4月29日(水) 午後
12:50 - 18:10 |
| (1) |
12:50-13:15 |
ITO電極とチトクロームcの直接電子移動反応のスラブ光導波路分光法を用いるその場観察 ～ ホスホン酸自己組織化単分子膜形成の効果 ～ |
○松田直樹・岡部浩隆・長村利彦（産総研） |
| (2) |
13:15-13:40 |
ダイヤモンド粉末の光学活性官能基化学修飾および不斉認識挙動 |
○中村挙子・大花継頼・土屋哲男（産総研）・坪田敏樹（九工大） |
| (3) |
13:40-14:05 |
アフィニティーキャピラリー電気泳動の解き明かす酵素活性中心の配位化学 |
○壹岐伸彦・佐藤陽介（東北大） |
| (4) |
14:05-14:30 |
マイクロカプセル内の酵母細胞における解糖系振動現象および同期現象 |
○雨宮 隆・小長谷耕平・平松直樹（横浜国大）・柴田賢一（東洋大）・伊藤公紀（横浜国大） |
| (5) |
14:30-15:10 |
［招待講演］ナノメディシンの設計と機能 |
○長崎幸夫（筑波大） |
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15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (6) |
15:20-15:45 |
高屈折率高アッベ数ハイブリッド材料 |
○杉原興浩（宇都宮大）・蔡 斌（上海理工大）・戒能俊邦（東北大） |
| (7) |
15:45-16:25 |
［招待講演］通常光による上方エネルギー変換と表面プラズモン共鳴 |
○長村利彦（産総研/北九州高専）・竹原健司・山根大和（北九州高専）・川井秀記（静岡大）・松田直樹（産総研） |
| (8) |
16:25-17:05 |
［招待講演］クラスタ除去によるa-Si太陽電池の光劣化抑制 |
○白谷正治・都甲 将・鳥越祥宏・毛屋公孝・古閑一憲（九大） |
| (9) |
17:05-17:30 |
フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響 |
○古田 守・ジャン ジンシン・辰岡玄悟・王 大鵬（高知工科大） |
| (10) |
17:30-18:10 |
フレキシブルデバイス作製のための低線膨張率ポリイミド基板 |
○奥山哲雄（東洋紡） |
4月30日(木) 午前
10:00 - 15:20 |
| (11) |
10:00-10:40 |
［招待講演］高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ～ 直接遷移構造化を目指して ～ |
○黒澤昌志・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） |
| (12) |
10:40-11:05 |
フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 |
○松村 亮（九大/学振）・知北大典・甲斐友樹・佐々木雅也・佐道泰造・池上 浩・宮尾正信（九大） |
| (13) |
11:05-11:30 |
非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすTEOS-SiO2キャップ層の影響 |
○工藤和樹・草野欽太・酒井崇嗣（熊本高専）・本山慎一・楠田 豊・古田真浩（サムコ）・中 庸行・沼田朋子（堀場製作所）・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） |
| (14) |
11:30-11:55 |
面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長 |
○野満建至・岡本隼人・工藤康平・坂口大成・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） |
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11:55-13:00 |
休憩 （ 65分 ） |
| (15) |
13:00-13:25 |
大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 |
○森崎誠司・林 将平・山本将悟・中谷太一・東 清一郎（広島大） |
| (16) |
13:25-13:50 |
青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析 |
○岡田竜弥・神村盛太・野口 隆（琉球大） |
| (17) |
13:50-14:15 |
レーザーアニールによる低抵抗結晶化Si薄膜 |
○野口 隆・岡田竜弥（琉球大） |
| (18) |
14:15-14:40 |
ガラス上の自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温CLC poly-Si TFTの特性 |
○大澤弘樹・佐々木 駿・原 明人（東北学院大） |
| (19) |
14:40-15:20 |
［チュートリアル講演］コーニングの先進ガラス技術の紹介 |
○伊藤丈二（コーニング） |
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