3月5日(月) 午前  10:00 - 16:30
	10:00-10:05	開会の挨拶　（ 5分 ）
(1)	10:05-10:50	［基調講演］BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発 SDM2011-176	○木村紳一郎（超低電圧デバイス技研組合）
(2)	10:50-11:20	Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス SDM2011-177	○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原　潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲　隆・高橋寿史・小倉　卓・泰地稔二・笠間佳子（ルネサス エレクトロニクス）
(3)	11:20-11:50	InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化 SDM2011-178	○金子貴昭・井上尚也・齋藤　忍・古武直也・砂村　潤・川原　潤・羽根正巳・林　喜宏（ルネサス エレクトロニクス）
	11:50-13:00	昼食，休憩　（ 70分 ）
(4)	13:00-13:30	ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 SDM2011-179	○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼　学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室　隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研）
(5)	13:30-14:00	ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 SDM2011-180	○清水秀治（大陽日酸/東大）・嶋　紘平・百瀬　健（東大）・小林芳彦（大陽日酸）・霜垣幸浩（東大）
(6)	14:00-14:30	微小流路型反応器を利用した銅めっき液中添加剤作用の解析 SDM2011-181	○齊藤丈靖・宮本　豊・服部　直・岡本尚樹・近藤和夫（阪府大）
	14:30-14:55	休憩　（ 25分 ）
(7)	14:55-15:25	3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成 SDM2011-182	○有馬良平・三宅浩志・井上史大・清水智弘・新宮原正三（関西大）
(8)	15:25-15:55	Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係 SDM2011-183	○北田秀樹（東大/富士通研）・前田展秀・藤本興冶・児玉祥一・金　永束（東大）・水島賢子（東大/富士通研）・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）
(9)	15:55-16:25	Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 SDM2011-184	○中塚　理（名大）・北田秀樹・金　永束（東大）・水島賢子・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）・財満鎭明（名大）
	16:25-16:30	閉会の挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o

Last modified: 2012-02-14 15:50:45