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★集積回路研究会（ICD）
専門委員長　中屋雅夫　　副委員長　松澤昭
幹事　宮野信治，甲斐康司
幹事補佐　相本代志治，永田真

日時　2006年 4月13日(木)　09：20～18：40
　　　2006年 4月14日(金)　08：40～15：35

会場大分大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー（〒870-1192 大分市旦野原700番地．JR大分大学前駅から徒歩15分またはJR大分駅からバス30分「大分大学」．http://www.oita-u.ac.jp/gaiyo/map/access.html．電気電子工学科益子洋治．097-569-3311）

議題新メモリ技術とシステムLSI

4月13日(木) 午前（09：20～10：35）
座長: 菊田繁（ルネサス）

(1) 09:20 - 09:45
DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原～接合リーク電流の2値変動～
毛利友紀（日立）・大湯靜憲・小此木堅祐（エルピーダメモリ）・○山田廉一（日立）

(2) 09:45 - 10:10
リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM
○高井智久・永井　健・和田政春・岩井　斎・加来真理子・鈴木　淳・糸賀尚子・宮崎隆行（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治（東芝）

(3) 10:10 - 10:35
カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発
○久保内修一（日立超LSIシステムズ）・藤澤宏樹・黒木浩二・西岡直久・利穂吉郎・野田浩正（エルピーダメモリ）・藤井　勇・余公秀之・瀧下隆治・伊藤孝洋・田中　均（日立超LSIシステムズ）・中村正行（エルピーダメモリ）

4月13日(木) 午前（10：45～12：00）
座長: 相本代志冶（NECエレ）

(4) 10:45 - 11:35
［特別招待講演］サブ１V DRAM設計技術
○河原尊之（日立）

(5) 11:35 - 12:00
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
○中島博臣・南　良博・篠　智彰（東芝）・坂本篤史（東芝情報システム）・東　知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・楠　直樹・藤田勝之・初田幸輔・大澤　隆・青木伸俊・谷本弘吉・森門六月生・井納和美・浜本毅司・仁田山晃寛（東芝）

4月13日(木) 午後（13：00～14：40）
座長: 榎本忠儀（中央大学）

(6) 13:00 - 13:50
［特別招待講演］Chain FeRAM技術と将来展望
○高島大三郎（東芝）

(7) 13:50 - 14:40
［特別招待講演］金属酸化物抵抗変調型ＮＶＭ技術
○田口眞男（スパンシオン）

4月13日(木) 午後（14：50～16：30）
座長: 山内寛行（福岡工業大学）

(8) 14:50 - 15:40
［特別招待講演］新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム
○有本和民（ルネサステクノロジ）

(9) 15:40 - 16:30
［特別招待講演］SoC設計からみたメモリへの要求
○高橋真史（東芝）

4月13日(木) 午後（16：40～18：40）
座長: 日高秀人（ルネサス）

(10) 16:40 - 18:40
［パネル討論］新メモリとSoC,今何をすべきか？
○日高秀人（ルネサステクノロジ）・田口眞男（SPANSION JAPAN）・河原尊之（日立）・高島大三郎（東芝）・上野修一（ルネサステクノロジ）・高田雅史（金沢大）・高橋真史（東芝）

4月14日(金) 午前（08：40～10：20）
座長: 中村和之（九州工業大学）

(11) 08:40 - 09:05
相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究
○高田雅史・中山和也・泉　貴富・新村　達・秋田純一・北川章夫（金沢大）

(12) 09:05 - 09:30
MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討
○岡村怜王奈（早大）・木原雄治（ルネサステクノロジ）・金　泰潤・木村史法・松井悠亮（早大）・大石　司（ルネサステクノロジ）・吉原　務（早大）

(13) 09:30 - 09:55
4MbMRAMとその応用
○杉林直彦・本田雄士・崎村　昇・永原聖万・三浦貞彦・志村健一・辻　清孝・福本能之・本庄弘明・鈴木哲広・加藤有光・齋藤信作・笠井直記・沼田秀昭・大嶋則和（NEC）

(14) 09:55 - 10:20
携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM
○清水有威・岩田佳久・土田賢二・稲場恒夫・滝沢亮介・上田善寛・板垣清太郎・浅尾吉昭・梶山　健・細谷啓司・池川純夫・甲斐　正・中山昌彦・與田博明（東芝）

4月14日(金) 午前（10：25～12：05）
座長: 宮野信治（東芝）

(15) 10:25 - 11:15
［特別招待講演］Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM
○Hide Nagai・Yiming Huai（Grandis）・Shuichi Ueno・Tsuyoshi Koga（Renesas Technology）

(16) 11:15 - 11:40
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM
○木原雄治・中嶋　泰・井筒　隆・中本正幸（ルネサステクノロジ）・吉原　務（早大）

(17) 11:40 - 12:05
次世代ＳＲＡＭのために再定義した書き込みマージン
○武田晃一・池田秀寿・萩原靖彦・野村昌弘（NEC）・小畑弘之（NECエレクトロニクス）

4月14日(金) 午後（13：00～14：15）
座長: 久我守弘（熊本大学）

(18) 13:00 - 13:50
［特別招待講演］バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術
○山岡雅直（日立）

(19) 13:50 - 14:15
Worst-Case Ananlysis to Obtain Stable Read/Write DC Margin of High Density 6T-SRAM-Array with Local Vth Variability
○Yasumasa Tsukamoto・Koji Nii（Renesas Technology）・Susumu Imaoka（Renesas Design）・Yuji Oda（Shikino High-Tech.）・Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara（Renesas Technology）

4月14日(金) 午後（14：20～15：35）
座長: 平野恭章（シャープ）

(20) 14:20 - 14:45
Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling
○Ryuji Ohba・Yuichiro Mitani・Naoharu Sugiyama・Shinobu Fujita（Toshiba）

(21) 14:45 - 15:10
マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム
○石川次郎・田中利広・加藤　章・山木貴志・梅本由紀子・下里　健・中村　功・品川　裕（ルネサステクノロジ）

(22) 15:10 - 15:35
99mm2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ
○岩井　信・竹内　健・亀田　靖・藤村　進・大竹博之・細野浩司・志賀　仁・渡辺慶久・二山拓也・進藤佳彦・小島正嗣・白川政信・市毛正之・畠山多生・田中真一（東芝）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分
特別招待講演：発表 40 分＋質疑応答 10 分

◎4月13日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。

☆ICD研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

5月25日(木)～26日(金)　神戸大学　[3月17日(金)]　テーマ：VLSI一般（ISSCC2006特集）
6月8日(木)～9日(金)　NEC玉川ルネッサンスシティ　[3月25日(土)]　テーマ：集積回路技術とアーキテクチャ技術の協調・融合へ向けた、プロセッサ、並列処理、システムLSIアーキテクチャおよび一般
7月27日(木)～28日(金)　静岡大学(浜松キャンパス内)　[5月22日(月)]　テーマ：イメージセンサのインターフェース回路、アナログ、および一般

【問合先】
宮野信治（東芝）
TEL 0444-548-2696, FAX 044-548-8324
E-mail: