 |
原子層堆積により形成したAl2O3/AlGaN/GaNの界面評価 |
○水江千帆子・堀 祐臣（北大）・ミツェーク マルチン（Silesian Univ. of Tech.）・橋詰 保（北大） |
| (8) |
16:25-16:50 |
Improvement in Device Performance in MIS AlGaN/GaN HFETs by Designing Insulator/AlGaN/GaN Structures |
○Narihiko Maeda・Masanobu Hiroki・Takatomo Enoki（NTT）・Takashi Kobayashi（NTT AT） |
| (9) |
16:50-17:15 |
AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討 |
○蔵口雅彦・湯元美樹・高田賢治・津田邦男（東芝） |
6月12日(金) 午前
09:30 - 12:15 |
| (10) |
09:30-09:55 |
歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析 |
○西野啓之・川平一太・原 伸介・藤代博記（東京理科大） |
| (11) |
09:55-10:20 |
InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性 |
○赤堀誠志（北陸先端大/ユーリッヒ研）・Thanh Quang Trinh・工藤昌宏（北陸先端大）・Thomas Schaepers・Hilde Hardtdegen（ユーリッヒ研）・鈴木寿一（北陸先端大） |
| (12) |
10:20-10:45 |
SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング |
○武部直明・山下浩明・高橋新之助・齋藤尚史・小林 嵩・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） |
| |
10:45-11:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (13) |
11:00-11:25 |
熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性 |
○丸井俊治・星 真一・戸田典彦・森野芳昭・伊藤正紀・大来英之・玉井 功・関 昇平（OKI） |
| (14) |
11:25-11:50 |
GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減 |
○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） |
| (15) |
11:50-12:15 |
SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存 |
○松下景一・桜井博幸・沈 正七・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） |
： 
aecl
o
o
ba
