お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2021年10月開催~)
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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2021年10月21日(木) 10:45 - 16:50
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 オンライン開催 
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

10月21日(木) 午前 
10:00 - 16:50
  10:00-10:40 チュートリアル:「半導体製造における超純水」 諏訪智之(東北大) ( 40分 )
  10:40-10:45 休憩 ( 5分 )
(1) 10:45-11:35 [招待講演]シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 SDM2021-44 三谷祐一郎東京都市大
(2) 11:35-12:00 スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価 SDM2021-45 今泉文伸小山高専
  12:00-13:00 昼食休憩 ( 60分 )
(3) 13:00-13:25 A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications SDM2021-46 Eun-Ki HongShun-ichiro OhmiTokyo Tech.
(4) 13:25-13:50 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 SDM2021-47 田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大
(5) 13:50-14:15 A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation SDM2021-48 Pyo JooyoungIhara AkioOhmi Shun-ichiroTokyo Tech.
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(6) 14:30-15:20 [招待講演]シリコン量子コンピュータに向けたデバイス・集積化技術 SDM2021-49 森 貴洋産総研
(7) 15:20-15:45 TMRセンサの高感度化と生体計測への応用 SDM2021-50 大兼幹彦東北大
  15:45-16:00 休憩 ( 15分 )
(8) 16:00-16:25 電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測 SDM2021-51 齊藤宏河鈴木勇人朴 賢雨黒田理人東北大)・寺本章伸広島大)・諏訪智之須川成利東北大
(9) 16:25-16:50 トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析 SDM2021-52 秋元 瞭黒田理人間脇武蔵須川成利東北大
  16:50-17:30 意見交換会 ( 40分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事:森 貴洋(産業技術総合研究所)
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 


Last modified: 2021-10-12 11:12:17


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