お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Ｃの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム		 技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 

★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　葛原 正明 (福井大)　　副委員長　橋詰 保 (北大)
幹事　高谷 信一郎 (日立)， 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐　原 直紀 (富士通研)， 津田 邦男 (東芝)

★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長　杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事　川中 繁 (東芝)， 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐　大見 俊一郎 (東工大)

★（）


日時　2008年 7月 9日(水)　10：00～17：50
　　　2008年 7月10日(木)　09：00～11：55
　　　2008年 7月11日(金)　09：00～16：05

会場 かでる２・７（札幌市）（〒060-0002 札幌市中央区北２条７丁目．JR札幌駅から徒歩１０分．http://www.kaderu27.or.jp/index.htm）

議題 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008)

7月9日(水) 午前 プレナリセッション （10：00～10：40）

(1) 10:00 - 10:40
［基調講演］III-V Semiconductor Epitaxial Nanowires and Their Applications
○Takashi Fukui・Shinjiro Hara・Kenji Hiruma・Junichi Motohisa（Hokkaido Univ.）

−−−　休憩　（ 10分 ）　−−−

7月9日(水) 午前 セッション 1: Compound Semiconductor Devices （10：50～12：20）

(1) 10:50 - 11:15
［招待講演］Growth of InAs quantum dot and device application
○Il-Ki Han（KIST）

(2) 11:15 - 11:40
［招待講演］Narrow-gap III-V Semiconductor Technology: Lattice-Mismatched Growth and Epitaxial Lift-off for Heterogeneous Integration
○Toshi-kazu Suzuki（JAIST）

(3) 11:40 - 12:05
［招待講演］AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer
○Tadayoshi Deguchi（New Japan Radio）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.）

(4) 12:05 - 12:20
Properties of GaN MIS Capacitors Using Al2O3 as Gate Dielectric Deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition
○Hyeong-Seon Yun・Ka-Lam Kim・No-Won Kwak・Woo-Seok Lee・Sang-Hyun Jeong（Cheongju Univ.）・Ju-Ok Seo（Itswell）・Kwang-Ho Kim（Cheongju Univ.）

−−−　昼食　（ 60分 ）　−−−

7月9日(水) 午後 セッション 2: Silicon Devices I （13：20～15：45）

(1) 13:20 - 13:45
［招待講演］Guidelines for the Threshold Voltage Control of Metal/HfSiON system
○Akira Nishiyama・Yoshinori Tsuchiya・Masahiko Yoshiki・Atsuhiro Kinoshita・Junji Koga・Masato Koyama（Toshiba）

(2) 13:45 - 14:10
［招待講演］Precise Ion Implantation for Advanced MOS LSIs
○Toshiharu Suzuki（SEN）

(3) 14:10 - 14:35
［招待講演］Quantum Modeling of Carrier Transport through Silicon Nano-devices
○Nobuya Mori・Hideki Minari（Osaka Univ.）

(4) 14:35 - 15:00
［招待講演］High-K Dielectric for Charge Trap-type Flash Memory Application
○Byung-Jin Cho（KAIST）・Wei He・Jing Pu（National Univ. of Singapore）

(5) 15:00 - 15:15
Characteristics of Locally-Separated Channel FinFETs with Non-Overlapped Source/Drain to Gate for Sub-50 nm DRAM Cell Transistors
○Han-A Jung・Ki-Heung Park（Kyungpook National Univ.）・Hyuck-In Kwon（Daegu Univ. Jillyang）・Jong-Ho Lee（Kyungpook National Univ.）

(6) 15:15 - 15:30
A Material of Semiconductor Package with Low Dielectric Constant, Low Dielectric Loss and Flat Surface for High Frequency and Low Power Propagation
○Hiroshi Imai（Tohoku Univ.）・Masahiko Sugimura・Masafumi Kawasaki（Zeon）・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）

(7) 15:30 - 15:45
CMOS phase shift Oscillator Using the Conduction of Heat
○Takaaki Hirai・Tetsuya Asai・Yoshihito Amemiya（Hokkaido univ.）

−−−　休憩　（ 10分 ）　−−−

7月9日(水) 午後 セッション 3: Emerging Devices I （15：55～17：50）

(1) 15:55 - 16:20
［招待講演］Characterization of Carbon Nanotube FETs by Electric Force Microscopy
○Takashi Mizutani（Nagoya Univ.）

(2) 16:20 - 16:45
［招待講演］Recent Progress on Nanoprobe and Nanoneedle
○Masaki Tanemura・Masashi Kitazawa・Yoshitaka Sugita・Ako Miyawaki・Masaki Kutsuna・Yasuhiko Hayashi（Nagoya Inst. of Tech.）・Shu Ping Lau（Nanyang Tech. Univ.）

(3) 16:45 - 17:10
［招待講演］Technical Issues and Applications of Printed Thin-Film Devices
○Yongtaek Hong・Jaewook Jeong・Jinwoo Kim・Sanbwoo Kim・Minkyoo Kwon・Seungjun Chung（Seoul National Univ.）

(4) 17:10 - 17:35
［招待講演］A Ta2O5 Solid-electrolyte Switch with Improved Reliability
○Naoki Banno・Toshitsugu Sakamoto・Noriyuki Iguchi・Shinji Fujieda（NEC Corp.）・Kazuya Terabe・Tsuyoshi Hasegawa・Masakazu Aono（NIMS）

(5) 17:35 - 17:50
Recessed Channel Dual Gate Single Electron Transistors (RCDG-SETs) for Room Temperature Operation
○Sang Hyuk Park・Sangwoo Kang・Dong-Seup Lee・Jung Han Lee・Hong-Seon Yang・Kwon-Chil Kang・Joung-Eob Lee・Jong Duk Lee・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）

7月10日(木) 午前 セッション 4A: Nonvolatile Memory （09：00～10：30）

(1) 09:00 - 09:15
Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Its Application to Floating Gate MOS Memories
○Kazuhiro Shimanoe・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）

(2) 09:15 - 09:30
Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memories
○Doo-Hyun Kim・Il Han Park・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）

(3) 09:30 - 09:45
3-dimensional Terraced NAND(3D TNAND) Flash Memory
○Yoon Kim・Gil-Seong Lee・Jong Duk Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）

(4) 09:45 - 10:00
Design of Unique two-bit/cell SONOS Flash Memory Device Utilizing an Advanced Saddle Structure
○Sang-Su Park・Se Woong Oh・Kyeong Rok Kim・Hyun Joo Kim・Tae Whan Kim・Kae Dal Kwack（Hanyang Univ.）

(5) 10:00 - 10:15
Using shielding metal for elimination of floating gate coupling effect
○Gil-Sung Lee（Seoul National Univ.）

(6) 10:15 - 10:30
Design of Vertical Nonvolatile Memory Device Considering Gate-Induced Barrier Lowering(GIBL)
○Seongjae Cho・Il Han Park・Jung Hoon Lee・Gil Sung Lee・Jong Duk Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）

−−−　休憩　（ 10分 ）　−−−

7月10日(木) 午前 セッション 5A: Silicon Devices II （10：40～11：55）

(1) 10:40 - 10:55
Study of Self-Heating Phenomena in Si Nano Wire MOS Transistor
○Tetsuo Endoh・Kousuke Tanaka・Yuto Norifusa（Tohoku Univ.）

(2) 10:55 - 11:10
Scalability of Vertical MOSFETs in Sub-10nm generation and its Mechanism
○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）

(3) 11:10 - 11:25
Current Transport Characteristics for Organic Nonvolatile Memories
○Woo-Sik Nam・Gon-Sub Lee・Sung-Ho Seo・Young-Hwan Oh・Jae-Gun Park（Hanyang Univ.）

(4) 11:25 - 11:40
Observation of hexagonal nuclei in the melt-quenched Ge2Sb2Te5 thin films
○Min-Soo Youm（KIST）

(5) 11:40 - 11:55
Microstructural and electrical characteristics of Ge1Te1 alloy
○Yong-Tae Kim（KIST）

7月10日(木) 午前 セッション 4B: Emerging Devices II （09：00～10：15）

(1) 09:00 - 09:15
Single-Electron-Resolution Electrometer Based on Field-Effect Transistor
○Katsuhiko Nishiguchi・Charlie Koechlin・Yukinori Ono・Akira Fujiwara・Hiroshi Inokawa・Hiroshi Yamaguchi（NTT）

(2) 09:15 - 09:30
Charge Injection Path of Bottom-Contact Organic Thin-Film Transistors
○Yoo Chul Kim・Keum-Dong Jung・Jong Duk Lee・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）

(3) 09:30 - 09:45
Self-Aligned Conducting Polymer Patterns Coated with Carbon Nanotube Using Soft Lithography for Transparent Flexible Electrode of OTFT
○Jin-Woo Huh・Jin-Woo Huh・Jin-Wook Jeong・Ho-Gyu Yoon（Korea Univ.）・Sang Ho Kim（LG Chem.）・Byeong-Kwon Ju（Korea Univ.）

(4) 09:45 - 10:00
Self-Assembled Carbon Nanotube Network Films Field Effect Transistor for Biosensor Application
○Sunhaera Shin・Youn-Kyoung Baek・Yang-Kyu Choi・Hee-Tae Jung（KAIST）

(5) 10:00 - 10:15
2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implemention of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network
○Hong-Quan Zhao（Hokkaido Univ.）・Seiya Kasai（Hokkaido Univ./JST）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.）

−−−　休憩　（ 10分 ）　−−−

7月10日(木) 午前 セッション 5B: Emerging Devices III （10：25～11：55）

(1) 10:25 - 10:40
Fabrication of Silicon Nanowire Devices using AC Dielectrophoresis
○Su-Heon Hong・Myung-Gil Kang（Korea Univ.）・Dong-Mok Whang（Sungkyunkwan Univ.）・Sung-Woo Hwang（Korea Univ.）

(2) 10:40 - 10:55
A Study on Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) Films for The Microbolometer Applications
○Hyeok Jun Son・Il Woong Kwon（KAIST）・Ho Jun You（ETRI）・Yong Soo Lee・Hee Chul Lee（KAIST）

(3) 10:55 - 11:10
Electrical Detection of Si-Tagged Proteins on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surfaces
○S. Mahboob・Katsunori Makihara・Hirotaka Kaku・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki・Akio Kuroda（Hiroshima Univ.）

(4) 11:10 - 11:25
Fabrication of methanol concentration sensor by using Pt dot catalyst electrode
○Seong-Il Kim（KIST）

(5) 11:25 - 11:40
Fabrication and characterization of silicon nanowire-based biosensor
○Young-Soo Sohn（KIST）

(6) 11:40 - 11:55
An Insect Vision-based Single-electron Circuit Performing Motion Detection
○Andrew Kilinga Kikombo・Tetsuya Asai・Yoshihito Amemiya（Hokkaido univ.）

7月11日(金) 午前 セッション 6: Power and High-Frequency Devices I （09：00～10：40）

(1) 09:00 - 09:25
［招待講演］SiC Power Transistor and Its Application for DC/DC Converter
○Makoto Kitabatake（Matsushita Electric Industrial）

(2) 09:25 - 09:50
［招待講演］Recent Advances on GaN Vertical Power Device
○Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs., Inc.）

(3) 09:50 - 10:15
［招待講演］Millimeter-wave MMIC Technologies for F-band Application
○Toshihiko Kosugi・Akihiko Hirata・Koichi Murata・Naoya Kukutsu・Yuichi Kado・Takatomo Enoki（NTT）

(4) 10:15 - 10:40
［招待講演］Emission of Terahertz Radiation from InGaP/InGaAs/GaAs Grating-Bicoupled Plasmon-Resonant Nano-Transistors
○Taiichi Otsuji（Tohoku Univ.）

−−−　休憩　（ 10分 ）　−−−

7月11日(金) 午前 セッション 7A: Power and High-Frequency Devices II （10：50～12：35）

(1) 10:50 - 11:05
High Breakdown Voltage of 10400V in AlGaN/GaN HFET with AlN Passivation
○Daisuke Shibata・Hisayoshi Matsuo（Matsushita Electric Industrial）・Shuichi Nagai・Ming Li（Panasonic Boston Lab）・Naohiro Tsurumi・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Yasuhiro Uemoto・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Matsushita Electric Industrial）

(2) 11:05 - 11:20
Improvement of the Leakage by Second Thermal Oxidation Process Power Trench Gate MOSFET
○Chien-Nan Liao（National Central Univ.）・Jhih-Chao Huang・Feng-Tso Chien（Feng Chia Univ.）・Chii-Wen Chen（Minghsin Univ. of Sci. and Tech.）・Yao-Tsung Tsai（National Central Univ.）

(3) 11:20 - 11:35
The Analysis of the Floating Field Limiting Ring and Field Plate
○Chien-Nan Liao（National Central Univ.）・Jhih-Chao Huang・Feng-Tso Chien・Ching-Hwa Cheng（Feng Chia Univ.）・Yao-Tsung Tsai（National Central Univ.）

(4) 11:35 - 11:50
A Latchup-Free Power-Rail ESD Clamp Circuit with Stacked-Bipolar Devices in a High-Voltage Technology
○Jae-Young Park・Jong-Kyu Song・Chang-Soo Jang・Joon-Tae Jang・San-Hong Kim・Sung-Ki Kim・Taek-Soo Kim（Dongbu HiTek）

(5) 11:50 - 12:05
Three-Dimensional (3D) Integration of A Log Spiral Antenna for High-Directivity Plasmon-Resonant Terahertz Emitter
○HyunChul Kang・Takuya Nishimura・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ.）・Naoya Watanabe・Tanemasa Asano（Kyushu Univ.）

(6) 12:05 - 12:20
Spectral Narrowing Effect of a Novel Super-Grating Dual-Gate Structure for Plasmon-Resonant Terahertz Emitter
○Takuya Nishimura・Nobuhiro Magome・HyunChul Kang・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ.）

(7) 12:20 - 12:35
Performance Prediction of Deep Sub-nH Inductors for Millimeter-Wave Applications
○Sooyeon Kim・Yongho Oh・Jae-Sung Rieh（Korea Univ.）

−−−　昼食　（ 60分 ）　−−−

7月11日(金) 午前 セッション 7B: Si Devices III （10：50～12：35）

(1) 10:50 - 11:05
Novel Concept Dynamic Feedback MCML Technique for High-Speed and High-Gain MCML type D-Flip Flop
○Tetsuo Endoh・Masashi Kamiyanagi（Tohoku Univ.）

(2) 11:05 - 11:20
Impact of 180nm Current Controlled MCML for Realizing Stable Circuit Operations under Threshold Voltage Fluctuations
○Masashi Kamiyanagi・Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）

(3) 11:20 - 11:35
Implementation of Channel Thermal Noise Model in CMOS RFIC Design
○Jongwook Jeon・Ickhyun Song・Hyungcheol Shin（Seoul National Univ.）

(4) 11:35 - 11:50
CMOS Digitally Controlled Programmable Gain Amplifier (PGA) with DC Offset Cancellation
○Kyunghoon Kim・Jinwook Burn（Sogang Univ.）

(5) 11:50 - 12:05
Chip Design of a Successive Approximation A/D Converter for Structure Monitoring System
○Jae-Woon Kim・Jinwook Burm（Sogang Univ.）

(6) 12:05 - 12:20
Chip Design of Structure Monitoring Sensor Driving IC for Telemetrics Application
○Jun-Gyu Lee・Bae-Ki Jung・Jinwook Burm（Sogang Univ.）

(7) 12:20 - 12:35
The Data Analysis Technique of the Atomic Force Microscopy for the Atomically Flat Silicon Surface
○Masahiro Konda・Akinobu Teramoto・Tomoyuki Suwa・Rihito Kuroda・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）

−−−　昼食　（ 60分 ）　−−−

7月11日(金) 午後 セッション 8A: Si Devices IV （13：35～15：05）

(1) 13:35 - 13:50
Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4
○Hirotaka Kaku・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）

(2) 13:50 - 14:05
Study on Gate Around Transistor (GAT) Layout for Radiation Hardness
○Min-su Lee・Young-Soo Lee・Chul-Bum Kim・Young-Ho Kim（KAIST）・Byoung-Gon Yu・Hee Chul Lee（ETRI）

(3) 14:05 - 14:20
Low Power Pixel-Level ADC for a Micro-Bolometer
○Dong-Heon Ha・Chi Ho Hwang（KAIST）・Woo Seok Yang（ETRI）・Yong Soo Lee・Hee Chul Lee（KAIST）

(4) 14:20 - 14:35
A 425 MHz Narrow Channel Spacing Frequency Synthesizer
○Younwoong Chung・Junan Lee・Jinwook Burm（Sogang Univ）

(5) 14:35 - 14:50
A Novel 800mV Reference Current Source Circuit for Low-Power Low-Voltge Mixed-Mode Systems
○Oh Jun Kwon・Kae DalKwack（Hanyang Univ.）

(6) 14:50 - 15:05
A Novel 900mV Single-Stage Class-AB Amplifier for a Σ-Δ Modulator with the Switched-OPamp Technique
○Oh Jun Kwon・Kae Dal Kwack（Hanyang Univ.）

7月11日(金) 午後 セッション 9A: High-Frequency, Photonic and Sensing Devices （15：05～16：05）

(1) 15:05 - 15:20
24 GHz Low Noise Amplifier Design in 65 nm CMOS Technology with Inter-Stage Matching Optimization
○Ickhyun Song・Hakchul Jung・Hee-Sauk Jhon・Minsuk Koo・Hyungcheol Shin（Seoul National Univ.）

(2) 15:20 - 15:35
Reduced Branch-Line Coupler Using Eight Two-Step Stubs for W-Band Application of MMIC
○Tae-Jong Baek・Sang-Jin Lee・Min Han・Jin-Koo Rhee（Dongguk Univ.）

(3) 15:35 - 15:50
Design Consideration of High Power LED Arrays for Backlight Unit Applications
○Bong-Ryeol Park・Ho-Young Cha（Hongik Univ.）

(4) 15:50 - 16:05
Electrochemical Formation and Functionalization of InP Porous Nanostructures and Their Application to Chemical Sensors
○Akinori Mizohata・Naoki Yoshizawa・Taketomo Sato・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.）

7月11日(金) 午後 セッション 8B: Compound Semiconductor Device Process Technology （13：35～15：50）

(1) 13:35 - 13:50
W-band Single Balanced Mixer using High Performance Dot Schottky Diode
○Sang-Jin Lee・Jung-Hun Oh・Tae-Jong Baek・Mun-Kyo Lee・Dong-Sic Ko・Du-Hyun Ko・Hyun-Chang Park・Jin-Koo Rhee（Dongguk Univ.）

(2) 13:50 - 14:05
SiC MESFET Power Amplifier for 3.6 GHz-3.8 GHz WiMAX Application
○Jae-Kwon Kim・Kyunghwan Kim・Jinwook Burn（Sogang Univ.）

(3) 14:05 - 14:20
Heat Dissipation and the Nature of Negative-Differential-Resistance for GaAs Gunn Diodes
○M. R. Kim・S. D. Lee・J. S. Lee・N. S. Kwak・S. D. Kim・J. K. Rhee（Dongguk Univ.）・W. J. Kim（ADD）

(4) 14:20 - 14:35
AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire
○Tomohiro Murata・Masayuki Kuroda（Matsushita Electric Industrial）・Shuichi Nagai（Panasonic Boston Lab.）・Masaaki Nishijima・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Hiroyuki Sakai・Tsuyoshi Tanaka（Matsushita Electric Industrial）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）

(5) 14:35 - 14:50
Simulation of Tunneling Contact Resistivity in Non-polar AlGaN/GaN Heterostructures
○Hironari Chikaoka・Youichi Takakuwa・Kenji Shiojima・Masaaki Kuzuhara（Univ. of Fukui）

(6) 14:50 - 15:05
AlGaN/GaN-HEMTs on SiC with SiN Passivation Film Grown by Thermal CVD
○Hideyuki Okita・Shinichi Hoshi・Toshiharu Marui・Masanori Itoh・Fumihiko Toda・Yoshiaki Morino・Isao Tamai・Yoshiaki Sano・Shohei Seki（OKI Electric Industry）

(7) 15:05 - 15:20
Characterization of GaN Surfaces After High-Temperature Annealing and Carbon Diffusion
○Takeshi Kimura・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.）

(8) 15:20 - 15:35
Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching
○Takayuki Sawada・Yuta Kaizuka・Kensuke Takahashi・Kazuaki Imai（Hokkaido Inst. of Tech.）

(9) 15:35 - 15:50
Observation of Regions with Low Schottky Barrier Height in 4H-SiC by the Electrochemical Deposition
○Masashi Kato・Hidenori Ono・Kazuya Ogawa・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）

基調講演：発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分
招待講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
一般講演：発表 10 分 ＋ 質疑応答 5 分

◆共催 The Institute of Electronics Engineers of Korea (IEEK)

◎協賛 IEEE Electron Devices Society (EDS) Japan Chapter, IEICE Electronics Society, Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation (Hokkaido University)


☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

8月4日(月)～5日(火)　静岡大学浜松キャンパス　[5月21日(水)]　テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術
10月23日(木)　九州工業大学　[8月10日(日)]　テーマ：パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般

【問合先】
高谷 信一郎（日立中研）
TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738
E-mail: crl
村田 浩一（NTT)
TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872
E-mail： aecl
原 直紀 （富士通研究所）
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E-mail : o
津田 邦男（東芝）
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E-mail : oba

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

7月17日(木)～18日(金)　機械振興会館　[5月16日(金)]　テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
10月9日(木)～10日(金)　東北大学　[8月1日(金)]　テーマ：プロセス科学と新プロセス技術

【問合先】
川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E-mail geba

☆研究会


Last modified: 2008-06-25 22:18:33


ご注意： 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております．ご了承ください．
[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 
[研究会発表・参加方法，FAQ] ※ ご一読ください
 
[ED研究会のスケジュールに戻る]   /   [SDM研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 

[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]
IEICE / 電子情報通信学会