8月10日(水) 午後
13:00 - 17:25 |
| (1) |
13:00-13:25 |
レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性 |
○鈴木大樹・熊谷知貴・中澤日出樹（弘前大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入／放出特性のDLTS評価 |
○鈴木聡一郎・佐藤真哉・岩崎拓郎（弘前大）・俵 毅彦・舘野功太・後藤秀樹・寒川哲臣（NTT）・岡本 浩（弘前大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価 |
酒井崇史・逸見充則・村田裕亮・鈴木真一郎・山上朋彦・林部林平・○上村喜一（信州大） |
| (4) |
14:15-14:40 |
SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 |
大谷孝史・姉崎 豊・浅野 翔・加藤有行（長岡技科大）・成田 克（山形大）・中澤日出樹（弘前大）・加藤孝弘・○安井寛治（長岡技科大） |
| (5) |
14:40-15:05 |
TSFZ法による高温超伝導体Bi-2223単結晶の育成と評価 |
○足立伸太郎・臼井友洋・橋本雄三・渡辺孝夫（弘前大）・藤井武則（東大） |
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15:05-15:20 |
休憩 （ 15分 ） |
| (6) |
15:20-15:45 |
組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 |
○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚（北見工大） |
| (7) |
15:45-16:10 |
プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響 |
○奥野さおり・三浦創史・鎌田亮輔・中澤日出樹（弘前大） |
| (8) |
16:10-16:35 |
レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響 |
○毛内裕介・遅澤遼一・中澤日出樹（弘前大） |
| (9) |
16:35-17:00 |
低温と室温におけるコンダクタンス法の組合せによるGe-MIS構造の界面準位密度評価 |
○岩崎拓郎・佐藤真哉・鈴木聡一郎・小野俊郎（弘前大）・福田幸夫（諏訪東京理科大）・岡本 浩（弘前大） |
| (10) |
17:00-17:25 |
ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価 |
○佐藤真哉・岩崎拓郎・鈴木聡一郎・小野俊郎（弘前大）・福田幸夫（諏訪東京理科大）・岡本 浩（弘前大） |
8月11日(木) 午前
09:00 - 12:35 |
| (11) |
09:00-09:25 |
反応性スパッタ法によるCuAlO2薄膜の作製とアニール効果 |
○阿部克也・横本拓也・前田洋輔・宮澤 匠（信州大） |
| (12) |
09:25-09:50 |
RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製 |
○梅原 猛・野毛 悟（沼津高専） |
| (13) |
09:50-10:15 |
シリコン酸化膜の不均一な熱分解 |
○遠田義晴・小川可乃・永井孝幸（弘前大） |
| (14) |
10:15-10:40 |
赤外吸収分光法を用いたHfO2原子層堆積法の反応素過程評価 |
○廣瀬文彦・木下友太・鈴木貴彦（山形大） |
| |
10:40-10:55 |
休憩 （ 15分 ） |
| (15) |
10:55-11:20 |
OHラジカル酸化法の開発とデバイス評価 |
○出貝 求・黒沢正章・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） |
| (16) |
11:20-11:45 |
下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法 |
○野毛 悟・梅原 猛（沼津高専）・宇野武彦（神奈川工科大） |
| (17) |
11:45-12:10 |
ユビキタスプロセッサチップの開発 |
○内海晴信・石原拓美・三村直道・高木竜哉・成田一貴・深瀬政秋・佐藤友暁（弘前大） |
| (18) |
12:10-12:35 |
バルクヘテロ型有機薄膜太陽電池のアニール効果の解析 |
○栗原 啓・吉田一樹・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） |
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