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★電子部品・材料研究会（CPM）
専門委員長　安井寛治 (長岡技科大)　　副委員長　竹村泰司 (横浜国大)
幹事　大庭直樹 (NTT)，野毛悟 (沼津高専)
幹事補佐　今井欽之 (NTT)，阿部克也 (信州大)

日時　2009年10月29日(木)　14：00～17：30
　　　2009年10月30日(金)　09：00～11：40

会場富山県立大学工学部 L棟2階L205会議室（富山県射水市黒河5180．JR小杉駅南口より徒歩約25分、タクシー約5分。 JR小杉駅南口バス停のりば小杉駅・太閤山線（8：39から1時間間隔で発車）または小杉地区循環線（8：35から2時間間隔）「富山県立大学前」下車徒歩1分。http://www.pu-toyama.ac.jp/access/campus.html．富山県立大学工学部安達正利．0766-56-7500）

議題薄膜プロセス・材料、一般

10月29日(木) 午後（14：00～17：30）

(1) 14:00 - 14:25
硫化法によるCZTS薄膜太陽電池
○関　拓郎・五十嵐重雄・漢人康善（信州大）・百瀬成空（長野高専）・橋本佳男・伊東謙太郎（信州大）

(2) 14:25 - 14:50
低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価
○佐野裕紀・都築　暁・梅田卓司・成田　克・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）

(3) 14:50 - 15:15
有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成
○橋本将貴・鈴木貴彦・成田　克・廣瀬文彦（山形大）

(4) 15:15 - 15:40
塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成
○廣瀬文彦・鹿又健作・成田　克（山形大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(5) 15:50 - 16:15
反応性RFスパッタリングによるCuInO2薄膜の作製と評価
○小川　翼・倉石央騎・小林由貴・山上朋彦・林部林平・阿部克也（信州大）

(6) 16:15 - 16:40
絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価
○斉藤裕史・萩野達也・松本純樹・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大）

(7) 16:40 - 17:05
単層カーボンナノチューブとポリイミド複合体の微細パターン形成技術と電界電子放出特性
○石山勝也・伊東栄次（信州大）

(8) 17:05 - 17:30
ディッピング法によって溶液から析出するC60結晶成長～ハイパフォーマンス・ナノスケール電界効果型C60トランジスタの簡易作製を目指して～
○岩田展幸・栗原浩平・飯尾靖也・山本　寛（日大）

10月30日(金) 午前（09：00～11：40）

(9) 09:00 - 09:25
Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価
○黒田朋義・大谷孝史・加藤有行・高田雅介・赤羽正志・安井寛治（長岡技科大）

(10) 09:25 - 09:50
タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカルアニールによるZnO:Al薄膜の低抵抗化
大島　穣・田原将巳・モハマドハニフ（長岡技科大）・片桐裕則・新保和夫（長岡高専）・黒木雄一郎・高田雅介・○安井寛治（長岡技科大）

(11) 09:50 - 10:15
高濃度BドープSi/SiGeB多層膜の熱電特性
○的場彰成・佐々木公洋（金沢大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(12) 10:25 - 10:50
制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO2薄膜のアニール効果の検討
○猪阪直也・周　英・佐々木公洋（金沢大）

(13) 10:50 - 11:15
スパッタ法によるSrAl2O4薄膜の高速堆積法の検討
○纐纈正和・久野敬史・齋藤　稔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎（新潟大）

(14) 11:15 - 11:40
スパッタ法によるMg系合金薄膜の特性の検討
○岡田智弘・清水健児・丹内俊郎・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎（新潟大）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分

◆富山県立大学工学部

☆CPM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

11月19日(木)～20日(金)　徳島大学（常三島キャンパス・工業会館）　[9月18日(金)]　テーマ：窒化物及び混晶半導体デバイス
12月2日(水)～4日(金)　高知市文化プラザ　[9月14日(月)]　テーマ：デザインガイア2009 ―VLSI設計の新しい大地―

【問合先】
阿部克也（信州大学）
E-mail: abe