5月16日(木) 午後
13:00 - 17:30 |
| (1) |
13:00-13:25 |
Siワイヤサーモパイルの熱起電力に与えるフォノンドラッグ効果の考察 |
○鈴木悠平・ホティマトゥル ファウジア（静岡大）・鎌倉良成（阪工大）・渡邉孝信（早大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・池田浩也（静岡大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性 |
○橘 茉優・園井柊平・石川靖彦（豊橋技科大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型全加算器の研究 |
○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (4) |
14:15-14:40 |
大気圧CVD法による酸化スズナノワイヤーのＶＬＳ成長とガスセンシング特性 |
○寺迫智昭・倉重利規・丸井秀之・真鍋 豪（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・森 雅美・定岡芳彦（愛媛大） |
| (5) |
14:40-15:05 |
貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価 |
○野口恭甫（豊橋技科大）・西村道治（東大）・松井純爾・津坂佳幸（兵庫県立大）・石川靖彦（豊橋技科大） |
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15:05-15:25 |
休憩 （ 20分 ） |
| (6) |
15:25-16:15 |
［招待講演］シリコンにおける電子―電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター |
○小野行徳（静岡大） |
| (7) |
16:15-16:40 |
CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 |
○李 遠霖・福地 厚・有田正志（北大）・森江 隆（九工大）・高橋庸夫（北大） |
| (8) |
16:40-17:05 |
論理ゲートイジング計算機におけるビット間結合パラメータの検討 |
○三木 司・伊藤光樹・櫛谷優希・平田鷹介・島田萌絵・白樫淳一（東京農工大） |
| (9) |
17:05-17:30 |
2次元イジング計算機におけるスピン判定論理と演算特性 |
○島田萌絵・伊藤光樹・櫛谷優希・平田鷹介・三木 司・白樫淳一（東京農工大） |
5月17日(金)
08:50 - 12:25 |
| (10) |
08:50-09:15 |
GAを用いた実験パラメータ進化手法とAu原子接合の自動形成 |
○竹林敬太・櫻井拓哉・平田鷹介・白樫淳一（東京農工大） |
| (11) |
09:15-09:40 |
アクティブスクリーンプラズマによる窒化とその表面構造解析 |
○市村 進・高島成剛（名古屋産業振興公社）・水流一平・大久保大地・松尾英明・後藤峰男（中日本炉工業） |
| (12) |
09:40-10:05 |
Sol-gel法による太陽光発電用MgZnO薄膜の研究 |
○井上 翔・高野 泰（静岡大） |
| (13) |
10:05-10:30 |
化学溶液析出法によるZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合による紫外光検出 |
○寺迫智昭・小原翔平・難波 優・橋国直人（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大） |
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10:30-10:45 |
休憩 （ 15分 ） |
| (14) |
10:45-11:10 |
ウェアラブル発電デバイスのためのフレキシブル材料の熱電特性評価 |
○池田浩也・カーン ファイザン・大久保美沙・アロクヤサミ ペリヤナヤガ クリスティ（静岡大）・山川俊貴（熊本大）・池田和司（奈良先端大）・下村 勝・村上健司・早川泰弘（静岡大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・鈴木悠平（静岡大） |
| (15) |
11:10-11:35 |
ナノ人工物メトリクスのための２次元ランダム構造形成プロセス最適化と電気的読出しの実験的検討 |
呂 任鵬・清水克真・殷 翔（北大）・上羽陽介・石川幹雄・北村 満（大日本印刷）・○葛西誠也（北大） |
| (16) |
11:35-12:00 |
マイクロ波表面波プラズマCVDを用いたGrapheneの直接成長とその分析 |
○市村 進（名古屋産業振興公社）・Riteshkumar Ratneshkumar Vishwakarma・Zhu Rucheng・梅野正義（シーズテクノ） |
| (17) |
12:00-12:25 |
窒化物半導体集積回路プロセスの検討 ～ Siイオン注入による閾値制御の試み ～ |
○岡田 浩・横山太一・三輪清允・山根啓輔・若原昭浩・関口寛人（豊橋技科大） |
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