研究会開催プログラム - 2009-05-ED-CPM-SDM

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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　渡辺重佳 (湘南工科大)
副委員長　杉井寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事　川中繁 (東芝)，安斎久浩 (ソニー)
幹事補佐　大見俊一郎 (東工大)

★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　葛原正明 (福井大)　　副委員長　橋詰保 (北大)
幹事　村田浩一 (NTT)
幹事補佐　原直紀 (富士通研)，津田邦男 (東芝)

★電子部品・材料研究会（CPM）
専門委員長　上村喜一 (信州大)　　副委員長　安井寛治 (長岡技科大)
幹事　清水英彦 (新潟大)，大庭直樹 (NTT)
幹事補佐　竹村泰司 (横浜国大)，今井欽之 (NTT)

日時　2009年 5月14日(木)　13：30～17：05
　　　2009年 5月15日(金)　09：00～14：40

会場豊橋技術科学大学サテライトオフィス（テクノスU）（豊橋市松葉町２－１０．豊橋駅より徒歩約５分．https://www.ieice.org/~ed/jpn/access%20tecknos-U.pdf．豊橋技術科学大学電気・電子工学系若原昭浩）

議題結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料）

5月14日(木) 午後（13：30～17：05）

(1) 13:30 - 13:55
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
○以西雅章・倉地雄史・山田典史・武内俊憲・宝珍敬志（静岡大）

(2) 13:55 - 14:20
青色EL素子用SrS：Cu薄膜の評価
○山田典史・宝珍敬志・以西雅章（静岡大）

(3) 14:20 - 14:45
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成における石英円筒の効果
○細川貴之・関川智士・以西雅章（静岡大）

(4) 14:45 - 15:10
Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価
○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(5) 15:25 - 15:50
RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成と光触媒特性
○伊藤達也・遠藤立弥・以西雅章（静岡大）・境　哲也・星　陽一（東京工芸大）

(6) 15:50 - 16:15
A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications
○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）

(7) 16:15 - 16:40
第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析
○中島佑基・市村正也（名工大）

(8) 16:40 - 17:05
Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO2 Substrates
○Akihiko Hiroe・Tetsuya Goto・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）

5月15日(金) 午前（09：00～11：45）

(9) 09:00 - 09:25
Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method
○Govindasamy Rajesh・Hisashi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Akira Tanaka（Shizuoka Univ.）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Inst. of Science and Tech.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）

(10) 09:25 - 09:50
Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長
○山口雅史・白　知鉉・市橋弘英・堀内　功（名大）・澤木宣彦（愛知工大）

(11) 09:50 - 10:15
Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLP
○Mouleeswaran Deivasigamani.・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(12) 10:30 - 10:55
MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長
○高木達也・岡本拓也・福家俊郎・高野　泰（静岡大）

(13) 10:55 - 11:20
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用
○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田　浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）

(14) 11:20 - 11:45
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性
○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田　浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）

5月15日(金) 午後（13：00～14：40）

(15) 13:00 - 13:25
AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光
○武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス）

(16) 13:25 - 13:50
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長
○馬　ベイ・宮川鈴衣奈・胡　衛国・三宅秀人・平松和政（三重大）

(17) 13:50 - 14:15
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価
○田島正文・橋詰　保（北大）

(18) 14:15 - 14:40
GaNの電気化学酸化による表面制御
○原田脩央・塩崎奈々子・橋詰　保（北大）

◎5月14日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

6月19日(金)　東京大学（生産研An棟）　[4月14日(火)]　テーマ：ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催）
6月24日(水)～26日(金)　海雲台グランドホテル（釜山、韓国）　[4月10日(金)]　テーマ：第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009)
7月16日(木)～17日(金)　東工大大岡山キャンパス国際交流会館　[5月13日(水)]　テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

【問合先】
川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E-mail

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

6月11日(木)～12日(金)　東京工業大学　[4月15日(水)]　テーマ：半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般
6月24日(水)～26日(金)　海雲台グランドホテル（釜山、韓国）　[4月10日(金)]　テーマ：第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009)
7月30日(木)～31日(金)　大阪大学（銀杏会館）　[5月23日(土)]　テーマ：センサーデバイス，MEMS，一般

【問合先】
村田浩一（NTT)
TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872
E-mail：

aecl

原直紀（富士通研究所）
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E-mail :

津田邦男（東芝）
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E-mail :

☆CPM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

6月19日(金)　機械振興会館　[4月21日(火)]　テーマ：材料デバイスサマーミーティング
8月10日(月)～11日(火)　弘前大学　[6月19日(金)]　テーマ：電子部品・材料，一般
8月20日(木)～21日(金)　東北大学　[6月19日(金)]　テーマ：光部品・電子デバイス実装技術、一般

【問合先】
清水英彦（新潟大学）
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E-mail: