6月17日(木) 午後
13:00 - 17:05 |
| (1) |
13:00-13:25 |
InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長 |
○岩杉達矢・カマセ サラ・角田 梓・中谷公彦・森 雅之・前澤宏一（富山大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 |
○滝田隼人・橋本紀彦・工藤昌宏・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用 |
○佐藤威友・吉澤直樹・岡崎拓行・橋詰 保（北大） |
| |
14:15-14:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
14:25-14:50 |
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析 |
○鈴木寿一・田中成明（北陸先端大） |
| (5) |
14:50-15:15 |
リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価 |
○向野美郷・山田直樹・徳田博邦・葛原正明（福井大） |
| (6) |
15:15-15:40 |
高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 |
○山下良美・渡邊一世・遠藤 聡・広瀬信光・松井敏明（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） |
| |
15:40-15:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (7) |
15:50-16:15 |
AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響 |
○東脇正高（NICT/JST/カリフォルニア大）・Srabanti Chowdhury・Brian L. Swenson・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大） |
| (8) |
16:15-16:40 |
AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈 |
○水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） |
| (9) |
16:40-17:05 |
トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響 |
○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕佑・岸本 茂・水谷 孝（名大） |
6月18日(金) 午前
10:00 - 12:40 |
| (10) |
10:00-10:25 |
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 |
○本間嵩広・渡邉久巨・原 紳介・藤代博記（東京理科大） |
| (11) |
10:25-10:50 |
微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 |
○板垣陽介・浅川澄人・新屋秀秋・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） |
| (12) |
10:50-11:15 |
低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化 |
○廣瀬文彦・佐野裕紀・都築 暁・鈴木貴彦（山形大） |
| |
11:15-11:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (13) |
11:25-11:50 |
欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去 |
○高橋昌男・東 裕子・成田比呂晃・岩佐仁雄・小林 光（阪大/JST） |
| (14) |
11:50-12:15 |
ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン |
○渡辺大祐（ダイキン工業）・木村千春・青木秀充（阪大） |
| (15) |
12:15-12:40 |
メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価 |
○青木秀充・原 誠・増住拓朗・呂 志明・九鬼知博・木村千春・杉野 隆（阪大） |
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