お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2021年10月開催~)
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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
副委員長 高野 泰 (静岡大)
幹事 島村 俊重 (NTT), 阿部 克也 (信州大)
幹事補佐 圓佛 晃次 (NTT), 佐藤 知正 (神奈川大)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 加地 徹 (豊田中研)
副委員長 原 直紀 (富士通研)
幹事 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)
幹事補佐 上田 哲三 (パナソニック), 葛西 誠也 (北大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 勝山 造 (住友電工)
副委員長 津田 裕之 (慶大)
幹事 宮本 智之 (東工大), 篠田 和典 (日立)

日時 2011年11月17日(木) 10:05 - 18:00
2011年11月18日(金) 09:30 - 15:55
議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
会場名 京都大学 桂キャンパス 桂ホール 
住所 〒615-8530 京都市西京区京都大学桂
交通案内 JR桂川駅よりバス15分
http://www.t.kyoto-u.ac.jp/ja/access/katsura/index.html?set_language=ja
会場世話人
連絡先
川上 養一
075-383-2310
お知らせ ◎17日研究会終了後,懇親会を予定していますのでご参加下さい.
日時:2011年11月17日(木) 18:30開始
場所:京都大学桂キャンパス カフェArte
(研究会会場から徒歩3分 http://www.s-coop.net/shop_info/katsura/arute/
会費:一般 \3,500,学生¥2,000
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月17日(木) 午前 
10:00 - 18:00
  10:00-10:05 委員長挨拶 ( 5分 )
(1) 10:05-10:30 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長 ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96 菊地諒介奥村宏典木本恒暢須田 淳京大
(2) 10:30-10:55 サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御 ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 宮川鈴衣奈楊 士波三宅秀人平松和政三重大)・桑原崇彰桑野範之光原昌寿九大
(3) 10:55-11:20 エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 野村拓也三宅秀人平松和政三重大)・龍 祐樹桑原崇彰桑野範之九大
(4) 11:20-11:45 SiO2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究 ED2011-76 CPM2011-125 LQE2011-99 谷本 勝酒井士郎徳島大
  11:45-12:55 昼食休憩 ( 70分 )
(5) 12:55-13:20 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 藤倉序章大島祐一吉田丈洋目黒 健斉藤俊也日立電線
(6) 13:20-13:45 ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 金 聖植堀 祐臣谷田部然治橋詰 保北大
(7) 13:45-14:10 Surface Barrier Height Lowering at Above 540 K in AlInN/AlN/GaN Heterostructures ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 Md. Tanvir HasanHirokuni TokudaMasaaki KuzuharaUniv. of Fukui
(8) 14:10-14:35 GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103 岩田康宏久保俊晴江川孝志名工大
  14:35-14:50 休憩 ( 15分 )
(9) 14:50-15:15 様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構 ED2011-81 CPM2011-130 LQE2011-104 奥田貴史三宅裕樹木本恒暢須田 淳京大
(10) 15:15-15:40 AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 細川大志井川裕介木尾勇介敖 金平大野泰夫徳島大
(11) 15:40-16:05 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 前田就彦廣木正伸佐々木 智原田裕一NTT
(12) 16:05-16:30 GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 井手利英清水三聡沈 旭強産総研)・森田竜夫上田哲三田中 毅パナソニック
  16:30-16:45 休憩 ( 15分 )
(13) 16:45-17:10 ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108 西森理人牧山剛三多木俊裕山田敦史今西健治吉川俊英原 直紀渡部慶二富士通研
(14) 17:10-17:35 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ ED2011-86 CPM2011-135 LQE2011-109 成田知隆分島彰男江川孝志名工大
(15) 17:35-18:00 窒化物半導体太陽電池の集光特性 ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 森 美貴子山本翔太桑原洋介藤井崇裕岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大)・天野 浩名大
11月18日(金) 午前 
09:30 - 15:55
(16) 09:30-09:55 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 石井良太金田昭男ライアン バナル船戸 充川上養一京大
(17) 09:55-10:20 ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察 ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 井手公康山本準一岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大)・天野 浩名大
(18) 10:20-10:45 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定 ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113 山口敦史金沢工大)・耿 慧遠砂川晴夫石原裕次郎松枝敏晴碓井 彰古河機械金属
(19) 10:45-11:10 GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 関口寛人豊橋技科大)・高木康文浜松ホトニクス)・大谷龍輝岡田 浩若原昭浩豊橋技科大
(20) 11:10-11:35 Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115 Yoon Seok KimAkio KanetaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.)・Takashi KyonoMasaki UenoTakao NakamuraSumitomo Electric
  11:35-12:45 昼食休憩 ( 70分 )
(21) 12:45-13:10 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発 ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116 美濃卓哉理研/パナソニック電工)・平山秀樹理研)・高野隆好野口憲路椿 健治理研/パナソニック電工
(22) 13:10-13:35 m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117 前田哲利平山秀樹藤川紗千恵理研
(23) 13:35-14:00 ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光 ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118 美濃卓哉理研/パナソニック電工)・平山秀樹理研)・高野隆好椿 健治理研/パナソニック電工)・杉山正和東大
  14:00-14:15 休憩 ( 15分 )
(24) 14:15-14:40 MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長 ED2011-96 CPM2011-145 LQE2011-119 大西裕也堀江郁哉酒井士郎徳島大
(25) 14:40-15:05 GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用 ED2011-97 CPM2011-146 LQE2011-120 有田宗貴チェ ギヒョン荒川泰彦東大
(26) 15:05-15:30 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 神村淳平岸野克巳神山幸一菊池昭彦上智大
(27) 15:30-15:55 GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察 ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122 寺嶋 亘平山秀樹理研
  15:55-16:00 委員長挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E-zopac 
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 宮本 智之(東京工業大学)
TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977
E-: ttpi

篠田 和典 (日立製作所)
TEL 042-323-1111,FAX 042-327-7786
E-: nv 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2011-10-17 09:15:45


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