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★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)  副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

日時 2012年 3月 5日(月) 10:00~16:30

会場 機会振興会館

議題 配線・実装技術と関連材料技術

3月5日(月) 午前 (10:00~16:30)

−−− 開会の挨拶 ( 5分 ) −−−

(1) 10:05 - 10:50
[基調講演]BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発
○木村紳一郎(超低電圧デバイス技研組合)

(2) 10:50 - 11:20
Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス
○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原 潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲 隆・高橋寿史・小倉 卓・泰地稔二・笠間佳子(ルネサス エレクトロニクス)

(3) 11:20 - 11:50
InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
○金子貴昭・井上尚也・齋藤 忍・古武直也・砂村 潤・川原 潤・羽根正巳・林 喜宏(ルネサス エレクトロニクス)

−−− 昼食,休憩 ( 70分 ) −−−

(4) 13:00 - 13:30
ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究
○尾白佳大・小川修一(東北大)・犬飼 学(高輝度光科学研究センター)・佐藤元伸(産総研)・池永英司・室 隆桂之(高輝度光科学研究センター)・二瓶瑞久(産総研)・高桑雄二(東北大)・横山直樹(産総研)

(5) 13:30 - 14:00
ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜
○清水秀治(大陽日酸/東大)・嶋 紘平・百瀬 健(東大)・小林芳彦(大陽日酸)・霜垣幸浩(東大)

(6) 14:00 - 14:30
微小流路型反応器を利用した銅めっき液中添加剤作用の解析
○齊藤丈靖・宮本 豊・服部 直・岡本尚樹・近藤和夫(阪府大)

−−− 休憩 ( 25分 ) −−−

(7) 14:55 - 15:25
3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成
○有馬良平・三宅浩志・井上史大・清水智弘・新宮原正三(関西大)

(8) 15:25 - 15:55
Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
○北田秀樹(東大/富士通研)・前田展秀・藤本興冶・児玉祥一・金 永束(東大)・水島賢子(東大/富士通研)・中村友二(富士通研)・大場隆之(東大)

(9) 15:55 - 16:25
Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
○中塚 理(名大)・北田秀樹・金 永束(東大)・水島賢子・中村友二(富士通研)・大場隆之(東大)・財満鎭明(名大)

−−− 閉会の挨拶 ( 5分 ) −−−

一般講演:発表 25 分 + 質疑応答 5 分

◆応用物理学会共催


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

4月27日(金)~28日(土) 沖縄県青年会館 [2月10日(金)] テーマ:薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般
5月17日(木)~18日(金) 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [3月14日(水)] テーマ:結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)
6月21日(木) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) [4月11日(水)] テーマ:ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
6月27日(水)~29日(金) 沖縄県青年会館 [4月20日(金)] テーマ:2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ

【問合先】
小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-mail: o


Last modified: 2012-02-14 15:50:45


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