12月7日(金)
10:00 - 17:00 |
| (1) |
10:00-10:15 |
超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 |
○梶 直樹・丹羽弘樹・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (2) |
10:15-10:30 |
塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング |
○畑山智亮・堀 良太・田村哲也・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） |
| (3) |
10:30-10:45 |
電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 |
○村田耕司・森根達也・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構） |
| (4) |
10:45-11:00 |
4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 |
○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） |
| (5) |
11:00-11:15 |
イオン液体BMIM-PF6イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質 |
○竹内光明・濱口拓也・龍頭啓充・高岡義寛（京大） |
| (6) |
11:15-11:30 |
直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性 |
○今中浩輔・竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大） |
| (7) |
11:30-11:45 |
DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討 |
○前野尚子・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄（兵庫県立大） |
| (8) |
11:45-12:00 |
ポータープロテインによる金ナノ粒子配置プロセスとそのプラズモン特性 |
○西城理志・石河泰明・鄭 彬・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） |
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12:00-13:00 |
昼食休憩 （ 60分 ） |
| (9) |
13:00-13:15 |
薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク ～ 非対称回路での動作確認 ～ |
○木村 睦・山口裕貴・森田竜平・藤田悠佑・宮谷友彰・笠川知洋（龍谷大） |
| (10) |
13:15-13:30 |
薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調方式の人工網膜 |
○門目尭之・松村 篤・東山剛士・大山翔平・木村 睦（龍谷大） |
| (11) |
13:30-13:45 |
デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 |
○浦川 哲・上岡義弘・山崎はるか・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
| (12) |
13:45-14:00 |
低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案 |
○岡田亮太・松谷一輝・松浦秀治（阪電通大） |
| (13) |
14:00-14:15 |
ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析 |
○村井剛太・奥谷真士・田川修治・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters） |
| (14) |
14:15-14:30 |
レーザードーピングで形成したエミッタ層及びセレクティブエミッタ層の深さ制御とその太陽電池特性 |
○田中成明・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大） |
| (15) |
14:30-14:45 |
テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板―ドーパント間の界面制御による電子状態の改善 |
○西村英紀・田中成明・森崎翔太・湯本伸伍・冬木 隆（奈良先端大） |
| (16) |
14:45-15:00 |
レーザードーピング法を用いたn型単結晶シリコン太陽電池の高効率化 |
○森崎翔太・西村英紀・杉村恵美・冬木 隆（奈良先端大） |
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15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (17) |
15:15-15:30 |
連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化 |
○湯本伸伍・西村英紀・平田憲司・杉村恵美・冬木 隆（奈良先端大） |
| (18) |
15:30-15:45 |
MOS構造を有する太陽電池による変換効率の向上 |
○小林孝裕・松尾直人・部家 彰（兵庫県立大） |
| (19) |
15:45-16:00 |
結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析 |
○杉村恵美・嶋崎成一・谷 あゆみ・冬木 隆（奈良先端大） |
| (20) |
16:00-16:15 |
プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製 |
○山口正樹・渡辺和貴（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大） |
| (21) |
16:15-16:30 |
HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係 |
○鶴田茂之・木下健太郎・長谷川 祥・榎本優太郎・岸田 悟（鳥取大） |
| (22) |
16:30-16:45 |
微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性 |
○高 相圭・木下健太郎・福原貴博・澤居優圭・岸田 悟（鳥取大） |
| (23) |
16:45-17:00 |
金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響 |
○沖元直樹・岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） |