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信頼性研究会(R) [schedule] [select]
専門委員長 海生 直人 (広島修道大)
副委員長 渡邉 均 (東京理科大)
幹事 木村 光宏 (法政大), 馬渡 宏泰 (NTT)
幹事補佐 安里 彰 (富士通), 田村 信幸 (防衛大)

日時 2011年 5月13日(金) 13:30 - 17:40
議題 LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,および信頼性一般 
会場名 高知市文化プラザ「かるぽーと」9階第3学習室 
住所 〒780-8529 高知市九反田2-1
交通案内 はりまや橋から徒歩5分
http://www.bunkaplaza.or.jp/access/index.html
会場世話人
連絡先
高知工科大学 眞田 克 先生
0887-57-2118(会場・代表)
他の共催 ◆IEEE Reliability Society Japan Chapter共催 日本信頼性学会協賛
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定しております.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月13日(金) 午後 
13:30 - 17:40
(1) 13:30-14:10 [招待講演]レーザSQUID顕微鏡,レーザテラヘルツ放射顕微鏡,関連シミュレーションの統合的/選択的利用 ~ 電気的非接続でのLSIチップ故障箇所絞り込み手法 ~ R2011-8 二川 清阪大)・山下将嗣理研)・松本 徹浜松ホトニクス)・三浦克介御堂義博中前幸治阪大
(2) 14:10-14:35 走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察 R2011-9 本田耕一郎富士通研)・長 康雄東北大
(3) 14:35-15:00 XRDを用いたカーボンナノチューブ構造体の結晶構造解析法 R2011-10 古田 寛高知工科大
(4) 15:00-15:25 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム R2011-11 古田 守平松孝浩松田時宜平尾 孝高知工科大)・鎌田雄大藤田静雄京大
  15:25-15:45 休憩 ( 20分 )
(5) 15:45-16:25 [招待講演]レーザ励起による準静電界を用いた故障解析手法 R2011-12 伊藤誠吾滝口清昭東大
(6) 16:25-16:50 量子ドットセルオートマトンPLAの信頼性評価 R2011-13 三浦克介野津孝行中前幸治阪大
(7) 16:50-17:15 半導体製造工場における歩留解析システムの紹介 姫野伸吾東芝
(8) 17:15-17:40 CMOSトランジスタの動作点解析による故障箇所の特定 R2011-14 岸 和敬眞田 克高知工科大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
R 信頼性研究会(R)   [今後の予定はこちら]
問合先 木村光宏(法政大学)
TEL 042-387-6116
FAX 042-387-6126
E-: mi 


Last modified: 2011-03-24 13:53:25


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