6月19日(金) 午後 機構デバイス・材料デバイスサマーミーティング
13:00 - 17:35 |
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13:00-13:05 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
13:05-13:30 |
YAlO3(001)基板表面処理条件の違いによるCr2O3薄膜の結晶成長 |
○橋本浩佑・隅田貴士・林 佑太郎・福井慎二郎・永田知子・山本 寛・岩田展幸（日大） |
| (2) |
13:30-13:55 |
ペチーニ法で作製したBi1+xFeO3 (x = 0.0, 0.2)ターゲットおよび パルスレーザー堆積法で作製したBiFeO3薄膜の化学当量性の評価 |
○王 春・大島佳祐・稲葉隆哲・宋 華平・渡部雄太・永田知子・橋本拓也・高瀬浩一・山本 寛・岩田展幸（日大） |
| (3) |
13:55-14:20 |
化学気相成長法を用いて作製した単層グラフェンの積層による2層グラフェンの作製と電気特性 |
○星野 崚・林 佑太郎・今井健太郎・鈴木 希・永田知子・岩田展幸・山本 寛（日大） |
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14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
14:30-14:55 |
大気圧CVD法による酸化スズ及び酸化ガリウムナノワイヤーの成長 |
○寺迫智昭・倉重利規（愛媛大）・矢木正和（香川高専） |
| (5) |
14:55-15:20 |
触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果 |
○叶内慎吾・石塚侑己・大橋優樹（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大） |
| (6) |
15:20-15:45 |
触媒反応生成高エネルギーH2Oビームのノズル開口角依存性 |
寺口祐介・田島諒一・中村友紀・高橋一匡・玉山泰宏・○安井寛治（長岡技科大） |
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15:45-15:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (7) |
15:55-16:20 |
統計的手法を用いた微摺動機構による電気接点劣化現象解析 ～ いくつかの実験条件下における最小摺動振幅データを用いた統計解析 ～ |
○越田圭治・和田真一・久保田洋彰（TMCシステム）・澤 孝一郎（日本工大） |
| (8) |
16:20-16:45 |
金属ガラス薄帯へのアルミニウム薄板の電磁圧接 |
○相沢友勝（都立高専）・松澤和夫（都立産技高専）・網谷健児（東北大） |
| (9) |
16:45-17:10 |
異なる電極開離速度におけるAgSnO2接点対による直流負荷電流遮断時のアーク放電特性に関する実験的検討 |
○長谷川 誠（千歳科技大） |
| (10) |
17:10-17:35 |
電界誘起光第2次高調波発生法による有機材料中の3次元電界評価 |
○間中孝彰・岩本光正（東工大） |
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17:35-17:40 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
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