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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 野毛 悟 (沼津高専)
副委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
幹事 小舘 淳一 (NTT), 岩田 展幸 (日大)
幹事補佐 坂本 尊 (NTT), 中村 雄一 (豊橋技科大)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)
幹事補佐 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 小路 元 (住友電工)
副委員長 野田 進 (京大)
幹事 梅沢 俊匡 (NICT), 藤原 直樹 (NTT)

日時 2015年11月26日(木) 10:30 - 17:20
2015年11月27日(金) 10:00 - 16:15
議題 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 大阪市立大学・学術情報センター会議室 
交通案内 https://www.media.osaka-cu.ac.jp

11月26日(木) 午前 
座長: 橋本玲 (東芝セミコンダクタ―)
10:30 - 12:10
(1) 10:30-10:55 RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討 荒木 努武馬 輝増田 直名西やす之立命館大)・織田真也人羅俊実FLOSFIA
(2) 10:55-11:20 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール 鈴木周平林 家弘三宅秀人平松和政三重大)・福山博之東北大
(3) 11:20-11:45 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 安井大貴三宅秀人平松和政三重大)・岩谷素顕赤崎 勇名城大)・天野 浩名大
(4) 11:45-12:10 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 小島一信東北大)・塚田悠介三菱化学)・古川えりか斉藤 真東北大)・三川 豊久保秀一池田宏隆藤戸健史三菱化学)・上殿明良筑波大)・秩父重英東北大
  12:10-13:10 休憩 ( 60分 )
11月26日(木) 午後 
座長: 鈴木寿一 (北陸先端大)
13:10 - 14:50
(5) 13:10-13:35 ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 堀田昌宏京大)・高島信也田中 亮松山秀昭上野勝典江戸雅晴富士電機)・須田 淳京大
(6) 13:35-14:00 ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価 澤田直暉京大)・成田哲生加地 徹上杉 勉豊田中研)・堀田昌宏須田 淳京大
(7) 14:00-14:25 ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性 前田拓也京大)・岡田政也山本喜之上野昌紀住友電工)・堀田昌宏須田 淳京大
(8) 14:25-14:50 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 梶谷 亮半田浩之宇治田信二柴田大輔小川雅弘田中健一郎石田秀俊田村聡之石田昌宏上田哲三パナソニック
  14:50-15:05 休憩 ( 15分 )
11月26日(木) 午後 
座長: 藤原直樹 (NTT)
15:05 - 16:20
(9) 15:05-15:30 [招待講演]AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 秩父重英東北大)・三宅秀人平松和政三重大
(10) 15:30-15:55 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 河上航平中納 隆山口敦史金沢工大
(11) 15:55-16:20 光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定 中納 隆河上航平山口敦史金沢工大
  16:20-16:30 休憩 ( 10分 )
11月26日(木) 午後 
座長: 梅沢俊匡 (NICT)
16:30 - 17:20
(12) 16:30-16:55 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 石戸亮祐石井良太船戸 充川上養一京大
(13) 16:55-17:20 アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用 岡本晃一立石和隆川元 駿西田知句玉田 薫九大)・船戸 充川上養一京大
11月27日(金) 午前 
座長: 重川直輝 (大阪市大)
10:00 - 12:05
(14) 10:00-10:25 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明 古賀祐介中村成志奥村次徳首都大東京
(15) 10:25-10:50 Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source P.Pungboon PansilaKensaku KanomataBashir AhammadShigeru KubotaFumihiko HiroseYamagata Univ
(16) 10:50-11:15 Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate Dariush H. ZadehTanabe ShinichiWatanabe NoriyukiMatsuzaki HideakiNTT
(17) 11:15-11:40 ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 西野剛介久保俊晴江川孝志名工大
(18) 11:40-12:05 Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 山岡優哉大陽日酸)・伊藤和宏名工大)・生方映徳田渕俊也松本 功大陽日酸)・江川孝志名工大
  12:05-13:05 休憩 ( 60分 )
11月27日(金) 午後 
座長: 川口真生 (パナソニック)
13:05 - 14:20
(19) 13:05-13:30 GaN系THz-QCLの最近の進展 寺嶋 亘平山秀樹理研
(20) 13:30-13:55 無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性 定 昌史平山秀樹理研
(21) 13:55-14:20 m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性 大島一晟埼玉大/理研)・定 昌史前田哲利理研)・鎌田憲彦埼玉大)・平山秀樹理研
  14:20-14:35 休憩 ( 15分 )
11月27日(金) 午後 
座長: 津田邦男 (東芝)
14:35 - 16:15
(22) 14:35-15:00 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 加畑智基堤 達哉三好実人江川孝志名工大
(23) 15:00-15:25 スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価 野中翔一郎古川昭雄東京理科大)・牧田紀久夫水野英範菅谷武芳仁木 栄産総研
(24) 15:25-15:50 GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 柴 麗梁 剣波重川直輝阪市大
(25) 15:50-16:15 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 林 朋宏梁 剣波阪市大)・新井 学新日本無線)・重川直輝阪市大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
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問合先  
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 梅沢 俊匡(情報通信研究機構)
TEL 042-327-7528, FAX 042-327-7938
E-: _u

藤原 直樹(日本電信電話株式会社)
TEL 046-240-3266, FAX 046-240-4345
E-: o 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2015-11-26 10:59:55


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