10月21日(木) 午後
14:00 - 18:10 |
| (1) |
14:00-15:00 |
［招待講演］先端LSIにおけるチャネル歪評価 |
○小椋厚志（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・富田基裕（明大） |
| (2) |
15:00-15:30 |
液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価 |
○小瀬村大亮（明大/学振）・小椋厚志（明大） |
| (3) |
15:30-16:00 |
Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構 |
○石川純平・高 峻・大見俊一郎（東工大） |
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16:00-16:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
16:10-16:40 |
Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討 |
○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） |
| (5) |
16:40-17:10 |
Effect of ultra-thin Yb layer on n-type characteristics of pentacene based MOS diodes |
○Young-uk Song・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） |
| (6) |
17:10-17:40 |
ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成 |
○田中宏明・黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） |
| (7) |
17:40-18:10 |
薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化 |
○岩鍜治陽子・広田 潤・矢吹 宗・石田浩一・金子和香奈・水島一郎・赤堀浩史（東芝） |
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18:10-18:30 |
休憩 （ 20分 ） |
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18:30-20:30 |
懇親会 （ 120分 ） |
10月22日(金) 午前
09:30 - 12:10 |
| (8) |
09:30-10:00 |
ルミネッセンス計算化学による高分子発光材料/陰極界面の電子移動解析 |
○山下 格・大沼宏彰・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
| (9) |
10:00-10:30 |
材料情報学による母体結晶からのEu2+付活蛍光体の発光特性予測 |
○大沼宏彰・吉原大貴・山下 格・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
| (10) |
10:30-11:00 |
計算化学によるSi/SiC量子ドット太陽電池におけるキャリアトラップの解析 |
○広瀬 祥・山下 格・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
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11:00-11:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (11) |
11:10-11:40 |
連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価 |
○藤井俊太朗・黒木伸一郎・小谷光司（東北大） |
| (12) |
11:40-12:10 |
高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成 |
○黒木伸一郎・川崎雄也・藤井俊太朗・小谷光司（東北大）・伊藤隆司（東工大/広島大） |
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12:10-13:10 |
昼食 （ 60分 ） |
10月22日(金) 午後
13:10 - 16:50 |
| (13) |
13:10-13:40 |
Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field-effect transistors |
○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） |
| (14) |
13:40-14:10 |
Integration of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon into Advanced Cu Interconnects |
○Xun Gu・Takenao Nemoto・Yugo Tomita・Akinobu Teramoto・Shin-Ichiro Kuroki・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
| (15) |
14:10-14:40 |
ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成 |
○佐野貴洋・大見俊一郎（東工大） |
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14:40-14:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (16) |
14:50-15:20 |
酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 |
○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター） |
| (17) |
15:20-15:50 |
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン酸化膜形成の反応解析への応用 |
○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
| (18) |
15:50-16:20 |
自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション |
○坪井秀行・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・稲葉賢二・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
| (19) |
16:20-16:50 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 |
○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） |
: Hisahiro.Ansai＠jp.sony.com