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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 津田 邦男 (東芝インフラシステムズ) 副委員長 須原 理彦 (首都大) 幹事 東脇 正高 (NICT)， 大石 敏之 (佐賀大) 幹事補佐 岩田 達哉 (豊橋技科大)， 小谷 淳二 (富士通研) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 廣瀬 文彦 (山形大) 副委員長 武山 真弓 (北見工大) 幹事 中村 雄一 (豊橋技科大)， 赤毛 勇一 (NTTデバイスイノベーションセンタ) 幹事補佐 木村 康男 (東京工科大)， 中澤 日出樹 (弘前大)， 寺迫 智昭 (愛媛大) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 浜本 貴一 (九大) 副委員長 有賀 博 (三菱電機) 幹事 八木 英樹 (住友電工)， 川北 泰雅 (古河電工) 幹事補佐 永井 正也 (阪大) 日時 2018年11月29日(木) 12：55～16：55 2018年11月30日(金) 09：00～15：25 会場 名古屋工業大学 窒化物半導体マルチビジネス創生センター 56号館（〒466-8555 名古屋市昭和区御器所町．http://www.nitech.ac.jp/access/index.html#a2．名古屋工業大学 久保俊晴．052-735-5591） 議題 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 (1) 12:55 - 13:00 開会のあいさつ 津田 邦男（東芝） 11月29日(木) 午後 LQE1 （13：00～14：15） 座長: 川口真生(Panasonic) (1) 13:00 - 13:25 GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 ○船戸 充・市川修平・川上養一（京大） (2) 13:25 - 13:50 c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） (3) 13:50 - 14:15 AlGaN深紫外LDの実現に向けた最近の進展 ○前田哲利（理研）・山田陽一（山口大）・定 昌史・平山秀樹（理研） 11月29日(木) 午後 ED1 （14：15～15：05） 座長: 大石敏之（佐賀大） (4) 14:15 - 14:40 GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ○梶原瑛祐・新留 彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） (5) 14:40 - 15:05 n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ○塩島謙次・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月29日(木) 午後 CPM1 （15：15～16：55） (6) 15:15 - 15:40 ナノインプリントによるモスアイ構造作製法に関する評価実験 ○平賀健太・久保田 繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大） (7) 15:40 - 16:05 ALD法を用いたフレキシブルフィルム上へのゼオライト薄膜の試作とイオン吸着特性評価 ○森 義晴・野口雄祐・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） (8) 16:05 - 16:30 フォト電極修飾によるCdS量子ドット太陽電池の効率向上に関する研究 ○木幡優弥・三浦正範・鹿又健作・久保田 繁・廣瀬文彦・有馬 ボシール アハンマド（山形大） (9) 16:30 - 16:55 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製 ○季 ぶん・市村正也（名工大） 11月30日(金) 午前 ED2 （09：00～09：50） 座長: 久保俊晴（名工大） (10) 09:00 - 09:25 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ○細見大樹・古岡啓太・陳 珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大） (11) 09:25 - 09:50 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 ○古岡啓太・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） 11月30日(金) 午前 CPM2 （09：50～11：40） 座長: 久保俊晴（名工大）/津田 邦男（東芝） (12) 09:50 - 10:15 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 岡田英之・○寺迫智昭・五丁健治・林本直也（愛媛大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (13) 10:25 - 10:50 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成 小原翔平・○寺迫智昭・難波 優・橋国直人（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・野本淳一・山本哲也（高知工科大） (14) 10:50 - 11:15 電気化学堆積法によるp-NiO/n-ZnO透明太陽電池の作製 ○古山実季・市村正也（名工大） (15) 11:15 - 11:40 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ○梅村将成・市村正也（名工大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 11月30日(金) 午後 LQE2 （12：40～15：25） 座長: 江川孝志(名工大)/山口敦史(金沢工大) (16) 12:40 - 13:05 SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ○飯田涼介（名城大）・林 菜摘，村永 亘・岩山 章・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） (17) 13:05 - 13:30 InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 ○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） (18) 13:30 - 13:55 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 ○大島一輝・池田優真・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (19) 14:05 - 14:30 r面サファイア上a面AlNスパッタ膜の高品質化と特性評価 ○福田 涼・正直花奈子・蒋 楠・上杉謙次郎・林 侑介・肖 世玉・三宅秀人（三重大） (20) 14:30 - 14:55 Recent Progress towards realizing GaN/AlGaN Quantum Cascade Lasers ○Ke Wang・Li Wang・Lin Tsung Tse・Hideki Hirayama（RIKEN） (21) 14:55 - 15:20 GaN系フォトニック結晶レーザ実現のためのMOVPE空孔形成法の検討 ○小泉朋朗・江本 渓（スタンレー電気）・石崎賢司・デ ゾイサ メーナカ・田中良典（京大）・園田純一（スタンレー電気）・野田 進（京大） (22) 15:20 - 15:25 閉会のあいさつ 浜本 貴一(九大) 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月17日(月)～18日(火) 東北大・通研 [10月18日(木)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2019年1月17日(木)～18日(金) 日立中研 [11月14日(水)] テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般 【問合先】 東脇 正高（情報通信研究機構） TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527 E-mail : m       大石 敏之(佐賀大学) TEL : 0952-28-8642 E-mail :oi 104cc  -u ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月5日(水)～7日(金) サテライトキャンパスひろしま [10月8日(月)] テーマ：デザインガイア2018 -VLSI設計の新しい大地- 2019年2月28日(木)～2019年3月1日(金) (予定) 電通大 [1月28日(月)] テーマ：若手ミーティング ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月6日(木)～7日(金) 慶應義塾大学 [10月12日(金)] テーマ：Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) 2019年1月17日(木)～18日(金) 大阪大学中之島センター [11月15日(木)] テーマ：フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 【問合先】 八木 英樹（住友電気工業） TEL 045-851-2174 E-mail:  gi-de  i 川北 泰雅（古河電気工業） TEL 045-311-1219 E-mail:        elect c ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2018-11-28 16:46:48 |
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