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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
専門委員長 浜本 貴一 (九大)  副委員長 有賀 博 (三菱電機)
幹事 八木 英樹 (住友電工), 川北 泰雅 (古河電工)
幹事補佐 永井 正也 (阪大)

日時 2018年 7月12日(木) 13:00~16:40
   2018年 7月13日(金) 09:00~14:55

会場 北海道大学 工学部 アカデミックラウンジ3(〒060-8628 北海道札幌市北区北13条西8丁目.北12条駅から徒歩約7分で「北13条門」,さらに約5分で工学部正面玄関.http://www.eng.hokudai.ac.jp/access/.藤澤 剛.011-706-6542)

議題 受光素子,変調器,レーザ応用,センシング応用

7月12日(木) 午後 光デバイス及び応用 (13:00~14:45)
座長: 梅沢 俊匡(NICT)

(1) 13:00 - 13:05
開会挨拶

(2) 13:05 - 13:30
光波の幾何学的変換を利用したOAM分解素子の開発
○山根啓作・脇坂勇武・渡辺悠歩(北大)・岡 和彦(弘前大)・戸田泰則・森田隆二(北大)

(3) 13:30 - 13:55
10W級固定間光無線給電のためのシステム構成検討
○勝田優輝・宮本智之(東工大)

(4) 13:55 - 14:20
Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減
○中尾 亮・佐藤具就・杉山弘樹・松尾慎治(NTT)

(5) 14:20 - 14:45
シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術
○松本 武・倉橋輝雄(富士通研)・鴻池遼太郎・鈴木恵治郎・谷澤 健(産総研)・植竹理人・高林和雅(富士通研)・池田和浩・河島 整(産総研)・秋山 傑・関口茂昭(富士通研)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

7月12日(木) 午後 クロスセッション「ビヨンド400Gbpsを決めるのはデバイスか, あるいは, 実装か」 (15:00~16:40)
座長: 尾中 寛(富士通)

(6) 15:00 - 15:15
[招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ 今日の集積送信光モジュールを実現する実装技術と、明日のさらなる大容量化に向けて ~
○望月敬太(三菱電機)

(7) 15:15 - 15:30
[招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ DC内およびDC間通信向けレーザチップ ~
○金子俊光(住友電工)

(8) 15:30 - 15:45
[招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ 光受信モジュールの設計及び実装技術と今後に向けた取り組み ~
○大畠伸夫・畑 端佳・佐藤義也・白尾瑞基・藤原諒太・山本修平(三菱電機)

(9) 15:45 - 16:00
[招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ InP系コヒーレントレシーバ開発の進展と光集積回路の今後の展望 ~
○八木英樹・井上尚子(住友電工)・沖本拓也(住友電工デバイス・イノベーション)・菊地健彦(住友電工)

(10) 16:00 - 16:40
ディスカッション-ビヨンド400Gbpsを決めるのはデバイスか, あるいは, 実装か

7月13日(金) 午前 クロスセッション「変調器に最も適した材料系は?」 (09:00~12:20)
座長: 川西 哲也(早大)

(11) 09:00 - 09:30
[招待講演]長距離高速伝送を実現するLiNbO3変調器
○川島由匡・土居正治(富士通オプティカルコンポーネンツ)

(12) 09:30 - 10:00
[招待講演]デジタルコヒーレント通信用InP光変調器の技術動向
○菊池順裕(NTT)

(13) 10:00 - 10:30
[招待講演]高性能Si/SiGe変調器と光集積回路への応用
○藤方潤一・野口将高・高橋重樹・蔵田和彦(光電子融合基盤技研)・竹中 充(東大)・中村隆宏(光電子融合基盤技研)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(14) 10:40 - 11:10
[招待講演]SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望
○竹中 充・高木信一(東大)

(15) 11:10 - 11:40
[招待講演]EOポリマーを用いた100Gbit/s光変調器
○横山士吉(九大)

(16) 11:40 - 12:20
ディスカッション-変調器に最も適した材料系は?

−−− 休憩 ( 70分 ) −−−

7月13日(金) 午後 変調器 (13:30~14:55)
座長: 田中 有(富士通研)

(17) 13:30 - 13:55
光変調器の性能指数に関する一考察
○山口祐也・菅野敦史・山本直克(NICT)・川西哲也(早大)

(18) 13:55 - 14:20
EA変調器集積DFBレーザを用いたベクトル変調に関する検討
○稲垣惠三(NICT)・プライメッツ メクバングワン・ウクリット マンコン(チェンマイ大)・川西哲也(早大)

(19) 14:20 - 14:45
InP変調器の超広帯域化技術と高速エレクトロニクス技術の融合
○小木曽義弘・尾崎常祐・中野慎介・上田悠太・脇田 斉(NTT)

(20) 14:45 - 14:55
閉会挨拶

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分


☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

8月23日(木)~24日(金) 小樽経済センター [6月15日(金)] テーマ:光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般

【問合先】
八木 英樹(住友電気工業)
TEL 045-853-7318
E-mail:gi-dei

川北 泰雅(古河電気工業)
TEL 045-311-1219
E-mail:electc

◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2018-05-15 21:13:18


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