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★集積回路研究会（ICD） 専門委員長 亀山 充隆 副委員長 中屋 雅夫 幹事 内山 邦男， 宮野 信治 幹事補佐 張山 昌論， 甲斐 康司 日時 2005年 4月14日(木) 09：00～21：00 2005年 4月15日(金) 10：30～15：00 会場 福岡システムLSI総合開発センター（福岡県早良区百道浜３－８－３３．福岡空港からバス45分．http://www.ist.or.jp/lsi/pg03_01.html．九州大学大学院 システムLSI情報科学科研究院 井上弘士） 議題 新メモリ技術、メモリ応用技術、一般 4月14日(木) 午前 ISSCC特集１ SRAM （09：00～10：30） (1) 09:00 - 09:30 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術 ○武田晃一・萩原靖彦（NEC）・相本代志治（NECエレクトロニクス）・野村昌弘・中澤陽悦（NEC）・石井利生・小畑弘之（NECエレクトロニクス） (2) 09:30 - 10:00 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM ○山岡雅直（日立）・前田徳章（ルネサステクノロジ）・篠崎義弘（日立超LSIシステムズ）・島崎靖久・新居浩二・島田 茂・柳沢一正（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） (3) 10:00 - 10:30 A 256Mb Synchronous Burst DDR SRAM using Single-crystal Silicon Thin Film Transisitor (SSTFT) SRAM cell ○Youngho Suh・Hyouyoun Nam・Youngdae Lee・Hungiun An・Sangbeom Kang・Byunggil Choi・Hoon Lim・Choongkeun Kwak・Hyunguen Byun（Samsung） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 4月14日(木) 午前 ISSCC特集２ DRAM （10：40～12：10） (4) 10:40 - 11:40 ［招待講演］ナノスケール時代のDRAM ～ 非1T1Cアプローチ ～ ○石井智之（日立） (5) 11:40 - 12:10 SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM ○大澤 隆・藤田勝之・初田幸輔（東芝）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・森門六月生・南 良博・篠 智彰・中島博臣・井納和美・浜本毅司・渡辺重佳（東芝） −−− 昼食 （ 50分 ） −−− 4月14日(木) 午後 ISSCC特集２（続き） DRAM （13：00～15：00） (6) 13:00 - 14:00 ［招待講演］デジタル家電向け混載メモリの現状と将来展望 ～ SoCの構造改革に向けたチャレンジ ～ ○山内寛行（松下電器） (7) 14:00 - 14:30 A 196-mm2, 2-Gb DDR2 SDRAM using an 80-nm Triple Metal Technology ○Jeong Hoon kook・Kyehyun Kyung・Chiwook Kim・Jaeyoung Lee（Samsung） (8) 14:30 - 15:00 ［招待講演］ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案 ○関口知紀・秋山 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・半澤 悟・竹村理一郎・河原尊之（日立） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 4月14日(木) 午後 ISSCC特集３ 不揮発性メモリ （15：15～16：45） (9) 15:15 - 15:45 Improved write methods for 64Mb Phase-change Random Access Memory (PRAM) ○Hyung-rok Oh・Beak-hyung Cho・Woo Yeong Cho・Sangbeom Kang・Byung-gil Choi・Hye-jin Kim・Ki-sung Kim・Du-eung Kim・Choong-keun Kwak・Hyun-geun Byun・Gi-tae Jeong・Hong-sik Jeong・Kinam Kim（Samsung） (10) 15:45 - 16:15 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計 ○阿部 巧・原 毅彦・福田浩一・金澤一久・柴田 昇・細野浩司・前嶋 洋・中川道雄・小島正嗣・藤生政樹・竹内義昭・雨宮和美・師岡 翠（東芝）・亀井輝彦・那須弘明（サンディスク） (11) 16:15 - 16:45 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ ○倉田英明・笹子佳孝・大津賀一雄・有金 剛・河村哲史・小林 孝・久米 均（日立）・本間和樹・小堺健司・野田敏史・伊藤輝彦・清水雅裕・池田良広・土屋 修・古沢和則（ルネサステクノロジ） −−− 休憩 懇親会 （ 135分 ） −−− 4月14日(木) 午後 イブニングパネル （19：00～21：00） (12) 19:00 - 21:00 [パネル討論] デジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術 ○佐藤克之（エルピーダメモリ）・山内寛行（松下電器）・沼田健二（東芝）・赤沢 隆（ルネサステクノロジ）・片山泰尚（日本IBM） 4月15日(金) 午前 （10：30～12：00） (13) 10:30 - 11:00 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア ○辻 高晴（ルネサステクノロジ）・谷崎弘晃（ルネサスデバイスデザイン）・石川正敏・大谷 順・山口雄一郎・上野修一・大石 司・日高秀人（ルネサステクノロジ） (14) 11:00 - 11:30 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー ○三木 隆・平野博茂・坂上雅彦・中熊哲治・山岡邦吏・岩成俊一・村久木康夫・五寳 靖・藤井英治（松下電器） (15) 11:30 - 12:00 高速大容量混載 DRAM Pre-Fuse Wafer-Level テストのための Burst-Cycle Data圧縮方式 ○福田 良・小林謙二（東芝）・赤松正志・開発 実・田村 淳・谷口一雄（ソニー）・渡辺陽二（東芝） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 4月15日(金) 午後 （13：00～15：00） (16) 13:00 - 13:30 1.5nsアクセス時間0.25μm CMOS/SIMOX SRAMマクロセル ～ デュアルワード線による高速化と低電力化 ～ ○柴田信太郎・石原隆子（NTT）・栗田茂弘・沖山秀臣（NEL） (17) 13:30 - 14:00 バンク型多ポートメモリによる並列プロセッサ用キャッシュメモリの設計 ○上口 光・朱 兆旻（広島大）・平川 泰（広島市大）・マタウシュ ハンス ユルゲン・小出哲士（広島大）・弘中哲夫・谷川一哉（広島市大） (18) 14:00 - 14:30 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析 ○長田健一（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・蒲原史朗（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） (19) 14:30 - 15:00 中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開 ○上村大樹・戸坂義春・芦澤芳夫・岡 秀樹・佐藤成生（富士通研） ☆ICD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 5月26日(木)～27日(金) 神戸大学 [3月25日(金)] テーマ：VLSI一般（ISSCC2005特集） 7月14日(木)～15日(金) 豊橋技術科学大学 [5月20日(金)] テーマ：アナログ・デジアナ・センサ、通信用LSI (オーガナイザ： 川人祥二(静岡大学)) 【問合先】 宮野信治（東芝） TEL 044-548-2696 , FAX 044-548-8324 E-mail:  n       ba Last modified: 2005-03-30 20:08:03 |
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