電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム		 技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップ  戻る   前のR研究会 / 次のR研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


信頼性研究会（R） [schedule] [select]
専門委員長 海生 直人 (広島修道大)
副委員長 渡邉 均 (東京理科大)
幹事 木村 光宏 (法政大)， 馬渡 宏泰 (NTT)
幹事補佐 安里 彰 (富士通)， 田村 信幸 (防衛大)

日時 2011年 5月13日(金)　13:30 - 17:40
議題 ＬＳＩを含む電子デバイスの評価・解析・診断，および信頼性一般 
会場名 高知市文化プラザ「かるぽーと」９階第３学習室 
住所 〒780-8529 高知市九反田2-1
交通案内 はりまや橋から徒歩５分
http://www.bunkaplaza.or.jp/access/index.html
会場世話人
連絡先		 高知工科大学 眞田 克 先生
0887-57-2118（会場・代表）
他の共催 ◆IEEE Reliability Society Japan Chapter共催 日本信頼性学会協賛
お知らせ ◎研究会終了後，懇親会を予定しております．

5月13日(金) 午後 
13:30 - 17:40
(1) 13:30-14:10 ［招待講演］レーザSQUID顕微鏡，レーザテラヘルツ放射顕微鏡，関連シミュレーションの統合的／選択的利用 ～ 電気的非接続でのLSIチップ故障箇所絞り込み手法 ～ ○二川　清（阪大）・山下将嗣（理研）・松本　徹（浜松ホトニクス）・三浦克介・御堂義博・中前幸治（阪大）
(2) 14:10-14:35 走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察 ○本田耕一郎（富士通研）・長　康雄（東北大）
(3) 14:35-15:00 XRDを用いたカーボンナノチューブ構造体の結晶構造解析法 ○古田　寛（高知工科大）
(4) 15:00-15:25 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム ○古田　守・平松孝浩・松田時宜・平尾　孝（高知工科大）・鎌田雄大・藤田静雄（京大）
  15:25-15:45 休憩　（ 20分 ）
(5) 15:45-16:25 ［招待講演］レーザ励起による準静電界を用いた故障解析手法 ○伊藤誠吾・滝口清昭（東大）
(6) 16:25-16:50 量子ドットセルオートマトンPLAの信頼性評価 ○三浦克介・野津孝行・中前幸治（阪大）
(7) 16:50-17:15 半導体製造工場における歩留解析システムの紹介 ○姫野伸吾（東芝）
(8) 17:15-17:40 CMOSトランジスタの動作点解析による故障箇所の特定 ○岸　和敬・眞田　克（高知工科大）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
R 信頼性研究会（R）   [今後の予定はこちら]
問合先 木村光宏（法政大学）
TEL 042-387-6116
FAX 042-387-6126
E--mail: mi 


Last modified: 2011-03-24 13:53:25


ご注意： 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております．ご了承ください．
[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 
[研究会発表・参加方法，FAQ] ※ ご一読ください
 
[R研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   前のR研究会 / 次のR研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 

[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]
IEICE / 電子情報通信学会