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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 山村 毅 (富士通研)
副委員長 藤島 実 (広島大)
幹事 松岡 俊匡 (阪大), 渡辺 理 (東芝)
幹事補佐 大内 真一 (産総研), 吉田 毅 (広島大), 土谷 亮 (京大), 範 公可 (電通大)

日時 2013年 8月 1日(木) 09:00 - 17:10
2013年 8月 2日(金) 09:00 - 17:20
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 金沢大学 角間キャンパス 自然科学本館1F 大会議室 
住所 〒920-1192 金沢市角間町
会場世話人
連絡先
金沢大学大学院 自然科学研究科 松田吉雄
076-234-4861
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter共催
お知らせ ◎第1日目の研究会終了後,懇親会を予定していますので,奮ってご参加ください.
会場(予定):松魚亭 〒920-0831 金沢市東山1丁目38-30
http://www.asadaya.co.jp/shougyotei/

8月1日(木) 午前 
09:00 - 17:10
(1) 09:00-09:25 SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析 ○森 貴之・井田次郎(金沢工大)
(2) 09:25-09:50 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上 ○森田行則・森 貴洋・右田真司・水林 亘・田邊顕人・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴・大内真一・柳 永シュン・昌原明植・太田裕之(産総研)
(3) 09:50-10:15 マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針 ○宮田俊敬・川中 繁・外園 明・大黒達也・豊島義明(東芝)
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(4) 10:25-11:10 [招待講演]これからの集積回路技術:部品からの脱却 ○益 一哉(東工大)
(5) 11:10-11:55 [招待講演]三次元積層技術の世界動向と日本のこれからの取組み ○池田博明(ASET)
  11:55-13:00 昼食 ( 65分 )
(6) 13:00-13:45 [招待講演]Tera-Scale Three-Dimensional Integration (3DI) using Bumpless TSV Interconnects ○Takayuki Ohba(Tokyo Inst. of Tech.)
(7) 13:45-14:30 [招待講演]貫通シリコンビアとアクティブインタポーザを用いた4096 bit幅100 GByte/秒ワイドI/Oの設計と診断 ○永田 真・高谷 聡(神戸大)・池田博明(ASET)
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(8) 14:40-15:25 [招待講演]方向性結合器を用いた携帯機器用途向け0.15mm厚非接触コネクタ ○小菅敦丈・水原 渉・四手井綱章・竹谷 勉・三浦典之・田口眞男・石黒仁揮・黒田忠広(慶大)
  15:25-15:40 休憩 ( 15分 )
(9) 15:40-17:10 [パネル討論]3D Integration:何を、いつから期待する? ○益 一哉(東工大)・池田博明(ASET)・永田 真(神戸大)・高橋健司(東芝)・大場隆之(東工大)・鈴木大介(Pezy Computing)
8月2日(金) 午前 
09:00 - 17:20
(10) 09:00-09:25 SRAMセル安定性指標パラメータの検討:ノイズマージンかVminか? ○Anil Kumar・更屋拓哉(東大)・宮野信治(半導体理工学研究センター)・平本俊郎(東大)
(11) 09:25-09:50 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 ○水谷朋子(東大)・山本芳樹・槇山秀樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之(超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎(東大)
(12) 09:50-10:15 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM ○新居浩二・薮内 誠・藤原英弘・塚本康正・石井雄一郎(ルネサス エレクトロニクス)・松村哲哉(日大)・松田吉雄(金沢大)
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(13) 10:25-10:50 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM ○梅本由紀子・新居浩二・石川次郎・薮内 誠・塚本康正・田中信二・田中浩司・森 和孝・柳沢一正(ルネサス エレクトロニクス)
(14) 10:50-11:15 28nmHKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123uWスタンバイ電力技術 ○福岡一樹・森 涼・加藤 章・五十嵐満彦・澁谷宏治・山木貴志・新居浩二・森田貞幸・小池貴夫(ルネサス エレクトロニクス)・阪本憲成(ルネサス モバイル)
(15) 11:15-12:00 [招待講演]時間領域アナログ&デジタル混成信号処理技術を用いたLDPC復号回路 ○宮下大輔・山城 遼(東芝)・橋吉和典(東芝マイクロエレクトロニクス)・小林弘幸・香西昌平・大脇幸人・畝川康夫(東芝)
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
(16) 13:00-13:25 広範囲動作非同期制御回路を用いた0.4-1V動作逐次比較型ADC ○富山陽介・志方 明・吉岡健太郎・関本竜太・黒田忠広・石黒仁揮(慶大)
(17) 13:25-13:50 Boosted Power Gatingを用いた超低電圧ナノワット動作完全非同期型SAR ADC ○齋藤 涼・関本竜太・志方 明(慶大)
(18) 13:50-14:15 MOSFETの動作領域の統一によるD/Aコンバータの線形性の向上 ○蓬田拓夢・範 公可(電通大)
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(19) 14:25-15:10 [招待講演]ミッションクリティカルUNIXサーバ向け第10世代16コアSPARC64プロセッサ ○菅 竜二・田中智浩・杉崎 剛・西山龍一・酒林聰太(富士通)・小柳洋一(富士通研)・岩月竜二・早坂和美(富士通)・上村大樹(富士通セミコンダクター)・伊藤 学・小関由知・安達裕幸・古谷和弘・本車田 強(富士通)
(20) 15:10-15:55 [招待講演]LTE対応コミュニケーションプロセッサR-MobileU2における電力制御技術 ~ Power saverによるクロック制御手法 ~ 藤ヶ谷誠希・阪本憲成・小池貴夫・入田隆宏・若原康平・松山嗣生・長谷川敬司・齋藤俊治・福田 章・寺西 要(ルネサス モバイル)・福岡一樹・前田徳章・新居浩二(ルネサス エレクトロニクス)・○片岡 健・服部俊洋(ルネサス モバイル)
  15:55-16:05 休憩 ( 10分 )
(21) 16:05-16:30 バルク制御によるオペアンプの入力同相電圧広域化 ○大澤 衛・範 公可(電通大)
(22) 16:30-16:55 アフィン動きモデル推定プロセッサの顔器官追跡への応用 ○森田峻介・深山正幸・松田吉雄(金沢大)
(23) 16:55-17:20 太陽電池駆動5mm角ワイヤレスセンサノードを実現するフィードバック型ソースフォロワを採用した間欠送信回路 ○松永賢一・大嶋尚一・森村浩季・原田 充(NTT)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E--mail: o 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 松岡 俊匡 (大阪大学)
TEL 06-6879-7792,FAX 06-6879-7792
E--mail:eeieng-u 


Last modified: 2013-07-08 13:57:22


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