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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

日時 2012年12月 7日(金) 10:00 - 17:00
議題 シリコン関連材料の作製と評価 
会場名 京都大学桂キャンパス A1棟 地下講義室(A1-001) 
住所 〒615-8510 京都市西京区京都大学桂
交通案内 阪急桂駅(西口)からバス15分「京大桂キャンパス前」下車
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.htm
会場世話人
連絡先
電子工学専攻 木本恒暢
075-383-2300
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月7日(金)  
10:00 - 17:00
(1) 10:00-10:15 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 SDM2012-115 梶 直樹丹羽弘樹須田 淳木本恒暢京大
(2) 10:15-10:30 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング SDM2012-116 畑山智亮堀 良太田村哲也矢野裕司冬木 隆奈良先端大
(3) 10:30-10:45 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 SDM2012-117 村田耕司森根達也松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構
(4) 10:45-11:00 4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 SDM2012-118 梅澤奈央矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大
(5) 11:00-11:15 イオン液体BMIM-PF6イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質 SDM2012-119 竹内光明濱口拓也龍頭啓充高岡義寛京大
(6) 11:15-11:30 直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性 SDM2012-120 今中浩輔竹内光明龍頭啓充高岡義寛京大
(7) 11:30-11:45 DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討 SDM2012-121 前野尚子松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大
(8) 11:45-12:00 ポータープロテインによる金ナノ粒子配置プロセスとそのプラズモン特性 SDM2012-122 西城理志石河泰明鄭 彬山下一郎浦岡行治奈良先端大
  12:00-13:00 昼食休憩 ( 60分 )
(9) 13:00-13:15 薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク ~ 非対称回路での動作確認 ~ SDM2012-123 木村 睦山口裕貴森田竜平藤田悠佑宮谷友彰笠川知洋龍谷大
(10) 13:15-13:30 薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調方式の人工網膜 SDM2012-124 門目尭之松村 篤東山剛士大山翔平木村 睦龍谷大
(11) 13:30-13:45 デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 SDM2012-125 浦川 哲上岡義弘山崎はるか石河泰明浦岡行治奈良先端大
(12) 13:45-14:00 低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案 SDM2012-126 岡田亮太松谷一輝松浦秀治阪電通大
(13) 14:00-14:15 ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析 SDM2012-127 村井剛太奥谷真士田川修治吉本昌広京都工繊大)・Woo Sik YooWaferMasters
(14) 14:15-14:30 レーザードーピングで形成したエミッタ層及びセレクティブエミッタ層の深さ制御とその太陽電池特性 SDM2012-128 田中成明西村英紀冬木 隆奈良先端大
(15) 14:30-14:45 テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板―ドーパント間の界面制御による電子状態の改善 SDM2012-129 西村英紀田中成明森崎翔太湯本伸伍冬木 隆奈良先端大
(16) 14:45-15:00 レーザードーピング法を用いたn型単結晶シリコン太陽電池の高効率化 SDM2012-130 森崎翔太西村英紀杉村恵美冬木 隆奈良先端大
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
(17) 15:15-15:30 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化 SDM2012-131 湯本伸伍西村英紀平田憲司杉村恵美冬木 隆奈良先端大
(18) 15:30-15:45 MOS構造を有する太陽電池による変換効率の向上 SDM2012-132 小林孝裕松尾直人部家 彰兵庫県立大
(19) 15:45-16:00 結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析 SDM2012-133 杉村恵美嶋崎成一谷 あゆみ冬木 隆奈良先端大
(20) 16:00-16:15 プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製 SDM2012-134 山口正樹渡辺和貴芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大
(21) 16:15-16:30 HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係 SDM2012-135 鶴田茂之木下健太郎長谷川 祥榎本優太郎岸田 悟鳥取大
(22) 16:30-16:45 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性 SDM2012-136 高 相圭木下健太郎福原貴博澤居優圭岸田 悟鳥取大
(23) 16:45-17:00 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響 SDM2012-137 沖元直樹岩田達哉西 佑介木本恒暢京大

講演時間
一般講演発表 10 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先  


Last modified: 2012-10-20 22:31:52


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