1月31日(月) 午後
13:10 - 17:00 |
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13:10-13:15 |
講演に関する注意事項などの説明 （ 5分 ） |
| (1) |
13:15-13:45 |
［招待講演］16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72％の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式 |
○斉藤朋也・伊藤 孝・帯刀恭彦・園田賢一郎・渡辺源太・松原 謙・神田明彦・下井貴裕・武田晃一・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） |
| (2) |
13:45-14:15 |
［招待講演］大容量STT-MRAM向け一桁ナノメートル磁気トンネル接合技術 |
○陣内佛霖・五十嵐純太・篠田峻伸・渡部杏太・舩津拓也・佐藤英夫・深見俊輔・大野英男（東北大） |
| (3) |
14:15-14:45 |
［招待講演］高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 |
○市原玲華（キオクシア） |
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14:45-15:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
15:00-15:30 |
［招待講演］表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計 |
○隅田 圭・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） |
| (5) |
15:30-16:00 |
［招待講演］CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング |
○黒川義元・馬場晴之・大下 智・濱田俊樹・安藤善範・方堂涼太・大野敏和・廣瀬貴史・國武廣司・村川 努（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・小林正治（東大）・吉田 宏・Min-Cheng Chen（PSMC）・Ming-Han Liao（National Taiwan Univ.）・Shou-Zen Chang（PSMC）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） |
| (6) |
16:00-16:30 |
［招待講演］3Dシーケンシャル技術を用いたCMOSイメージセンサー |
中澤圭一・○山元純平・森 茂貴・岡本晋太郎・清水暁人・馬場公一・藤井宣年・上原睦雄・平松克規・熊野秀臣・松本 晃・財津光一郎・大沼英寿・田谷圭司・平野智之・岩元勇人（ソニーセミコンダクタソリューションズ） |
| (7) |
16:30-17:00 |
［招待講演］IEDM2021を振り返って
○黒田理人（東北大） |
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