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レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 浜本 貴一 (九大)
副委員長 有賀 博 (三菱電機)
幹事 八木 英樹 (住友電工), 川北 泰雅 (古河電工)
幹事補佐 永井 正也 (阪大)

日時 2018年 7月12日(木) 13:00 - 16:40
2018年 7月13日(金) 09:00 - 14:55
議題 受光素子,変調器,レーザ応用,センシング応用 
会場名 北海道大学 工学部 アカデミックラウンジ3 
住所 〒060-8628 北海道札幌市北区北13条西8丁目
交通案内 北12条駅から徒歩約7分で「北13条門」,さらに約5分で工学部正面玄関
http://www.eng.hokudai.ac.jp/access/
会場世話人
連絡先
藤澤 剛
011-706-6542
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(LQE研究会)についてはこちらをご覧ください

7月12日(木) 午後  光デバイス及び応用
座長: 梅沢 俊匡(NICT)
13:00 - 14:45
(1) 13:00-13:05 開会挨拶
(2) 13:05-13:30 光波の幾何学的変換を利用したOAM分解素子の開発 ○山根啓作・脇坂勇武・渡辺悠歩(北大)・岡 和彦(弘前大)・戸田泰則・森田隆二(北大)
(3) 13:30-13:55 10W級固定間光無線給電のためのシステム構成検討 ○勝田優輝・宮本智之(東工大)
(4) 13:55-14:20 Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減 ○中尾 亮・佐藤具就・杉山弘樹・松尾慎治(NTT)
(5) 14:20-14:45 シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術 ○松本 武・倉橋輝雄(富士通研)・鴻池遼太郎・鈴木恵治郎・谷澤 健(産総研)・植竹理人・高林和雅(富士通研)・池田和浩・河島 整(産総研)・秋山 傑・関口茂昭(富士通研)
  14:45-15:00 休憩 ( 15分 )
7月12日(木) 午後  クロスセッション「ビヨンド400Gbpsを決めるのはデバイスか, あるいは, 実装か」
座長: 尾中 寛(富士通)
15:00 - 16:40
(6) 15:00-15:15 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ 今日の集積送信光モジュールを実現する実装技術と、明日のさらなる大容量化に向けて ~ ○望月敬太(三菱電機)
(7) 15:15-15:30 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ DC内およびDC間通信向けレーザチップ ~ ○金子俊光(住友電工)
(8) 15:30-15:45 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ 光受信モジュールの設計及び実装技術と今後に向けた取り組み ~ ○大畠伸夫・畑 端佳・佐藤義也・白尾瑞基・藤原諒太・山本修平(三菱電機)
(9) 15:45-16:00 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ InP系コヒーレントレシーバ開発の進展と光集積回路の今後の展望 ~ ○八木英樹・井上尚子(住友電工)・沖本拓也(住友電工デバイス・イノベーション)・菊地健彦(住友電工)
(10) 16:00-16:40 ディスカッション-ビヨンド400Gbpsを決めるのはデバイスか, あるいは, 実装か
7月13日(金) 午前  クロスセッション「変調器に最も適した材料系は?」
座長: 川西 哲也(早大)
09:00 - 12:20
(11) 09:00-09:30 [招待講演]長距離高速伝送を実現するLiNbO3変調器 ○川島由匡・土居正治(富士通オプティカルコンポーネンツ)
(12) 09:30-10:00 [招待講演]デジタルコヒーレント通信用InP光変調器の技術動向 ○菊池順裕(NTT)
(13) 10:00-10:30 [招待講演]高性能Si/SiGe変調器と光集積回路への応用 ○藤方潤一・野口将高・高橋重樹・蔵田和彦(光電子融合基盤技研)・竹中 充(東大)・中村隆宏(光電子融合基盤技研)
  10:30-10:40 休憩 ( 10分 )
(14) 10:40-11:10 [招待講演]SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 ○竹中 充・高木信一(東大)
(15) 11:10-11:40 [招待講演]EOポリマーを用いた100Gbit/s光変調器 ○横山士吉(九大)
(16) 11:40-12:20 ディスカッション-変調器に最も適した材料系は?
  12:20-13:30 休憩 ( 70分 )
7月13日(金) 午後  変調器
座長: 田中 有(富士通研)
13:30 - 14:55
(17) 13:30-13:55 光変調器の性能指数に関する一考察 ○山口祐也・菅野敦史・山本直克(NICT)・川西哲也(早大)
(18) 13:55-14:20 EA変調器集積DFBレーザを用いたベクトル変調に関する検討 ○稲垣惠三(NICT)・プライメッツ メクバングワン・ウクリット マンコン(チェンマイ大)・川西哲也(早大)
(19) 14:20-14:45 InP変調器の超広帯域化技術と高速エレクトロニクス技術の融合 ○小木曽義弘・尾崎常祐・中野慎介・上田悠太・脇田 斉(NTT)
(20) 14:45-14:55 閉会挨拶

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 八木 英樹(住友電気工業)
TEL 045-853-7318
E--mail:gi-dei

川北 泰雅(古河電気工業)
TEL 045-311-1219
E--mail:electc 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2018-05-15 21:13:18


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